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机译:由于铟扩散导致SICN透明装置的导电桥随机存取存储器特性
Natl Chiao Tung Univ Dept Elect Engn Hsinchu 30010 Taiwan;
CBRAM; reliability; conduction mechanism; resistive switching;
机译:由于铟扩散导致SICN透明装置的导电桥随机存取存储器特性
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机译:用于导电桥接电阻随机存取存储器应用的纳米晶体膜中的电阻切换特性
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机译:Al2O3中铜间隙的性质及其对导电桥随机存取存储器件中细丝形成的影响