机译:MOS2晶界的充电效果
West Virginia Univ Dept Phys &
Astron Morgantown WV 26506 USA;
Michigan State Univ Dept Phys E Lansing MI 48824 USA;
Naval Res Lab Washington DC 20375 USA;
West Virginia Univ Dept Phys &
Astron Morgantown WV 26506 USA;
transition metal dichalcogenide; MoS2; grain boundary; STM/S; charging effect; mid-gap states;
机译:MOS2晶界的充电效果
机译:增强型压电效应来自MOS2单层晶界
机译:使用蒸汽氢氟酸在SiO2上的MOS2中晶粒边界的快速和大面积可视化
机译:谷物尺寸和晶粒边界重组对发射极碱结+ -P-P +太阳能电池空间电荷层厚度Z的影响
机译:电荷载流子与复合半导体界面缺陷的相互作用
机译:用多光子显微镜快速观察单层MoS2中的晶界
机译:外延双层MOS2晶格中的晶界诱导的应变和变形