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Charging effect at grain boundaries of MoS2

机译:MOS2晶界的充电效果

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摘要

Grain boundaries (GBs) are inherent extended defects in chemical vapor deposited (CVD) transition metal dichalcogenide (TMD) films. Characterization of the atomic structure and electronic properties of these GBs is crucial for understanding and controlling the properties of TMDs via defect engineering. Here, we report the atomic and electronic structure of GBs in CVD grown MoS2 on epitaxial graphene/SiC(0001). Using scanning tunneling microscopy/spectroscopy, we find that GBs mostly consist of arrays of dislocation cores, where the presence of mid-gap states shifts both conduction and valence band edges by up to 1 eV. Our findings demonstrate the first charging effect near GBs in CVD grown MoS2, providing insights into the significant impact GBs can have on materials properties.
机译:晶界(GBS)是化学气相沉积(CVD)过渡金属二甲烷(TMD)膜的固有的延长缺陷。 这些GBS的原子结构和电子性质的表征对于通过缺陷工程理解和控制TMD的性质至关重要。 在这里,我们在外延石墨烯/ SiC(0001)上报道了CVD生长MOS2中GBS的原子和电子结构。 使用扫描隧道显微镜/光谱学,我们发现GBS主要由位错核阵列组成,其中中间隙状态的存在将导通和价带边长到1eV。 我们的研究结果证明了CVD种植MOS2中GBS附近的第一个充电效果,为显着影响GBS提供了洞察力的洞察力。

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