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机译:脉冲I-V法测量分析MOS2 TFT中子间隙状态的分类和分类
Korea Univ Dept Appl Phys 2511 Sejongro Sejong 339700 South Korea;
Korea Univ Dept Appl Phys 2511 Sejongro Sejong 339700 South Korea;
Korea Adv Inst Sci &
Technol Sch Elect Engn Daejeon 34141 South Korea;
MoS2; TFT; pulse I-V; charge trapping;
机译:脉冲I-V法测量分析MOS2 TFT中子间隙状态的分类和分类
机译:具有亚间隙状态的纳米晶氧化物器件的脉冲I-V表征
机译:短脉冲I-V法定量分析石墨烯与SiO2界面的滞后反应
机译:通过脉冲I-V测量和相关的新陷阱模型研究GaN / A1GaN HEMT的快慢电荷陷阱机制
机译:通过脉冲光学检测的磁共振探测的半导体纳米晶体中的光学活性电荷陷阱和化学缺陷。
机译:电荷捕获在MOS2-SiO2接口上的影响对MOS2场效应晶体管的亚阈值摆动的稳定性
机译:缓冲俘获对GaN FET的电流减小和脉冲I-V曲线的影响分析