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机译:基于CMOS兼容HFO2的底电极对铁电隧道结的影响
Korea Univ Dept Appl Phys 2511 Sejongro Sejong 339700 South Korea;
Korea Adv Inst Sci &
Technol Dept Elect Engn 291 Daehakro Daejeon South Korea;
ferroelectric; hafnium oxide; ferroelectric tunnel junction; tunneling electroresistance; bottom electrode;
机译:基于CMOS兼容HFO2的底电极对铁电隧道结的影响
机译:具有铁电HFO2层的忆故者:在这种情况下,它是铁电隧道结
机译:有机铁电P(VDF-TrFE)基隧道结中隧道电阻的电极依赖性和开关稳定性
机译:原子界面对铁电HfO2隧道结中隧道势垒的影响
机译:基于HfO2的铁电隧道结的建模与实现
机译:Co2Fe6B2上下自由层结构之间基于MgO的垂直-电磁-隧道-结自旋阀的隧道-磁阻比比较
机译:巨电极效应对铁电隧道结中隧穿电阻的影响