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机译:通过在P-NIO / N-Si异质结光电二极管中插入内在的NIO层来提高紫外线至可见抑制比
Natl Chiayi Univ Dept Electrophys 300 Syuefu Rd Chiayi 60004 Taiwan;
Natl Chiayi Univ Dept Electrophys 300 Syuefu Rd Chiayi 60004 Taiwan;
heterojunction photodiodes; photodetector; NiO; rectification ratio;
机译:通过在P-NIO / N-Si异质结光电二极管中插入内在的NIO层来提高紫外线至可见抑制比
机译:P-NIO / N-ZnO异质结光电二极管,Mgzno / ZnO量子阱插入层
机译:高性能有机/无机杂交紫外线P-NIO / PVK / N- ZnO异质结光电二极管,具有聚(N-乙烯基咔唑)插入层
机译:通过沉积在N-Si的Ni氧化Ni氧化P-NiO / N-Si异质结二极管
机译:研究本征薄膜器件异质结的电子特性和纳米晶锗锗器件的缺陷密度分布。
机译:通过体-异质结电子传输层的合理设计增强了反钙钛矿型太阳能电池的近红外光响应。
机译:硫掺入在PTTEPE镍(P-NIO)对水氧化反应的氮氧化镍(N-Si)光电子的作用