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机译:六边形硼 - 氮单层中的点缺陷
选择的点缺陷为六方氮化硼的单层的综合理论研究( ħ -BN)被呈现。二维结构是通过大的 H ^ i>的-BN分子簇模拟,用来检查各种缺陷,例如:原子空位,原子取代,或六方晶格的畸变。由于碳污染是在 h非常常见 i>的-BN技术,特别的注意已经支付给碳杂质。 IR光谱的用于掺杂的分子簇的计算揭示的附加频率,这在许多情况下对应于缺陷结合的方式存在。特别地,当两个碳原子都彼此接近,具有高强度的局部拉伸C?C模式已发现,具有约100-200的频率值?厘米 -1 SUP>高于集体BN拉伸频率。吸收紫外可见从时间依赖密度泛函理论节目中获得的频谱,在几个低能量电子激发,从其中的一些是局部上的缺陷,而其他是离域的出现夹杂物的杂质的结果。这些激励的能量强烈地依赖于该缺陷的类型,和它们的范围从约0.7至6.1电子伏特的最低激发。基于紫外 - 可见光谱,我们建议几个人选可能是负责实验4 eV的色带。这些缺陷是由两个或四个相邻的碳原子和内置有最低的激发范围从3.9至4.8电子伏特,这是在所述缺陷强烈本地化。 p> abstract>
Faculty of ChemistryUniversity of WarsawWarsaw Poland;
Faculty of ChemistryUniversity of WarsawWarsaw Poland;
carbon defects; hexagonal boron nitride; TD‐DFT;
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