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机译:通过无掩模反应离子刻蚀生产的GaN纳米线的演变和特性
gallium nitride; reactive ion etching; nanowires; metal-organic vapour phase epitaxy; photoluminescence; transmission electron microscopy;
机译:通过无掩模反应离子刻蚀生产的GaN纳米线的演变和特性
机译:无掩模蚀刻在GaN纳米线上产生的GaN过度生长
机译:直接在反应离子刻蚀处理过的GaN表面上进行AlGaN的金属有机气相外延生长,以制备具有高电子迁移率(〜1500cm〜2V〜(-1)s〜(-1)的AlGaN / GaN异质结构:反应离子刻蚀的影响-损坏的层去除
机译:使用反应离子束刻蚀和化学辅助反应离子束刻蚀对GaN进行干法刻蚀
机译:GaN纳米线制造和单光子发射器装置应用的蚀刻工艺
机译:揭示金属辅助化学刻蚀过程中多孔硅纳米线的形态演变和刻蚀动力学
机译:通过无掩模反应离子蚀刻方法制造的具有增强的光学和热力学性质的纳米纹理表面