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机译:InGaAs量子阱作为可饱和吸收体的无源Q开关Yb〜(3 +):YCa_(4)O(BO_(3))_(3)激光器
机译:InGaAs量子阱作为可饱和吸收体的无源Q开关Yb〜(3 +):YCa_(4)O(BO_(3))_(3)激光器
机译:二极管泵浦Er〜(3 +):Yb〜(3 +):NaCe_(0.43)Gd_(0.57)(WO_4)_2脉冲激光通过Co〜(2 +):Mg_(0.4)Al_( 2.4)1.53μm的O_4饱和吸收体
机译:Yb〜(3 +):YCOB中的激光作用(Yb〜(3 +):YCa_(4)O(BO_(3))_(3))
机译:ER-YB的1.54微米的被动Q切换:GDCA_(4)O(BO_(3))_(3)激光器,具有CO:MGAL_(2)O_(4)可饱和吸收器。
机译:砷化铟/砷化镓量子点半导体可饱和吸收体,用于超短近红外激光器的无源锁模
机译:TiOxNy薄膜溅射在光纤球透镜上作为可饱和吸收剂用于被动调Q生成单波长/双波长Er-Yb双包层光纤激光器
机译:基于Ag纳米板的被动Q开关的YB掺杂的全光纤激光器如饱和吸收剂