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机译:线边缘粗糙度传递函数及其在确定EUV抗蚀剂表征中的掩模效应中的应用
Ultraviolet; Lithography; Exposure;
机译:线边缘粗糙度传递函数及其在确定EUV抗蚀剂表征中的掩模效应中的应用
机译:抗蚀剂侧壁形态对蚀刻过程中线边缘粗糙度降低和转移的影响:显影后的抗蚀剂侧壁是各向同性还是各向异性的?
机译:电阻图案中的线边缘粗糙度及其作为器件性能下降和变化的根源的可转移性分析
机译:仿真聚合物尺寸,酸扩散长度和EUV二次电子模糊对抗蚀剂线边缘粗糙度的综合影响
机译:下一代光刻的线边缘粗糙度研究:碳纳米管在数百纳米图案测量中的应用。
机译:EUV光刻胶的分子模型揭示了链构象对线边缘粗糙度形成的影响
机译:工作函数变化和线边缘粗糙度对TFET和FinFET器件以及32位CLa电路的影响