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Crystal Research and Technology: Journal of Experimental and Industrial Crystallography

Crystal Research and Technology: Journal of Experimental and Industrial Crystallography

ISSN：0232-1300
出版周期：-

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1.G. Harbeke, M. J. Schulz (Hrsg). Semiconductor silicon — material science and technology. Springer‐Verlag, Berlin, Heidelberg, New York, London, Paris, Tokyo, Hong Kong, 1989, 345 S., ca. 230 Abbildungen, DM 104.00, ISBN 3‐540‐51073‐7

机译：G. Harbeke，MJ Schulz（编辑）。半导体硅 — 材料科学与技术。施普林格出版社，柏林，海德堡，纽约，伦敦，巴黎，东京，香港，1989年，345页，约230幅插图，DM 104.00，ISBN 3-540-51073-7
- 作者：H. Reimer
- 期刊名称：《crystal research and technology》 | 1990年第6期
2.K.‐Th. Wilke, J. Bohm. Kristallzüchtung. VEB Deutscher Verlag der Wissenschaften, Berlin 1988, 641 Abb., 117 Tab., 1088 S., Preis 146,—M, ISBN 3‐326‐00092‐8

机译：K.‐Th.威尔克，J.伯姆。水晶拉扯。VEB Deutscher Verlag der Wissenschaften，柏林，1988 年，641 ills.，117 页，1088 页，定价 146，—M，ISBN 3‐326‐00092‐8
- 作者：G. Kötitz
- 期刊名称：《crystal research and technology》 | 1990年第6期
3.D. R. Salahub, M. C. Zerner (eds). The challenge of d and f electrons. Theory and computation. ACS symposium series 394. American Chemical Society, Washington, DC 1989, ISBN 0‐8412‐1628‐2, (ACS Symposium Series, ISSN 0065‐6156; 394), 405 Seiten, $ 107.95

机译：DR Salahub，MC Zerner（编辑）。d 和 f 电子的挑战。理论与计算。ACS 研讨会系列 394.美国化学学会，华盛顿特区，1989年，ISBN 0-8412-1628-2，（ACS研讨会系列，ISSN 0065-6156;394），405 Seiten，107.95美元
- 作者：J. Reinhold
- 期刊名称：《crystal research and technology》 | 1990年第6期
4.LPE growth and characterization of InP/InGaAsP ridge‐waveguide lasers at 1.3 μm‐wavelength

机译：1.3 μm波长下InP/InGaAsP脊波导激光器的LPE生长和表征
- 作者：V. Gottschalch;B. Rheinländer;G. OelgartH.‐G. BrühlW. BayerG. SchwarzK. Vogel
- 期刊名称：《crystal research and technology》 | 1990年第6期
5.Theoretical estimation of crystal growth driving force in slow cooling

机译：慢冷中晶体生长驱动力的理论估计
- 作者：C. J. W. Cheng Jingwei;W. Q. W. Wang Qiwei
- 期刊名称：《crystal research and technology》 | 1990年第6期
6.Studies on mixed transition metal dichalcogenide—electrolyte interfaces

机译：混合过渡金属硫族化物—电解质界面研究
- 作者：Gholam Hossein Yousefi
- 期刊名称：《crystal research and technology》 | 1990年第6期
7.On entropical structure measures in the five two‐dimensional bravais lattices

机译：关于五个二维bravais晶格中的热带结构测量
- 作者：D. Leuschner
- 期刊名称：《crystal research and technology》 | 1990年第6期
8.Observation of the boundary layer on the top of ice growing from melt

机译：观察融化后生长的冰顶部的边界层
- 作者：M. J. Krasinski;D. Michalski;J. Karniewicz
- 期刊名称：《crystal research and technology》 | 1990年第6期
9.Calculations of homogeneous region in Ga1−xAlxAs and GaAs1−xPxternary solid solutions

机译：Ga1−xAlxAs和GaAs1−xPx三元固溶体中均匀面积的计算
- 作者：A. I. Ivashchenko;F. Ya. Kopanskaya;V. P. Tarchenko
- 期刊名称：《crystal research and technology》 | 1990年第6期
10.Comparative infrared lattice vibration study of LiGaO2and LiInO2(II). Interatomic force constants

机译：LiGaO2和LiInO2（II）的红外晶格振动比较研究.原子间力常数
- 作者：H. Neumann
- 期刊名称：《crystal research and technology》 | 1990年第6期
11.Dislocation density in heteroepitaxial indium arsenide layers

机译：异质外延砷化铟层中的位错密度
- 作者：E. P. Trifonova;L. Hitova
- 期刊名称：《crystal research and technology》 | 1990年第6期
12.Properties of lithium niobate. EMIS datareviews series no. 5. INSPEC, The Institution of Electrical Engineers, London and New York 1989, 364 S., 99 Tab., ISBN 0‐85296‐482X

机译：铌酸锂的性质。EMIS数据评论系列第5号。INSPEC，电气工程师学会，伦敦和纽约，1989 年，364 S.，99 Tab.，ISBN 0‐85296‐482X
- 作者：G. Kötitz
- 期刊名称：《crystal research and technology》 | 1990年第6期
13.Thermally stimulated luminescence of Cubic Bi4Ge3O12

机译：立方Bi4Ge3O12的热激发发光
- 作者：K. Somaiah;A. Scacco;M. Venkatanarayana
- 期刊名称：《crystal research and technology》 | 1990年第6期
14.X‐ray investigation on GaAlAs/GaAs epilayers bending at temperatures 77–750 K

机译：GaAlAs/GaAs外延层在77–750 K温度下弯曲的X射线研究
- 作者：M. Leszczynski
- 期刊名称：《crystal research and technology》 | 1990年第6期
15.Structural characterization of alumina‐supported nickel molybdena catalysts

机译：氧化铝负载镍钼催化剂的结构表征
- 作者：Z. Sarbak
- 期刊名称：《crystal research and technology》 | 1990年第6期
16.Experimental determination of the fracture toughness of CdTe

机译：CdTe断裂韧性的实验测定
- 作者：B. Wermke;M. Petzold
- 期刊名称：《crystal research and technology》 | 1990年第6期
17.B. G. Hyde, S. Andersson. Inorganic crystal structures. John WileySons. New York–Chichester—Brisbane—Toronto—Singapore 1989. XVIII + 430 p. £ 41.55. ISBN 0‐471‐62897‐2

机译：BG海德，S.安德森。无机晶体结构。约翰·威利父子。纽约-奇切斯特-布里斯班-多伦多-新加坡，1989年。XVIII + 430 页码 41.55 英镑。国际标准书号0-471-62897-2
- 作者：P. Paufler
- 期刊名称：《crystal research and technology》 | 1990年第6期
18.Yves I. Nissim, Emmanuel Rosencher (eds). Heterostructures on silicon: One step further with silicon. NATO ASI Series, Series E: Applied sciences — vol. 160. Kluwer Academic Publishers, Dordrecht/Boston/London 1989, 362 Seiten, 254 Abbildungen, Dfl. 220.00, US $ 119.00, ISBN 0‐7923‐0124‐2

机译：Yves I. Nissim，Emmanuel Rosencher（编辑）。硅上的异质结构：硅更进一步。北约 ASI 系列，E 系列：应用科学 — 第 160 卷。Kluwer Academic Publishers， Dordrecht/Boston/London 1989， 362 Seiten， 254 Abbildungen， Dfl. 220.00， US $ 119.00， ISBN 0‐7923‐0124‐2
- 作者：W. Seifert
- 期刊名称：《crystal research and technology》 | 1990年第6期
19.Growth and microstructural studies of some indium chalcopyrite semiconductors

机译：一些黄铜矿铟半导体的生长和微观结构研究
- 作者：K. Balakrishnan;B. Vengatesan;N. KanniahP. Ramasamy
- 期刊名称：《crystal research and technology》 | 1990年第6期
20.Crystal growth and physical properties of monoclinic L‐arginine hydrochloride monohydrate, C6H14O2N4HCl · H2O, and L‐arginine hydrobromide monohydrate, C6H14O2N4HBr · H2O

机译：单斜晶系L-精氨酸盐酸盐一水合物的晶体生长及物理性质， C6H14O2N4HCl ·H2O和L-精氨酸氢溴酸盐一水合物，C6H14O2N4HBr ·H2O（英语：H2O）
- 作者：S. Haussühl;J. Chrosch;F. GnanamE. FiorentiniK. ReckerF. Wallrafen
- 期刊名称：《crystal research and technology》 | 1990年第6期
21.Effect of temperature on dielectric properties of SnO2/Sb2O3mixed thin films

机译：温度对SnO2/Sb2O3混合薄膜介电性能的影响
- 作者：J. Siva Kumar;K. V. Styatanarayana Rao;U. V. Subba Rao
- 期刊名称：《crystal research and technology》 | 1990年第6期
22.On the enhanced growth rates at the reentrant corners of twins

机译：关于双胞胎折返角的生长速度增强
- 作者：P. B. V. Prasad
- 期刊名称：《crystal research and technology》 | 1990年第6期
23.Optical absorption spectra of magnesium‐implanted GaP

机译：镁植入GaP的光学吸收光谱
- 作者：W. Hörig;Kh. Bouamama;H. NeumannM. J. Nobes
- 期刊名称：《crystal research and technology》 | 1990年第6期
24.Thermochemical analysis of native point defects and substitutional carbon and boron in GaAs crystal growth

机译：砷化镓晶体生长中天然点缺陷和取代碳硼的热化学分析
- 作者：H. Wenzl;K. Mika;D. Henkel
- 期刊名称：《crystal research and technology》 | 1990年第6期

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