摘要:本文主要介绍了CdSe薄膜的制备及其光学特性的国内外研究现状及进展。作为一种II-VI族化合物半导体薄膜,CdSe一直是国内外研究发展的热点。在CdSe薄膜的制备过程中,不同的制备方法都会对其性能有较大影响,因此有必要选择合适的制备方法来进行性能的优化和取舍选择。近年来,人们发展了各种技术制备CdSe薄膜,但现有的研究主要集中在使用电化学方法制备CdSe薄膜以及在使用电化学方法时如何避免生成不稳定的立方相,即闪锌矿,直接生成稳定的六边形相,即纤锌矿,而关于物理方法尤其是真空热蒸发技术的CdSe镀膜技术及该制备方法下其成膜效果和光学特性等方面的报道较少。随着真空热蒸发技术的不断成熟,其真空度要求高的技术缺点和成本高的缺点正在不断被弥补,而其制膜纯度高、生产效率高的优点越发明显。同时研究发现在真空热蒸发技术下制备的CdSe膜具有更优良的光学特性,这将为CdSe薄膜将来的广泛制备和推广使用创造显著的有利条件。