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Design and Process Integration for Microelectronic Manufacturing IV
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1.
The Use of Process Models to Enhance Device Performance through Semiconductor Design
机译:
使用工艺模型通过半导体设计提高器件性能
作者:
Lawrence S. Melvin III
;
Daniel Zhang
会议名称:
《Design and Process Integration for Microelectronic Manufacturing IV》
|
2006年
关键词:
design rule check;
process model;
2.
Self-Compensating Design for Reduction of Timing and Leakage Sensitivity to Systematic Pattern Dependent Variation
机译:
自补偿设计可减少对系统模式相关变化的时序和泄漏敏感性
作者:
Puneet Gupta
;
rew B. Kahng
;
Youngmin Kim
;
Dennis Sylvester
会议名称:
《Design and Process Integration for Microelectronic Manufacturing IV》
|
2006年
关键词:
ACLV;
focus;
leakage;
manufacturability;
self-compensating;
variation;
systematic;
3.
Lithography Window Check before Mask Tape-out in Sub 0.18um Technology
机译:
Sub 0.18um技术中的掩膜流片之前的光刻窗口检查
作者:
Mark Lu
;
Dion King
;
Flora Li
;
Zhibiao Mao
;
Curtis Liang
;
Lawrence S. Melvin III
会议名称:
《Design and Process Integration for Microelectronic Manufacturing IV》
|
2006年
关键词:
lithography rule check;
LRC;
weak points;
layout;
OPC;
4.
Patterning with spacer for expanding the resolution limit of current lithography tool
机译:
使用间隔物进行图案化以扩展当前光刻工具的分辨率极限
作者:
Woo-Yung Jung
;
Choi-Dong Kim
;
Jae-Doo Eom
;
Sung-Yoon.Cho
;
Sung-Min Jeon
;
Jong-Hoon Kim
;
Jae-In Moon
;
Byung-Seok Lee
;
Sung-Ki Park
会议名称:
《Design and Process Integration for Microelectronic Manufacturing IV》
|
2006年
关键词:
double exposure;
nitride spacer;
CMP;
nitride strip;
5.
Maximization of Layout Printability/Manufacturability by Extreme Layout Regularity
机译:
通过极大的版面规则性最大化版面可印刷性/可制造性
作者:
Tejas Jhaveri
;
Larry Pileggi
;
Vyacheslav Rovner
;
rzej J. Strojwas
会议名称:
《Design and Process Integration for Microelectronic Manufacturing IV》
|
2006年
关键词:
regularity;
lithography friendly designs;
RET compliant designs;
DFM;
6.
Meeting critical gate linewidth control needs at the 65 nm node
机译:
满足65 nm节点的关键栅极线宽控制需求
作者:
Arpan Mahorowala
;
Scott Halle
;
Allen Gabor
;
William Chu
;
Alexra Barbaret
;
Donald Samuels
;
Amr Abdo
;
Len Tsou
;
Wendy Yan
;
Seiji Iseda
;
Kaushal Patel
;
Bachir Dirahoui
;
Asuka Nomura
;
Ishtiaq Ahsan
;
Faisal Azam
;
Gary Berg
;
rew Brendler
会议名称:
《Design and Process Integration for Microelectronic Manufacturing IV》
|
2006年
关键词:
ACLV;
CMV;
critical dimension control;
ANOVA;
linewidth control;
immersion lithography;
wetting time;
pattern density;
systematic CD variation;
random CD variation;
proximity;
orientation;
topography;
site-to-site;
7.
Experimental Verification of Improved Printability for Litho-Driven Designs
机译:
光刻驱动设计的改进可印刷性的实验验证
作者:
Johannes van Wingerden
;
Laurent Le Cam
;
Rene Wientjes
;
Michael Benndorf
;
Yorick Trouiller
;
Jerome Belledent
;
Rob Morton
;
Yuri Aksenov
会议名称:
《Design and Process Integration for Microelectronic Manufacturing IV》
|
2006年
关键词:
optical lithography;
design for manufacturing;
litho driven design;
fixed pitch design;
low k_1;
8.
From Poly Line to Transistor: Building BSIM Models for Non-Rectangular Transistors
机译:
从折线到晶体管:为非矩形晶体管建立BSIM模型
作者:
Wojtek J. Poppe
;
Luigi Capodieci
;
Joanne Wu
;
rew Neureuther
会议名称:
《Design and Process Integration for Microelectronic Manufacturing IV》
|
2006年
9.
Development of Hot Spot Fixer (HSF)
机译:
热点修复剂(HSF)的开发
作者:
Toshiya Kotani
;
Suigen Kyoh
;
Sachiko Kobayashi
;
Takatoshi Inazu
;
Atsuhiko Ikeuchi
;
Yukihiro Urakawa
;
Soichi Inoue
;
Etsuya Morita
;
Simon klaver
;
Takumi Horiuchi
;
Johan Peeters
;
Satoshi Kuramoto
会议名称:
《Design and Process Integration for Microelectronic Manufacturing IV》
|
2006年
关键词:
DfM;
OPC;
RET;
lithography compliance check (LCC);
hot spot fixing (HSF);
hot spot;
10.
Diblock Copolymer Directed Self-Assembly for CMOS Device Fabrication
机译:
用于CMOS器件制造的二嵌段共聚物定向自组装
作者:
Li-Wen Chang
;
H.-S. Philip Wong
会议名称:
《Design and Process Integration for Microelectronic Manufacturing IV》
|
2006年
关键词:
self-assembly;
diblock copolymer;
CMOS fabrication;
11.
DFM: A Practical Layout Optimization Procedure for the Improved Process Window for an Existing 90-nm Product
机译:
DFM:一种针对现有90 nm产品的改进工艺窗口的实用布局优化程序
作者:
Jonathan Ho
;
Yan Wang
;
Ya-Ching Hou
;
Benjamin Szu-Min Lin
;
Chun Chi Yu
;
Kechih Wu
;
Cliff Ma
会议名称:
《Design and Process Integration for Microelectronic Manufacturing IV》
|
2006年
关键词:
DFM;
OPC;
MEEF;
lithography;
12.
DFM requirements and solution Roadmaps: The Multi-Layer Approach
机译:
DFM要求和解决方案路线图:多层方法
作者:
Juan Antonio Carballo
;
Sani Nassif
会议名称:
《Design and Process Integration for Microelectronic Manufacturing IV》
|
2006年
关键词:
semiconductor;
roadmap;
manufacturing;
variability;
electronic;
design;
13.
Design-Friendly DFM Rule
机译:
设计友好的DFM规则
作者:
Morimi Osawa
;
Takayoshi Minami
;
Hiroki Futatsuya
;
Satoru Asai
会议名称:
《Design and Process Integration for Microelectronic Manufacturing IV》
|
2006年
关键词:
DFM;
preferred rule;
recommended rule;
litho-friendly design;
standard cell;
gate length variation;
14.
CD Analysis of Advanced Photolithography and Its Impact on Critical Design Structures
机译:
高级光刻的CD分析及其对关键设计结构的影响
作者:
Karla A. Romero
;
Rolf Seltmann
;
Gert Burbach
;
Rolf Stephan
;
Joerg Paufler
;
David Greenlaw
会议名称:
《Design and Process Integration for Microelectronic Manufacturing IV》
|
2006年
关键词:
CD variation;
lens aberration;
matched pairs;
transistor pairs;
15.
A Genuine Design Manufacturability Check for Designers
机译:
面向设计师的正版设计可制造性检查
作者:
Philippe Hurat
;
Michel Cote
;
Chi-Ming Tsai
;
Joe Brenburg
会议名称:
《Design and Process Integration for Microelectronic Manufacturing IV》
|
2006年
16.
A Heuristic Method for Statistical Digital Circuit Sizing
机译:
统计数字电路规模的启发式方法
作者:
Stephen Boyd
;
Seung-Jean Kim
;
Dinesh Patil
;
Mark Horowitz
会议名称:
《Design and Process Integration for Microelectronic Manufacturing IV》
|
2006年
关键词:
design for manufacturing;
design for yield;
statistical circuit sizing;
17.
A high aspect ratio Si-fin FinFET fabricated with 193nm scanner photolithography and thermal oxide hard mask etching techniques
机译:
采用193nm扫描仪光刻和热氧化物硬掩模蚀刻技术制造的高纵横比Si-fin FinFET
作者:
Wen-Shiang Liao
会议名称:
《Design and Process Integration for Microelectronic Manufacturing IV》
|
2006年
关键词:
vertical double gate MOSFET;
FinFET;
Si-fin;
193nm photolithography;
capping oxide;
hard mask etching;
18.
Considerations of Model Based OPC verification for sub-70nm Memory Device
机译:
70纳米以下存储设备基于模型的OPC验证的注意事项
作者:
Cheol-Kyun Kim
;
Jae-Seung Choi
;
Byung-Ho Nam
;
DongGyu Yim
会议名称:
《Design and Process Integration for Microelectronic Manufacturing IV》
|
2006年
关键词:
model -based OPC verification (MBV);
low-k process;
19.
Fast Lithography Simulation under Focus Variations for OPC and Layout Optimizations
机译:
用于OPC和布局优化的焦点变化下的快速光刻仿真
作者:
Peng Yu
;
David Z. Pan
;
Chris A. Mack
会议名称:
《Design and Process Integration for Microelectronic Manufacturing IV》
|
2006年
关键词:
model based OPC;
process variation;
depth-of-focus;
fast lithography simulation;
20.
Towards DFM : Process Worthy Design and OPC through Verification Method using MEEF, TF-MEEF and MTT
机译:
迈向DFM:通过使用MEEF,TF-MEEF和MTT的验证方法进行有价值的设计和OPC处理
作者:
In-Sung Kim
;
Sungsoo Sun
;
Sunggon Jung
;
Eunmi Lee
;
Young-Seog Kang
;
Sukjoo Lee
;
Sang-Gyun Woo
;
HanKu Cho
会议名称:
《Design and Process Integration for Microelectronic Manufacturing IV》
|
2006年
关键词:
DFM;
OPC;
design;
verification;
MEEF;
TF-MEEF;
MTT;
photomask;
21.
Simple method to verify OPC data based on exposure condition
机译:
根据曝光条件验证OPC数据的简单方法
作者:
James Moon
;
Young-Bae Ahn
;
Sey-Young Oh
;
Byung-Ho Nam
;
Dong Gyu Yim
会议名称:
《Design and Process Integration for Microelectronic Manufacturing IV》
|
2006年
关键词:
OPC;
verification;
exposure;
illumination;
22.
Through-process modeling in a DfM environment
机译:
DfM环境中的全过程建模
作者:
Scott Mansfield
;
Geng Han
;
IBM Microelectronics
会议名称:
《Design and Process Integration for Microelectronic Manufacturing IV》
|
2006年
关键词:
design for manufacturability (DfM);
through-process models;
process window;
optical proximity correction (OPC);
resolution enhancement techniques (RET);
23.
The nanotech impact on IC processing: near and long term
机译:
纳米技术对集成电路加工的影响:近期和长期
作者:
John N. Rall
;
Richard Stallcup
;
Taylor Cavanah
会议名称:
《Design and Process Integration for Microelectronic Manufacturing IV》
|
2006年
关键词:
nanotechnology;
transistor testing;
atomic layer epitaxy;
Si-Ge;
atomically precise manufacturing;
24.
RET for the Wiring Layer of A 3-D Memory
机译:
RET,用于3-D存储器的布线层
作者:
Yung-Tin (Tim) Chen
;
Paul Poon
;
Chris Petti
;
Vishnu Kamat
;
Apo Sezginer
;
Hsu-Ting Huang
会议名称:
《Design and Process Integration for Microelectronic Manufacturing IV》
|
2006年
关键词:
sub-resolution;
RET;
OPC;
clear assist;
25.
Reducing DfM to Practice: the Lithography Manufacturability Assessor
机译:
减少DfM的实践:石版制造能力评估师
作者:
Lars Liebmann
;
Scott Mansfield
;
Geng Han
;
James Culp
;
Jason Hibbeler
;
Roger Tsai
会议名称:
《Design and Process Integration for Microelectronic Manufacturing IV》
|
2006年
关键词:
design for manufacturability (DfM);
resolution enhancement techniques (RET);
critical area analysis (CAA);
quantifying manufacturability;
lithography manufacturability assessor;
26.
Improving Model-Based OPC Performance for sub-60nm devices Using real source optical model
机译:
使用真实光源光学模型为60nm以下的器件提高基于模型的OPC性能
作者:
Sunggon Jung
;
In-Sung Kim
;
Young-Seog Kang
;
Gi-Sung Yeo
;
Sang-Gyun Woo
;
HanKu Cho
;
Joo-Tae Moon
会议名称:
《Design and Process Integration for Microelectronic Manufacturing IV》
|
2006年
关键词:
model-based OPC;
real source;
modeling;
27.
Marching to the beat of Moore's Law
机译:
迈向摩尔定律的步伐
作者:
Yan Borodovsky
会议名称:
《Design and Process Integration for Microelectronic Manufacturing IV》
|
2006年
28.
Accurate OPC model generation through use of a streamlined data flow incorporating automated test-structure layout and CD-SEM recipe generation
机译:
通过使用简化的数据流并结合自动测试结构布局和CD-SEM配方生成,可以精确生成OPC模型
作者:
Mary Coles
;
Lewis Flanagin
;
Ben Rathsack
;
Steve Prins
;
James Blatchford
会议名称:
《Design and Process Integration for Microelectronic Manufacturing IV》
|
2006年
关键词:
CD-SEM;
OPC;
pattern matching;
SEM image analysis;
edge placement error;
automatic recipe generation;
29.
Call for an Industry Standard for Pattern Transfer Models for Usage in OPC and Design for Manufacturability
机译:
呼吁为OPC中使用的图案转移模型和可制造性设计制定行业标准
作者:
Thomas Roessler
;
Wolfgang Grimm
;
Joerg Thiele
会议名称:
《Design and Process Integration for Microelectronic Manufacturing IV》
|
2006年
关键词:
OPC;
lithography;
DFM;
RET;
yield;
design;
models;
pattern transfer;
simulation;
standardization;
30.
Hot Spot Management in Ultra-low k_1 Lithography
机译:
超低k_1光刻中的热点管理
作者:
Kohji Hashimoto
;
Satoshi Usui
;
Shigeki Nojima
;
Satoshi Tanaka
;
Eiji Yamanaka
;
Soichi Inoue
会议名称:
《Design and Process Integration for Microelectronic Manufacturing IV》
|
2006年
关键词:
hot spot management;
ultra-low k_1 lithography;
hot spot reduction;
hot spot extraction;
hot spot monitoring;
31.
Using design intent to qualify and control lithography manufacturing
机译:
使用设计意图来限定和控制光刻制造
作者:
Jim Vasek
;
Bill Wilkinson
;
Al Reich
;
Cesar Garza
;
Joyce Zhao
;
Jim Wiley
;
Moshe Poyastro
;
Brian Troy
;
Youval Nehmadi
;
Zamir Abraham
会议名称:
《Design and Process Integration for Microelectronic Manufacturing IV》
|
2006年
关键词:
full-chip modeling;
simulation;
GDS-II;
OPC;
hot spot;
CD SEM;
process control;
process window;
32.
The Use of Optical Proximity Correction to compensate for reflectivity differences in N type and P type Poly-silicon
机译:
使用光学邻近校正来补偿N型和P型多晶硅中的反射率差异
作者:
Lawrence S. Melvin III
;
Jensheng Huang
会议名称:
《Design and Process Integration for Microelectronic Manufacturing IV》
|
2006年
关键词:
optical proximity correction;
reflectivity differences in N-type and P-type polysilicon;
33.
The Influence of Calibration Pattern Coverage for Lumped Parameter Resist Models on OPC Convergence
机译:
集总参数抵抗模型的标定图案覆盖率对OPC收敛的影响
作者:
Martin Niehoff
;
Shumay Shang
;
Olivier Toublan
会议名称:
《Design and Process Integration for Microelectronic Manufacturing IV》
|
2006年
关键词:
VT5;
parameter space coverage;
OPC;
lumped parameter resist model;
34.
Silicon IP Reuse Standards for Design For Manufacturability
机译:
可制造性设计的Silicon IP重用标准
作者:
Juan Antonio Carballo
;
Savithri Sundareswaran
会议名称:
《Design and Process Integration for Microelectronic Manufacturing IV》
|
2006年
关键词:
design;
IP;
manufacturability;
standards;
reuse;
35.
Platform for Collaborative DFM
机译:
协作DFM平台
作者:
Wojtek J. Poppe
;
Luigi Capodieci
;
rew Neureuther
会议名称:
《Design and Process Integration for Microelectronic Manufacturing IV》
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2006年
36.
Sequential PPC and process-window-aware mask layout synthesis
机译:
顺序PPC和过程窗口感知的掩模布局综合
作者:
Apo Sezginer
;
Franz X. Zach
;
Bayram Yenikaya
;
Jesus Carrero
;
Hsu-Ting Huang
会议名称:
《Design and Process Integration for Microelectronic Manufacturing IV》
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2006年
37.
Reticle Enhancement Verification for the 65nm and 45nm Nodes
机译:
65nm和45nm节点的光罩增强验证
作者:
Kevin Lucas
;
Kyle Patterson
;
Robert Boone
;
Corinne Miramond
;
Amine Borjon
;
Jerome Belledent
;
Olivier Toublan
;
Jorge Entradas
;
Yorick Trouiller
会议名称:
《Design and Process Integration for Microelectronic Manufacturing IV》
|
2006年
关键词:
OPC;
RET;
lithography;
verification;
38.
Improving Asymmetric Printing and Low Margin Using Custom Illumination for Contact Hole Lithography
机译:
使用定制照明的接触孔光刻技术改善不对称印刷和低利润率
作者:
Scott Jessen
;
Mark Terry
;
Mark Mason
;
Sean OBrien
;
Robert Soper
;
Willie Yarbrough
;
Thomas Wolf
会议名称:
《Design and Process Integration for Microelectronic Manufacturing IV》
|
2006年
关键词:
contact hole;
low-k1 imaging;
Arf;
39.
Impact of Process Variation on 65nm Across-Chip Linewidth Variation
机译:
工艺变化对65nm跨芯片线宽变化的影响
作者:
Le Hong
;
Travis Brist
;
Pat LaCour
;
John Sturtevant
;
Martin Niehoff
;
Philipp Niedermaier
会议名称:
《Design and Process Integration for Microelectronic Manufacturing IV》
|
2006年
关键词:
OPC;
ACLV;
CD variation;
gate;
verification;
40.
Implementation of Adaptive Site Optimization in Model-based OPC for Minimizing Ripples
机译:
在基于模型的OPC中实现自适应站点优化以最小化波纹
作者:
M. Bahnas
;
M. Al-Imam
;
A. Seoud
;
P. LaCour
;
H.F. Ragai
会议名称:
《Design and Process Integration for Microelectronic Manufacturing IV》
|
2006年
关键词:
model based OPC;
ripples;
fragmentation;
site placement;
optical proximity correction;
41.
Layout Rule Trends and Affect upon CPU Design
机译:
布局规则趋势及其对CPU设计的影响
作者:
Clair Webb
会议名称:
《Design and Process Integration for Microelectronic Manufacturing IV》
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2006年
关键词:
litho-friendly design(LFD);
design rules trends;
layout;
circuit and process interaction;
gridded layout;
42.
Layout Verification and Optimization Based on Flexible Design Rules
机译:
基于灵活设计规则的布局验证和优化
作者:
Jie Yang
;
Luigi Capodieci
;
Dennis Sylvester
会议名称:
《Design and Process Integration for Microelectronic Manufacturing IV》
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2006年
关键词:
design rule manual;
resolution enhancement techniques;
optical proximity correction;
design for manufacturing;
restricted design rules;
43.
Lithography oriented DfM for 65nm and beyond
机译:
面向光刻的65nm及更高的DfM
作者:
S. Kyoh
;
T. Kotani
;
S. Kobayashi
;
A. Ikeuchi
;
S. Inoue
会议名称:
《Design and Process Integration for Microelectronic Manufacturing IV》
|
2006年
关键词:
DfM;
design rule;
hot spot fixing;
layout modification;
44.
Modeling of Non-Uniform Device Geometries for Post-Lithography Circuit Analysis
机译:
用于光刻后电路分析的非均匀器件几何模型
作者:
Puneet Gupta
;
rew Kahng
;
Youngmin Kim
;
Saumil Shah
;
Dennis Sylvester
会议名称:
《Design and Process Integration for Microelectronic Manufacturing IV》
|
2006年
关键词:
non-rectilinear gates;
line edge roughness;
narrow-width effect;
TCAD verification;
45.
Lithography Simulation-Based Full-Chip Design Analyses
机译:
基于光刻模拟的全芯片设计分析
作者:
Puneet Gupta
;
rew B. Kahng
;
Sam Nakagawa
;
Saumil Shah
;
Puneet Sharma
会议名称:
《Design and Process Integration for Microelectronic Manufacturing IV》
|
2006年
关键词:
lithography simulation;
post-OPC;
analysis;
verification;
46.
OPC to Improve Lithographic Process Window
机译:
OPC改善光刻工艺窗口
作者:
James Word
;
Kyohei Sakajiri
会议名称:
《Design and Process Integration for Microelectronic Manufacturing IV》
|
2006年
关键词:
OPC;
DOF;
RET;
DFM;
process window;
47.
Optimal Segmentation of Polygon Edges
机译:
多边形边缘的最佳分割
作者:
Apo Sezginer
;
Bayram Yenikaya
;
Hsu-Ting Huang
;
Vishnu Kamat
;
Yung-Tin Chen
会议名称:
《Design and Process Integration for Microelectronic Manufacturing IV》
|
2006年
48.
Modeling Edge Placement Error Distribution in Standard Cell Library
机译:
在标准单元库中建模边缘放置误差分布
作者:
Puneet Gupta
;
rew B. Kahng
;
Swamy V. Muddu
;
Sam Nakagawa
会议名称:
《Design and Process Integration for Microelectronic Manufacturing IV》
|
2006年
关键词:
standard cells;
EPE;
lithography simulation;
modeling;
49.
Full-chip lithography manufacturability check for yield improvement
机译:
全芯片光刻可制造性检查,以提高成品率
作者:
Yongfa Huang
;
Edward Tseng
;
Benjamin Szu-Min Lin
;
Chun Chi Yu
;
Chien-Ming Wang
;
Hua-Yu Liu
会议名称:
《Design and Process Integration for Microelectronic Manufacturing IV》
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2006年
关键词:
process window;
mask error enhancement factor (MEEF);
lithography manufacturability;
model accuracy;
lithography simulation;
process window modeling;
50.
High Accurate Hybrid-OPC Method for sub-60nm Memory Device
机译:
用于60nm以下存储器件的高精度Hybrid-OPC方法
作者:
Hyoung-Soon Yune
;
Cheol-Kyun Kim
;
Yeong-Bae Ahn
;
Byung-Ho Nam
;
Donggyu Yim
会议名称:
《Design and Process Integration for Microelectronic Manufacturing IV》
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2006年
关键词:
new hybrid-OPC method;
model-residual-error;
MRE;
51.
Annotated Layout Optimization
机译:
带注释的布局优化
作者:
Joerg Thiele
;
Roderick Koehle
会议名称:
《Design and Process Integration for Microelectronic Manufacturing IV》
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2006年
关键词:
design for manufacturability;
DfM;
optical proximity correction;
OPC;
resolution enhancement techniques;
RET;
52.
Challenges and Solutions for Trench Lithography beyond 65nm Node
机译:
65纳米节点以上的沟槽光刻技术面临的挑战和解决方案
作者:
Zhijian (George) Lu
;
Chi-Chien Ho
;
Mark Mason
;
rew erson
;
Ry Mckee
;
Ricky Jackson
;
Cynthia Zhu
;
Mark Terry
会议名称:
《Design and Process Integration for Microelectronic Manufacturing IV》
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2006年
关键词:
model-based OPC;
systematic defects;
process rules;
65nm node;
DFM;
dummy metal fill;
design rules;
full-chip simulation;
BEOL;
53.
Across Field CD Control Improvement for Critical Level Imaging: New Applications for Layout Correction and Optimization
机译:
用于临界水平成像的跨域CD控制改进:布局校正和优化的新应用
作者:
Franz Zach
;
Goekhan Percin
;
Apo Sezginer
会议名称:
《Design and Process Integration for Microelectronic Manufacturing IV》
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2006年
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