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1.
The microstructure of NiInW contacts on GaAs
机译:
GaAs上NiInW触头的微观结构
作者:
F Glas
;
P Henoc
;
G Le Roux
;
C Dubon-Chevallier
会议名称:
《Microscopy of semiconducting materials 1991》
|
1991年
2.
A TEM and SIMS study of Ti/Pd/Au ohmic contacts to p-type GaAs layers for AlGaAs/GaAs heterojunction bipolar transistors
机译:
用于AlGaAs / GaAs异质结双极晶体管的p型GaAs层的Ti / Pd / Au欧姆接触的TEM和SIMS研究
作者:
B M Henry
;
A E Staton-Bevan
;
M A Crouch
;
S S Gill
会议名称:
《Microscopy of semiconducting materials 1991》
|
1991年
3.
Electrical and interfacial characteristics of NiAs-GaAs, NiAs/Ge/ n-GaAs and Ge/NiAs-GaAs structures
机译:
NiAs / n-GaAs,NiAs / Ge / n-GaAs和Ge / NiAs / n-GaAs结构的电和界面特性
作者:
RS Rai
;
S Mahajan
;
JP Harbison
;
T Sands
;
M Genut
;
TL Cheeks
;
VG Keramidas
会议名称:
《Microscopy of semiconducting materials 1991》
|
1991年
4.
In situ TEM studies of the nature of precipitates in preliminary thermal annealing-induced colonies in Cz-silicon crystal
机译:
Cz硅晶体中初步热退火诱导的菌落中沉淀物性质的原位TEM研究
作者:
L M Sorokin
;
G N Mosina
会议名称:
《Microscopy of semiconducting materials 1991》
|
1991年
5.
High resolution imaging of twin intersections in Si/Ge superlattices on Ge(001) substrates
机译:
Ge(001)衬底上Si / Ge超晶格中双相交的高分辨率成像
作者:
W Wegscheider
;
K Eberl
;
G Abstreiter
;
H Cerva
;
H Oppolzer
会议名称:
《Microscopy of semiconducting materials 1991》
|
1991年
6.
Point-to-point resolution in X-ray microanalysis of thin coatings in the energy range 20-100keV
机译:
能量范围为20-100keV的薄涂层X射线显微分析的点对点分辨率
作者:
A G Nassiopoulos
;
E Valamontes
会议名称:
《Microscopy of semiconducting materials 1991》
|
1991年
7.
Three dimensional visualisation of semiconductor multi-quantum well interfaces
机译:
半导体多量子阱接口的三维可视化
作者:
R A D Mackenzie
;
A Cerezo
;
C R M Grovenor
会议名称:
《Microscopy of semiconducting materials 1991》
|
1991年
8.
Atom probe analysis of Au/GaAs and Ag/GaAs interfaces
机译:
Au / GaAs和Ag / GaAs界面的原子探针分析
作者:
Qiu-Hong Hu
;
Anders Kvist
;
Hans-Olof Andren
会议名称:
《Microscopy of semiconducting materials 1991》
|
1991年
9.
Formation of disordered regions in atomically ordered GaInP/AlGaInP heterostructures
机译:
原子有序GaInP / AlGaInP异质结构中无序区的形成
作者:
R F Broom
;
W Heuberger
;
P Unger
;
P Roentgen
会议名称:
《Microscopy of semiconducting materials 1991》
|
1991年
10.
Phase separation and associated defects in MBE InAs_ySb_(1-y) epitaxial layers
机译:
MBE InAs_ySb_(1-y)外延层中的相分离和相关缺陷
作者:
T-Y Seong
;
A G Norman
;
J L Hutchison
;
I T Ferguson
;
G R Booker
;
R A Stradling
;
B A Joyce
会议名称:
《Microscopy of semiconducting materials 1991》
|
1991年
11.
Overgrowth of GaAs/AlGaAs layers on patterned surfaces
机译:
图案化表面上GaAs / AlGaAs层的过度生长
作者:
Y X Guo
;
S Andersen
;
R Hoier
;
K Johannesen
会议名称:
《Microscopy of semiconducting materials 1991》
|
1991年
12.
Can stereo-EBIC images provide useful information?
机译:
立体EBIC图像可以提供有用的信息吗?
作者:
A Bergonzoni
;
U Valdre
会议名称:
《Microscopy of semiconducting materials 1991》
|
1991年
13.
Convergent beam diffraction and microscopy of single and multiple quantum well structures
机译:
单和多量子阱结构的会聚束衍射和显微镜
作者:
D Cherns
会议名称:
《Microscopy of semiconducting materials 1991》
|
1991年
14.
Accurate determination of local multilayer period from zone-axis conventional CBED patterns
机译:
从区域轴常规CBED模式准确确定局部多层周期
作者:
H Gong
;
F W Schapink
会议名称:
《Microscopy of semiconducting materials 1991》
|
1991年
15.
Electron microscopical characterisation of the structural and electrical homogeneity of grain boundaries in direct-bonded silicon
机译:
直接键合硅中晶界的结构和电均质性的电子显微镜表征
作者:
H Blumtritt
;
R Gleichmann
;
A Hoepner
;
T D Sullivan
会议名称:
《Microscopy of semiconducting materials 1991》
|
1991年
16.
Temperature dependent EBIC contrast investigations of grain boundaries and precipitates in CdTe
机译:
CdTe中晶界和析出物的温度依赖性EBIC对比研究
作者:
G N Panin
;
E B Yakimov
会议名称:
《Microscopy of semiconducting materials 1991》
|
1991年
17.
EBIC studies of WSe_2 'mixed' surface
机译:
WSe_2“混合”表面的EBIC研究
作者:
L Margulis
;
D Mahalu
;
E Watkins
;
R Tenne
会议名称:
《Microscopy of semiconducting materials 1991》
|
1991年
18.
Direct electron beam-induced formation of nanometer carbon structures in STEM
机译:
直接电子束诱导在STEM中形成纳米碳结构
作者:
V V Aristov
;
N A Kislov
;
I I Khodos
会议名称:
《Microscopy of semiconducting materials 1991》
|
1991年
19.
Backscattered electron compositional analysis of interfaces in bulk specimens using a deconvolution technique
机译:
使用反卷积技术对散装样品中的界面进行反向散射电子组成分析
作者:
P R Wilshaw
;
A Konkol
;
G R Booker
会议名称:
《Microscopy of semiconducting materials 1991》
|
1991年
20.
New applications of the scanning infra-red microscope (SIRM) to inhomogeneities in bulk GaAs and Si
机译:
扫描红外显微镜(SIRM)在块状GaAs和Si中的不均匀性的新应用
作者:
Z Laczik
;
P Toeroek
;
G R Booker
;
R Falster
会议名称:
《Microscopy of semiconducting materials 1991》
|
1991年
21.
The detection of strain within InP-InGaAs single quantum well structures using large angle convergent beam electron diffraction
机译:
利用大角度会聚束电子衍射检测InP-InGaAs单量子阱结构中的应变
作者:
IK Jordan
;
N Grigorieff
;
D Cherns
;
M Hockly
;
PC Spurdens
;
MR Aylett
;
EG Scott
会议名称:
《Microscopy of semiconducting materials 1991》
|
1991年
22.
Laser scanning microscope investigation of individual dislocations in as-grown LEC GaAs: geometry, glide, climb and particle decoration
机译:
激光扫描显微镜研究生长中的LEC GaAs中的单个位错:几何形状,滑行,爬升和粒子装饰
作者:
P Kidd
;
D J Stirland
;
G R Booker
会议名称:
《Microscopy of semiconducting materials 1991》
|
1991年
23.
REM observations of fracture behaviour and crystal polarity of ZnO single crystals
机译:
ZnO单晶的断裂行为和晶体极性的REM观察
作者:
L -M Peng
;
J T Czernuszka
会议名称:
《Microscopy of semiconducting materials 1991》
|
1991年
24.
TEM study of strain relaxation processes in metastable Si/SiGe/Si structures for heterojunction bipolar transistors (HBTs)
机译:
异质结双极晶体管(HBT)的亚稳态Si / SiGe / Si结构中应变松弛过程的TEM研究
作者:
M Hockly
;
CG Tuppen
;
CJ Gibbings
;
ASR Martin
;
ZA Shafi
;
P Ashburn
会议名称:
《Microscopy of semiconducting materials 1991》
|
1991年
25.
TEM characterisation of the influence of B-concentration on recrystallisation of polycrystalline silicon
机译:
TEM表征B浓度对多晶硅重结晶的影响
作者:
J R A Carlsson
;
S F Gong
;
X -H Li
;
H T G Hentzell
会议名称:
《Microscopy of semiconducting materials 1991》
|
1991年
26.
Reduction of dislocation density in GaAs on Si substrates by use of Si interlayers and initial Si buffer layer
机译:
通过使用Si中间层和初始Si缓冲层来降低Si衬底上GaAs中的位错密度
作者:
Akihiro Hashimoto
;
Naoharu Sugiyama
;
Masao Tamura
会议名称:
《Microscopy of semiconducting materials 1991》
|
1991年
27.
TEM, TED and HREM studies of atomic ordering and associated domains in MOCVD In_xGa_(1-x)As layers: Dependence on growth temperature and growth rate
机译:
TEM,TED和HREM研究MOCVD In_xGa_(1-x)As层中的原子有序域和相关域:对生长温度和生长速率的依赖性
作者:
T -Y Seong
;
A G Norman
;
J L Hutchison
;
G R Booker
;
A G Cullis
;
S J Bass
;
L L Taylor
会议名称:
《Microscopy of semiconducting materials 1991》
|
1991年
28.
In situ electron microscopy of GaAs MBE monolayer growth
机译:
GaAs MBE单层生长的原位电子显微镜
作者:
N Inoue
会议名称:
《Microscopy of semiconducting materials 1991》
|
1991年
29.
Microvoid formation in low temperature molecular beam epitaxy-grown silicon
机译:
低温分子束外延生长硅中的微孔形成
作者:
G C Weatherly
;
D D Perovic
;
J -P Noeel
;
D C Houghton
会议名称:
《Microscopy of semiconducting materials 1991》
|
1991年
30.
Wafer uniformity of an MBE grown Al_xGa_(1-x)As/GaAs tunnelling structure
机译:
MBE生长的Al_xGa_(1-x)As / GaAs隧道结构的晶圆均匀性
作者:
N Rimmer
;
R T Syme
;
J E F Frost
;
D A Ritchie
;
G A C Jones
;
M J Kelly
;
W M Stobbs
会议名称:
《Microscopy of semiconducting materials 1991》
|
1991年
31.
Low-voltage EBIC imaging of doped microstructures
机译:
掺杂微结构的低压EBIC成像
作者:
H Blumtritt
;
U Werner
会议名称:
《Microscopy of semiconducting materials 1991》
|
1991年
32.
Depth resolved luminescence characterisation of chemically treated GaAs surfaces
机译:
化学处理的GaAs表面的深度分辨发光特性
作者:
S Myhajlenko
;
RA Puechner
;
JL Edwards
;
DB Davito
会议名称:
《Microscopy of semiconducting materials 1991》
|
1991年
33.
Electron beam excitation and profiling of CdSe-ZnSe multiple quantum well and strained layer superlattice structures
机译:
CdSe-ZnSe多量子阱和应变层超晶格结构的电子束激发和分析
作者:
C Trager-Cowan
;
P J Parbrook
;
D Clark
;
B Henderson
;
K P ODonnell
;
B Cockayne
;
P J Wright
会议名称:
《Microscopy of semiconducting materials 1991》
|
1991年
34.
Low temperature injection luminescence using a scanning tunneling microscope
机译:
使用扫描隧道显微镜的低温注入发光
作者:
Lars Montelius
;
Fredrik Owman
;
Mats-Erik Pistol
;
Lars Samuelson
会议名称:
《Microscopy of semiconducting materials 1991》
|
1991年
35.
EBIC diffusion length evaluation by the moment method
机译:
弯矩法估算EBIC扩散长度
作者:
D Cavalcoli
;
A Cavallini
;
A Castaldini
会议名称:
《Microscopy of semiconducting materials 1991》
|
1991年
36.
The evolution of prismatic dislocation loops in heavily Si-doped GaAs
机译:
重掺杂硅的砷化镓中棱柱位错环的演变
作者:
E Dobrocka
;
R Gleichmann
会议名称:
《Microscopy of semiconducting materials 1991》
|
1991年
37.
The use of TEM and Raman spectroscopy to determine the absorption coefficients of titanium nitride and titanium silicide
机译:
使用TEM和拉曼光谱确定氮化钛和硅化钛的吸收系数
作者:
Louise Weaver
;
Martine Simard-Normandin
;
Francois Pagette
会议名称:
《Microscopy of semiconducting materials 1991》
|
1991年
38.
Developments in structure studies of bulk GaAs
机译:
块状砷化镓结构研究的进展
作者:
D J Stirland
会议名称:
《Microscopy of semiconducting materials 1991》
|
1991年
39.
Microstructure of Endotaxial CoSi_2 layers formed by Co implantation into (100) and (111) Si substrates
机译:
Co植入(100)和(111)Si衬底中形成的内轴CoSi_2层的微观结构
作者:
C W T Bulle-Lieuwma
;
A H van Ommen
;
D E W Vandenhoudt
;
A F de Jong
会议名称:
《Microscopy of semiconducting materials 1991》
|
1991年
40.
Antimony doping during formation of self-aligned titanium disilicide by codeposition of titanium and antimony
机译:
通过钛和锑的共沉积形成自对准二硅化钛的过程中的锑掺杂
作者:
X-H Li
;
S F Gong
;
H T G Hentzell
;
J R A Carlsson
会议名称:
《Microscopy of semiconducting materials 1991》
|
1991年
41.
Thin film manganese silicides
机译:
薄膜硅化锰
作者:
L Zhang
;
D G Ivey
会议名称:
《Microscopy of semiconducting materials 1991》
|
1991年
42.
Grazing incidence X-ray diffraction studies of strain relaxation in monolayer-thick films
机译:
单层厚膜中应变弛豫的掠入射X射线衍射研究
作者:
J E Macdonald
;
A A Williams
;
J M C Thornton
;
R G van Silfhout
;
J F van der Veen
;
M S Finney
;
C Norris
会议名称:
《Microscopy of semiconducting materials 1991》
|
1991年
43.
Misfit dislocation injection in strained layer epitaxy
机译:
错层错位注入在应变层外延中
作者:
D D Perovic
;
D C Houghton
会议名称:
《Microscopy of semiconducting materials 1991》
|
1991年
44.
TEM and triple-crystal diffractometry investigation of the distribution of dislocations across the depth of epitaxial structures
机译:
透射电镜和三晶衍射研究了位错在外延结构深度上的分布
作者:
T S Argunova
;
R N Kyutt
;
S S Ruvimov
;
M P Scheglov
会议名称:
《Microscopy of semiconducting materials 1991》
|
1991年
45.
X-ray double crystal topography of semiinsulating GaAs crystals
机译:
半绝缘GaAs晶体的X射线双晶体形貌
作者:
C Ferrari
;
P Franzosi
会议名称:
《Microscopy of semiconducting materials 1991》
|
1991年
46.
X-ray transmission topographic observations of nickel silicide precipitation along dislocations in silicon
机译:
硅位错上硅化镍沉淀的X射线透射形貌观察
作者:
B Pichaud
;
F Minari
会议名称:
《Microscopy of semiconducting materials 1991》
|
1991年
47.
Developments in high resolution scanning cathodoluminescence microscopy
机译:
高分辨率扫描阴极荧光显微镜的发展
作者:
C A Warwick
会议名称:
《Microscopy of semiconducting materials 1991》
|
1991年
48.
Characterisation of compound semiconductors by high resolution electron microscopy
机译:
通过高分辨率电子显微镜表征化合物半导体
作者:
David J Smith
;
Ping Lu
会议名称:
《Microscopy of semiconducting materials 1991》
|
1991年
49.
Double crystal X-ray diffraction and TEM of partially relaxed strained- layer structures
机译:
部分松弛应变层结构的双晶X射线衍射和TEM
作者:
P Kidd
;
R Dixon
会议名称:
《Microscopy of semiconducting materials 1991》
|
1991年
50.
X-ray diffraction studies of periodic and quasi-periodic SiGe/Si superlattice structures
机译:
周期性和准周期性SiGe / Si超晶格结构的X射线衍射研究
作者:
S J Barnett
;
D C Houghton
;
A D Pitt
;
J-M Baribeau
会议名称:
《Microscopy of semiconducting materials 1991》
|
1991年
51.
Strain relaxation in (001) and (111) CdTe/CdZnTe heterostructures
机译:
(001)和(111)CdTe / CdZnTe异质结构中的应变弛豫
作者:
P H Jouneau
;
J Cibert
;
G Feuillet
;
R E Mallard
;
K Saminadayar
;
S Tatarenko
;
Le Si Dang
会议名称:
《Microscopy of semiconducting materials 1991》
|
1991年
52.
Structure and composition of GaAs_(1-y)Sb_y quantum wells and superlattices determined by cross-sectional transmission electron microscopy
机译:
截面透射电子显微镜测定的GaAs_(1-y)Sb_y量子阱和超晶格的结构和组成
作者:
S Haq
;
A C Wright
;
J O Williams
会议名称:
《Microscopy of semiconducting materials 1991》
|
1991年
53.
Contrast effects in strained layer InGaAs/GaAs superlattices
机译:
应变层InGaAs / GaAs超晶格中的对比效应
作者:
Philip Kightley
;
Chris J Kiely
;
Peter J Goodhew
会议名称:
《Microscopy of semiconducting materials 1991》
|
1991年
54.
Strain analysis of GaInAs/GaAs structures using TEM image simulation of 90°-wedges
机译:
GaInAs / GaAs结构的应变分析,使用90°楔形的TEM图像模拟
作者:
A J Harvey
;
D A Faux
;
U Bangert
;
P Charsley
会议名称:
《Microscopy of semiconducting materials 1991》
|
1991年
55.
Defect analyses of MBE-grown ZnSe films
机译:
MBE生长的ZnSe薄膜的缺陷分析
作者:
S B Sant
;
G C Weatherly
;
R W Smith
会议名称:
《Microscopy of semiconducting materials 1991》
|
1991年
56.
Electron microscopy investigations of stress-related degradation of AlGaAs/GaAs quantum well laser diodes
机译:
AlGaAs / GaAs量子阱激光二极管应力相关降解的电子显微镜研究
作者:
A Fried
;
A Jakubowicz
;
S B Newcomb
;
W M Stobbs
会议名称:
《Microscopy of semiconducting materials 1991》
|
1991年
57.
The reaction at the InAs-GaAs(001) interface during MBE growth
机译:
MBE生长期间InAs-GaAs(001)界面的反应
作者:
X Zhang
;
D W Pashley
;
I T Ferguson
;
P N Fawcett
;
A E Staton-Bevan
;
B A Joyce
会议名称:
《Microscopy of semiconducting materials 1991》
|
1991年
58.
In situ UHV REM study of the structure of silicon surfaces
机译:
硅表面结构的原位UHV REM研究
作者:
A L Aseev
;
A V Latyshev
;
A B Krasilnikov
;
L V Litvin
会议名称:
《Microscopy of semiconducting materials 1991》
|
1991年
59.
Limited-thickness epitaxy of semiconductors down to room temperature
机译:
半导体的有限厚度外延直至室温
作者:
DJ Eaglesham
;
H-J Gossmann
;
M Cerullo
;
LN Pfeiffer
;
D Windt
会议名称:
《Microscopy of semiconducting materials 1991》
|
1991年
60.
The growth of GaAs on Sc_(0.3)Er_(0.7)As epilayers
机译:
Ga在Sc_(0.3)Er_(0.7)As外延层上的生长
作者:
Jane G Zhu
;
Chris J Palmstrom
;
C Barry Carter
会议名称:
《Microscopy of semiconducting materials 1991》
|
1991年
61.
Characterisation of strained In_(0.54)Ga_(0.46)As layers grown on InP substrates
机译:
InP衬底上生长的应变In_(0.54)Ga_(0.46)As层的表征
作者:
F Peiro
;
A Vila
;
A Cornet
;
A Herms
;
J R Morante
;
S Clark
;
R H Williams
会议名称:
《Microscopy of semiconducting materials 1991》
|
1991年
62.
Misfit dislocations in GaSb/GaAs (001) heterostructures
机译:
GaSb / GaAs(001)异质结构中的错配位错
作者:
A Rocher
;
J M Kang
;
H Atmani
;
J Crestou
;
G Vanderschaevel
;
L Lassabatere
;
R Bonnet
会议名称:
《Microscopy of semiconducting materials 1991》
|
1991年
63.
EBIC investigation of charged dislocations in Si
机译:
EBIC对Si中带电位错的调查
作者:
I E Bondarenko
;
E B Yakimov
会议名称:
《Microscopy of semiconducting materials 1991》
|
1991年
64.
Effects of atomic number and ionicity on the (110) lattice images of compound semiconductors
机译:
原子数和离子性对化合物半导体(110)晶格图像的影响
作者:
N Hashikawa
;
K Watanabe
;
K Hiratsuka
;
C Tsuruta
;
I Hashimoto
;
H Yamaguchi
会议名称:
《Microscopy of semiconducting materials 1991》
|
1991年
65.
The role of specimen relaxation in the high resolution electron microscopy of strained semiconductor heterojunctions
机译:
标本松弛在应变半导体异质结的高分辨率电子显微镜中的作用
作者:
R E Mallard
;
G Feuillet
;
P -H Jouneau
会议名称:
《Microscopy of semiconducting materials 1991》
|
1991年
66.
Electron microscopic observation of five-fold symmetry in germanium particles crystallised in their amorphous matrix
机译:
非晶态基质中结晶的锗颗粒的五重对称性的电子显微镜观察
作者:
V Bykov
;
H Hofmeister
;
T Junghanns
;
S Nepijko
会议名称:
《Microscopy of semiconducting materials 1991》
|
1991年
67.
Studies of EELS L_(2,3) absorption fine structure in thin silicon
机译:
薄硅中EELS L_(2,3)吸收精细结构的研究
作者:
PE Batson
会议名称:
《Microscopy of semiconducting materials 1991》
|
1991年
68.
TEM study of Lopos structures for submicron isolation
机译:
用于亚微米分离的Lopos结构的TEM研究
作者:
A Romano-Rodriguez
;
J Vanhellemont
;
I De Wolf
;
H Norstroem
;
H E Maes
会议名称:
《Microscopy of semiconducting materials 1991》
|
1991年
69.
Transmission electron microscopy characterisation of permeable base transistor structures
机译:
渗透性基极晶体管结构的透射电子显微镜表征
作者:
P Perret
;
P A Badoz
;
C Morin
;
J L Regolini
;
B Vuillermoz
会议名称:
《Microscopy of semiconducting materials 1991》
|
1991年
70.
The oxidation of silicon observed in situ by imaging and diffraction of surface monolayers
机译:
通过表面单层的成像和衍射原位观察到的硅的氧化
作者:
Frances M Ross
;
J Murray Gibson
会议名称:
《Microscopy of semiconducting materials 1991》
|
1991年
71.
Excitation-enhanced mobility of dislocations in ZnS: a TEM in situ study
机译:
ZnS中位错的激发增强迁移率:TEM的原位研究
作者:
C Levade
;
G Vanderschaeve
;
J J Couderc
;
A Faress
;
D Caillard
会议名称:
《Microscopy of semiconducting materials 1991》
|
1991年
72.
TEM materials characterisation in Si technology
机译:
硅技术中的TEM材料表征
作者:
H Cerva
会议名称:
《Microscopy of semiconducting materials 1991》
|
1991年
73.
In situ electron microscopy study of interstitial cluster formation in silicon and germanium
机译:
硅和锗中间隙簇形成的原位电子显微镜研究
作者:
A L Aseev
;
L I Fedina
会议名称:
《Microscopy of semiconducting materials 1991》
|
1991年
74.
Impurity effects on the morphology of fresh dislocations in GaAs
机译:
杂质对GaAs中新鲜位错形态的影响
作者:
I Yonenaga
;
K Minowa
;
K Sumino
会议名称:
《Microscopy of semiconducting materials 1991》
|
1991年
75.
Observation by in situ HVEM and X-ray topography of mobile grain boundary dislocations in a ∑ = 9 (122) bicrystal of silicon
机译:
通过原位HVEM和X射线形貌观察硅的∑ = 9(122)双晶中可移动的晶界位错
作者:
H A Benhorma
;
A Jacques
;
A George
;
X Baillin
;
J Pelissier
会议名称:
《Microscopy of semiconducting materials 1991》
|
1991年
76.
TEM in situ investigations of the crystallisation of a-Si thin films
机译:
非晶硅薄膜结晶的TEM原位研究
作者:
M Reiche
会议名称:
《Microscopy of semiconducting materials 1991》
|
1991年
77.
Ballistic electron emission microscopy of semiconductor interfaces
机译:
半导体界面的弹道电子发射显微镜
作者:
R H Williams
会议名称:
《Microscopy of semiconducting materials 1991》
|
1991年
78.
Dislocations in heavily boron-doped silicon
机译:
重硼掺杂硅中的位错
作者:
X J Ning
;
P Pirouz
会议名称:
《Microscopy of semiconducting materials 1991》
|
1991年
79.
An electron rocking curve determination of the Al(001)/GaAs(001) interface atomic structure
机译:
Al(001)/ GaAs(001)界面原子结构的电子摇摆曲线确定
作者:
M A Al-Khafaji
;
D Cherns
;
C J Rossouw
;
D A Woolf
会议名称:
《Microscopy of semiconducting materials 1991》
|
1991年
80.
TEM study of NiGa/(001)GaAs and GaAs/NiGa/(001)GaAs heterostructures
机译:
NiGa /(001)GaAs和GaAs / NiGa /(001)GaAs异质结构的TEM研究
作者:
B Guenais
;
A Poudoulec
;
V Durel
;
Y Ballini
;
A Guivarch
会议名称:
《Microscopy of semiconducting materials 1991》
|
1991年
81.
TEM study of nitrogen enhanced oxygen precipitation in nitrogen-doped Czochralski-grown silicon
机译:
氮掺杂的直拉生长硅中氮增强氧沉淀的TEM研究
作者:
X Zhou
;
A R Preston
;
C J Humphreys
会议名称:
《Microscopy of semiconducting materials 1991》
|
1991年
82.
Climb of dislocations induced by oxygen precipitation in silicon
机译:
硅中氧沉淀引起的位错上升
作者:
K Minowa
;
I Yonenaga
;
K Sumino
会议名称:
《Microscopy of semiconducting materials 1991》
|
1991年
83.
Cross sectional transmission electron microscopic study of Au/A~(111)B~v contacts
机译:
Au / A〜(111)B〜v触点的截面透射电镜研究
作者:
B Pecz
;
G Radnoczi
;
A Barna
;
R Veresegyhazy
;
I Mojzes
会议名称:
《Microscopy of semiconducting materials 1991》
|
1991年
84.
Rod-like defects in Czochralski silicon crystal and their transformation
机译:
直拉硅晶体的棒状缺陷及其转变
作者:
L M Sorokin
;
K L Malyshev
;
A A Sitnikova
会议名称:
《Microscopy of semiconducting materials 1991》
|
1991年
85.
Gettering of copper in silicon: precipitation at extended surface defects
机译:
硅中铜的吸收:扩展表面缺陷处的析出
作者:
M D de Coteau
;
P R Wilshaw
;
R Falster
会议名称:
《Microscopy of semiconducting materials 1991》
|
1991年
86.
High resolution SEM study of porous silicon
机译:
多孔硅的高分辨率SEM研究
作者:
JP Gonchond
;
A Halimaoui
;
K Ogura
会议名称:
《Microscopy of semiconducting materials 1991》
|
1991年
87.
Comparison of solid state and alloyed AuGeNi contacts to n- In_(0.53)Ga_(0.47)As for optoelectronic integrated circuits
机译:
固态和合金化AuGeNi触点与光电子集成电路的n- In_(0.53)Ga_(0.47)As的比较
作者:
J S Yu
;
A E Staton-Bevan
;
J Herniman
;
D A Allan
会议名称:
《Microscopy of semiconducting materials 1991》
|
1991年
88.
Low-temperature reactions at metal-semiconductor interfaces
机译:
金属-半导体界面的低温反应
作者:
R Sinclair
;
T Konno
;
D H Ko
;
S Ogawa
会议名称:
《Microscopy of semiconducting materials 1991》
|
1991年
89.
High-resolution Z-contrast imaging of superlattices and heterostructures
机译:
超晶格和异质结构的高分辨率Z对比成像
作者:
S J Pennycook
;
D E Jesson
;
M F Chisholm
会议名称:
《Microscopy of semiconducting materials 1991》
|
1991年
90.
Proton microscopy of a microcircuit layer structure
机译:
微型电路层结构的质子显微镜
作者:
M B H Breese
;
F Watt
;
G W Grime
;
P J C King
会议名称:
《Microscopy of semiconducting materials 1991》
|
1991年
91.
The use of TEM contrast effects for the assessment of the composition of strained In_xGa_(1-x)As layers
机译:
利用透射电镜对比效应评估应变In_xGa_(1-x)As层的成分
作者:
A S Dobson
;
C S Baxter
;
W M Stobbs
会议名称:
《Microscopy of semiconducting materials 1991》
|
1991年
92.
The effects of the inclination of an interface in an Al_xGa_(1-x)As/GaAs heterostructure on its contrast
机译:
Al_xGa_(1-x)As / GaAs异质结构中界面倾斜度对其对比度的影响
作者:
E J Williams
;
E G Bithell
;
W M Stobbs
会议名称:
《Microscopy of semiconducting materials 1991》
|
1991年
93.
Atomic scale chemistry of Co- and Ni-Si(100) interfaces
机译:
Co-和Ni-Si(100)界面的原子尺度化学
作者:
A Cerezo
;
C R M Grovenor
;
R Ozsanlav
会议名称:
《》
|
1991年
94.
An HREM study of the entrance and the decomposition of dislocations into deformed ∑ = 19 and ∑ = 9 grain boundaries
机译:
HREM研究晶格的进入和位错分解为变形的∑ = 19和∑ = 9晶界
作者:
J Thibault
;
J L Putaux
;
H M Michaud
;
X Baillin
;
A Jacques
;
A George
会议名称:
《Microscopy of semiconducting materials 1991》
|
1991年
95.
A TEM study of the influence of growth conditions on the ordering of Ga_xIn_(1-x)P
机译:
TEM研究生长条件对Ga_xIn_(1-x)P有序的影响
作者:
C S Baxter
;
W M Stobbs
;
J H Wilkie
会议名称:
《Microscopy of semiconducting materials 1991》
|
1991年
96.
Dynamic observations of misfit dislocations in strained layer heterostructures
机译:
应变层异质结构失配位错的动态观察
作者:
R Hull
;
J C Bean
;
D Bahnck
;
J M Bonar
;
L J Peticolas
会议名称:
《Microscopy of semiconducting materials 1991》
|
1991年
97.
Defects in ALMBE grown GaAs on Si
机译:
Si上ALMBE生长的GaAs的缺陷
作者:
A Vila
;
A Cornet
;
A Herms
;
J R Morante
;
Y Gonzalez
;
L Gonzalez
;
F Briones
会议名称:
《Microscopy of semiconducting materials 1991》
|
1991年
98.
Quantitative EBIC investigations of deformation-induced and copper decorated dislocations in silicon
机译:
硅中形变和铜装饰位错的EBIC定量研究
作者:
T S Fell
;
P RWilshaw
会议名称:
《Microscopy of semiconducting materials 1991》
|
1991年
99.
Characterisation of dislocations in the presence of transition metal contamination
机译:
过渡金属污染下位错的表征
作者:
V Higgs
;
C E Norman
;
E C Lightowlers
;
P Kightley
会议名称:
《Microscopy of semiconducting materials 1991》
|
1991年
100.
Analysis of defects in bulk semiconductors using electron channelling contrast imaging
机译:
电子通道对比成像分析体半导体中的缺陷
作者:
JT Czernuszka
;
NJ Long
;
PB Hirsch
会议名称:
《Microscopy of semiconducting materials 1991》
|
1991年
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