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Spanish Conference on ELectron Devices
Spanish Conference on ELectron Devices
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1.
Monolithic Ceramic Technology for Sensing Devices
机译:
用于传感装置的单片陶瓷技术
作者:
Ramos Francisco M.
;
Lopez-Gandara Carlos
;
Cirera Albert
;
Morante Joan R.
会议名称:
《Spanish Conference on ELectron Devices》
|
2009年
2.
Simulation Methods for Ionizing Radiation Single Event Effects Evaluation
机译:
电离辐射单事件效应评估的仿真方法
作者:
Fernandez-Martinez P.
;
Mogollon J. M.
;
Hidalgo S.
;
Palomo F. R.
;
Flores D.
;
Aguirre M. A.
会议名称:
《Spanish Conference on ELectron Devices》
|
2009年
3.
Microneedles electrodes for living cells
机译:
微针电极用于活细胞
作者:
Duch M.
;
Lopez M. J.
;
Gomez R.
;
Esteve J.
;
Plaza J. A.
会议名称:
《Spanish Conference on ELectron Devices》
|
2009年
4.
Thin high-k dielectric layers deposited by ALD
机译:
由ALD沉积的薄高k介电层
作者:
Campabadal F.
;
Zabala M.
;
Rafi J.M.
;
Acero M.C.
;
Sainchez A.
;
Sainchez J.
;
Sainchez S.
;
Andreu R.
会议名称:
《Spanish Conference on ELectron Devices》
|
2009年
5.
GaInP/GaInAs/Ge triple junction solar cells for ultra high concentration
机译:
GAINP / GAINAS / GE三交联太阳能电池用于超高浓度
作者:
Barrigon E.
;
Rey-Stolle I.
;
Galiana B.
;
Garcia I.
;
Algora C.
会议名称:
《Spanish Conference on ELectron Devices》
|
2009年
6.
Interdigitated ??-electrodes for development of an impedimetric immunosensor for atrazine detection
机译:
interdigated ?? - 用于开发尿嘧啶检测的阻抗免疫传感器的电极
作者:
Valeral Enrique
;
Ramon-Azcon Javier
;
Sanchez F.-J.
;
Marco M.-P.
;
Rodriguez Angel
;
Castaner Luis M.
会议名称:
《Spanish Conference on ELectron Devices》
|
2009年
7.
Static and Dynamic Analysis of Split-Gate RESURF Stepped Oxide (RSO) MOSFETs for 35 V Applications
机译:
用于35 V应用的分流栅极Resurf阶梯式氧化物(RSO)MOSFET的静态和动态分析
作者:
Tong C.F
;
Cortes I.
;
Mawby P.A.
;
Covington J.A.
;
Morancho F.
会议名称:
《Spanish Conference on ELectron Devices》
|
2009年
8.
Comparison between Heavy Ion and Pulsed Laser Simulation to reproduce SEE Tests
机译:
重离子与脉冲激光仿真之间的比较再现见测试
作者:
Fernandez-Martinez P.
;
Lopez-Calle I.
;
Hidalgo S.
;
Franco F. J.
;
Flores D.
;
de Agapito J.A.
会议名称:
《Spanish Conference on ELectron Devices》
|
2009年
9.
Numerical simulation of a ferromagnetic spin-polarised diode
机译:
铁磁性旋转二极管的数值模拟
作者:
Comesana E.
;
Aldegunde M.
;
Gehring G. A.
;
Garcia-Loureiro A. J.
会议名称:
《Spanish Conference on ELectron Devices》
|
2009年
10.
Equivalent circuit model for capacitances in PN varactors with buried channel
机译:
埋地通道PN变容仪电容等效电路模型
作者:
Marrero-Martin M.
;
Garcia J.
;
Gonzalez B.
;
Hernaindez A.
会议名称:
《Spanish Conference on ELectron Devices》
|
2009年
11.
Laser scribing of very large 2,6m x 2,2m a-Si: H thin film photovoltaic modules.
机译:
激光划线非常大的2,6m×2,2,2m A-Si:H薄膜光伏模块。
作者:
Borrajo J. P.
;
Vetter M.
;
Andreu J
会议名称:
《Spanish Conference on ELectron Devices》
|
2009年
12.
Investigation of a New Partial Ground Plane Based MOSFET on Selective Buried Oxide
机译:
选择性埋地氧化物新型地面平面MOSFET的研究
作者:
Loan Sajad A.
;
Qureshi S.
;
Iyer S. Sundar Kumar
会议名称:
《Spanish Conference on ELectron Devices》
|
2009年
13.
Current drive in n-type Schottky Barrier MOSFETs: a Monte Carlo study
机译:
N型肖特基障屏幕MOSFET中的电流驱动器:蒙特卡洛研究
作者:
Pascual Elena
;
Rengel Raul
;
Martin Maria J.
会议名称:
《Spanish Conference on ELectron Devices》
|
2009年
14.
Linearity study of DG MOSFETs
机译:
DG MOSFET的线性研究
作者:
Lazaro A.
;
Cerdeira A.
;
Estrada M.
;
Nae B.
;
Iniguez B.
会议名称:
《Spanish Conference on ELectron Devices》
|
2009年
15.
N-type emitters passivation through antireflective phosphorus doped a-SiC
x
N
y
:H(n) stacks
机译:
N型发射器通过抗反射磷掺杂A-SiC
X INF> N
Y INF>:H(n)堆叠
作者:
Orpella A.
;
Blanque S.
;
Roiati V.
;
Martin I.
;
Voz C.
;
Puigdollers J.
;
Alcubilla R.
会议名称:
《Spanish Conference on ELectron Devices》
|
2009年
16.
High Temperature SiC Blocking Diodes for Solar Array
机译:
用于太阳能阵列的高温SiC阻挡二极管
作者:
Maset E.
;
Sanchis-Kilders E.
;
Jordan J.
;
Ejea J. Bta.
;
Ferreres A.
;
Esteve V.
;
Millan J.
;
Godginon P.
;
Jorda X.
会议名称:
《Spanish Conference on ELectron Devices》
|
2009年
17.
Enclosed layout transistors in saturation
机译:
饱和度的封闭布局晶体管
作者:
Lopez P.
;
Hauer J.
;
Filgueira B. Blanco
;
Cabello D.
会议名称:
《Spanish Conference on ELectron Devices》
|
2009年
18.
MNOS structure: towards efficient and reliable silicon nanocrystal-based LEDs
机译:
MNOS结构:朝向高效可靠的硅纳米晶体基LED
作者:
Peralvarez M.
;
Carreras J.
;
Garrido B.
;
Barreto J.
;
Morales A.
;
Dominguez C.
会议名称:
《Spanish Conference on ELectron Devices》
|
2009年
19.
Digital Resonance for MEMS
机译:
MEMS的数字共振
作者:
Ricart J.
;
Pons J.
;
Gorreta S.
;
Dominguez M.
会议名称:
《Spanish Conference on ELectron Devices》
|
2009年
20.
Saw Sensor Array for Chemical Warfare Agent Simulants
机译:
SAW传感器阵列用于化学战层模拟器
作者:
Marti J.
;
Matatagui D.
;
Fernandez M. J.
;
Fontecha J. L.
;
Aleixandre M.
;
Gutierrez F. J.
;
Horrillo M.C.
;
Gracia I.
;
Cane C.
会议名称:
《Spanish Conference on ELectron Devices》
|
2009年
21.
Analytical Modeling of a Novel Heterojunction Bipolar Transistor Structure
机译:
一种新型异质结双极晶体管结构的分析建模
作者:
Basu Sukla
;
Barman Arpita
会议名称:
《Spanish Conference on ELectron Devices》
|
2009年
22.
Optimisation of low voltage Field Plate LDMOS transistors
机译:
低压场板LDMOS晶体管的优化
作者:
Cortes I.
;
Morancho F.
;
Flores D.
;
Hidalgo S.
;
Rebollo J.
会议名称:
《Spanish Conference on ELectron Devices》
|
2009年
23.
WO
3
nanorods on Si by anodising A1/W/Ti laers
机译:
WO
3 INF>在阳极化A1 / W / TI轴承的SI上的纳米棒
作者:
Calavia R.
;
Vilanova X.
;
Correig X.
;
Llobet E.
;
Mozalev A.
会议名称:
《Spanish Conference on ELectron Devices》
|
2009年
24.
Comparison of static contact angle change and relaxation in EWOD devices
机译:
EWOD器件中静电接触角变化和放松的比较
作者:
di Virgilio Vito
;
Castaner Luis
会议名称:
《Spanish Conference on ELectron Devices》
|
2009年
25.
High-Performance In
0.75
Ga
0.25
As Implant-Free n-type MOSFETs for Low Power Applications
机译:
0.75 INF> GA
0.25 INF>作为用于低功耗应用的无植入N型MOSFET
作者:
Ayubi-Moak Jason S.
;
Kalna K.
;
Asenov A.
会议名称:
《Spanish Conference on ELectron Devices》
|
2009年
26.
Transient discharge current measurements to study dielectric charging in MEMS
机译:
瞬态放电电流测量以研究MEMS中的介电充电
作者:
Molinero David
;
Castaner Luis
会议名称:
《Spanish Conference on ELectron Devices》
|
2009年
27.
(S)TEM tomography of AlAs-GaAs coaxial Nanowires
机译:
(S)ALAS-GAAS同轴纳米线的TEM层析术
作者:
Rebled Josep M.
;
Conesa-Boj Sonia
;
Arbiol Jordi
;
Peiro Francesca
;
Morante Joan R.
;
Heigoldt Matthias
;
Spirkoska Dance
;
Abstreiter Gerhard
;
Morral Anna Fontcuberta i
会议名称:
《Spanish Conference on ELectron Devices》
|
2009年
28.
Fabrication of very large 2,6m x 2,2m amorphous silicon solar modules on glass
机译:
在玻璃上制作非常大的2,6m x 2,2m非晶硅太阳能模块
作者:
Vetter M.
;
Borrajo J. P.
;
Andreu J
会议名称:
《Spanish Conference on ELectron Devices》
|
2009年
29.
3D Parallel Finite Element Monte Carlo Simulator With Quantum Corrections Using Density Gradient Approach
机译:
3D平行有限元蒙特卡罗模拟器采用密度梯度校正的量子校正
作者:
Aldegunde Manuel
;
Garcla-Loureiro Antonio J.
;
Seoane Natalia
;
Martinez Antonio
;
Kalna Karol
会议名称:
《Spanish Conference on ELectron Devices》
|
2009年
30.
Electrical characterization of ZrO
2
-based MIS structures with highly doped Si substrates
机译:
ZrO
2 INF>基于高掺杂SI基板的MIS结构的电气表征
作者:
Gomez A.
;
Duenas S.
;
Castan H.
;
Garcial H.
;
Bailon L.
;
Kukli K.
;
Niinisto J.
;
Ritala M.
;
Leskela M.
会议名称:
《Spanish Conference on ELectron Devices》
|
2009年
31.
Monolithic micro fuel cells as integrated power sources in MEMS
机译:
单片微燃料电池作为MEMS中的集成电源
作者:
Torres-Herrero N.
;
Santander J.
;
Sabate N.
;
Esquivel J. P.
;
Tarancon A.
;
Garbayo I.
;
Gracia I.
;
Cane C.
会议名称:
《Spanish Conference on ELectron Devices》
|
2009年
32.
Phase Noise Modelling in Parallel-plate MEMS variable capacitors
机译:
并联板MEMS可变电容中的相位噪声建模
作者:
Lazaro A.
;
Girbau D.
会议名称:
《Spanish Conference on ELectron Devices》
|
2009年
33.
Electric power in ballistic devices: A reformulation with full Coulomb interaction
机译:
弹道装置中的电力:完全库仑相互作用的重新制定
作者:
Albareda G.
;
Alarcon A.
;
Oriols X.
会议名称:
《Spanish Conference on ELectron Devices》
|
2009年
34.
Design of an Integrated 2x4 Decoder Based on the Quantum Well MODFET to Reduce the Scale of the IC
机译:
基于量子阱MODFET的集成2x4解码器设计,以减少IC的规模
作者:
Shabani Pejman
会议名称:
《Spanish Conference on ELectron Devices》
|
2009年
35.
High Quality Ti-Implanted Si Layers Above Solid Solubility Limit
机译:
高质量的Ti注入Si层上方固体溶解度极限
作者:
Olea J.
;
Pastor D.
;
Toledano-Luque M.
;
San-Andres E.
;
Martil I.
;
Gonzalez-Diaz G.
会议名称:
《Spanish Conference on ELectron Devices》
|
2009年
36.
Capacitance estimation of PN varactors based on unit cells
机译:
基于单元电池的PN变容仪的电容估计
作者:
Marrero-Martin M.
;
Gonzalez B.
;
Garcia J.
;
Hernandez A.
会议名称:
《Spanish Conference on ELectron Devices》
|
2009年
37.
GaN/AlN Axial Multi Quantum Well Nanowires for Optoelectronic Devices
机译:
用于光电器件的GaN / ALN轴向多量子孔纳米线
作者:
Conesa-Boj S.
;
Arbiol J.
;
Furtmayr F.
;
Stark C.
;
Schafer S.
;
Stutzmann M.
;
Eickhoff M.
;
Peiro F.
;
Morante J. R.
会议名称:
《Spanish Conference on ELectron Devices》
|
2009年
38.
Hilbert Curve Based Lateral Flux Capacitors
机译:
希尔伯特曲线基于横向磁通电容器
作者:
Gimeno C.
;
Celma S.
;
Calvo B.
;
Revuelto J.
会议名称:
《Spanish Conference on ELectron Devices》
|
2009年
39.
Photonic band measurement by angle-resolved spectroscopy and polarimetry
机译:
通过角度分辨光谱和偏振谱测量光子带测量
作者:
Kral Zdenek
;
Ferre-Borrull Josep
;
Marsal Lluis F.
;
Pallares Josep
;
Garcia-Caurel Enric
;
Foldyna Martin
;
Olaizola Santiago M.
会议名称:
《Spanish Conference on ELectron Devices》
|
2009年
40.
Conduction mechanisms of P3HT: PCBM solar cell
机译:
P3HT的传导机制:PCBM太阳能电池
作者:
Nolasco Jairo C.
;
Cabre R.
;
Marsal L. F.
;
Pacios Roberto
;
Waldauf Christoph
;
Neophytou Marios
;
Palomares Emilio
;
Pallares J.
会议名称:
《Spanish Conference on ELectron Devices》
|
2009年
41.
Effect of interlayer trapping and detrapping on the determination of interface state densities on high-k dielectric stacks
机译:
中间层捕获和折叠对高k电介质堆叠界面状态密度测定的影响
作者:
Duenas S.
;
Castan H.
;
Garcia H.
;
Gomez A.
;
Bailon L.
;
Toledano-Luque M.
;
del Prado A.
;
Martil I.
;
Gonzalez-Diaz G.
会议名称:
《Spanish Conference on ELectron Devices》
|
2009年
42.
Monte Carlo analysis of thermal effects in GaN HEMTs
机译:
蒙特卡罗对GaN Hemts的热效应分析
作者:
Mateos J.
;
Perez S.
;
Pardo D.
;
Gonzalez T.
会议名称:
《Spanish Conference on ELectron Devices》
|
2009年
43.
An Implementation of Tunable Fiber Bragg Grating Using Fabry-Perot Filter
机译:
使用法布里 - 珀罗滤波器的可调光纤布拉格光栅的实现
作者:
Pan Jae Kyung
;
Kim Ji Do
;
Mao Wan Kai
会议名称:
《Spanish Conference on ELectron Devices》
|
2009年
44.
Ion Hit Emulation by LASER Beam Model
机译:
激光束模型离子刺激仿真
作者:
Lopez-Calle I.
;
Franco F. J.
;
de Agapito J. A.
会议名称:
《Spanish Conference on ELectron Devices》
|
2009年
45.
Modified hard anodization procedure to fabricate hybrid nanoporous alumina
机译:
修改的硬阳极氧化过程,用于制造杂交纳米孔氧化铝
作者:
Santos A.
;
Vojkuvka L.
;
Pallares J.
;
Ferre-Borrull J.
;
Marsal L. F.
会议名称:
《Spanish Conference on ELectron Devices》
|
2009年
46.
Using Grid Infrastructures for a Stationary DGSOI Monte Carlo Simulation
机译:
使用网格基础设施进行静止的DGSOI Monte Carlo仿真
作者:
Valin R.
;
Aldegunde M.
;
Seoane N.
;
Garcia-Loureiro A.
;
Sampedro C.
;
Godoy A.
;
Gamiz F.
会议名称:
《Spanish Conference on ELectron Devices》
|
2009年
47.
COMSOL Simulation of acetone ions in Planar Ion Mobility Spectrometer
机译:
平面离子迁移谱系中丙酮离子的COMSOL模拟
作者:
Cumeras R.
;
Gracia I.
;
Ivanov P.
;
Sabate N.
;
Cane C.
会议名称:
《Spanish Conference on ELectron Devices》
|
2009年
48.
Improvement of the k.p Approach for Describing Silicon Quantum Dots
机译:
用于描述硅量子点的K.P方法的改进
作者:
Rodriguez-Bolivar S.
;
Gomez-Campos F. M.
;
Luque-Rodriguez A.
;
Lopez-Villanueva J. A.
;
Jimenez-Tejada J. A.
;
Lara-Bullejos P.
;
Carceller J. E.
会议名称:
《Spanish Conference on ELectron Devices》
|
2009年
49.
Comparison of Density Gradient and NEGF for 3D Simulation of a Nanowire MOSFET
机译:
纳米尺寸MOSFET的密度梯度与negf的比较
作者:
Brown Andrew R
;
Martinez Antonio
;
Seoane Natalia
;
Asenov Asen
会议名称:
《Spanish Conference on ELectron Devices》
|
2009年
50.
Integration of a MEMS Capacitive Sensor in a Wireless Transmitter
机译:
在无线发射器中集成MEMS电容传感器
作者:
Ramos J.
;
Luque A.
;
Quero Jose M.
会议名称:
《Spanish Conference on ELectron Devices》
|
2009年
51.
A complete model for electrical behaviour of single carrier organic diodes in the presence of a field-dependent mobility
机译:
在存在现场迁移率的情况下单载体有机二极管的电动行为的完整模型
作者:
Alvarez A. L.
;
Romero B.
;
Arredondo B.
;
Quintana X.
;
Mallavia R.
;
Oton J. M.
会议名称:
《Spanish Conference on ELectron Devices》
|
2009年
52.
Sensitivity analysis of the chip for REMS wind sensor
机译:
REMS风传感器芯片的敏感性分析
作者:
Kowalski L.
;
Ricart J.
;
Jimenez V.
;
Dominguez M.
;
Castaner L.
会议名称:
《Spanish Conference on ELectron Devices》
|
2009年
53.
Growth of Silicon Nitride on Silicon by Electron Cyclotron Resonance Plasma Nitridation
机译:
电子回旋谐振等离子体氮化硅氮化硅生长
作者:
del Prado A.
;
Toledano-Luque M.
;
Andres E. San
;
Feijoo P. C.
;
Lucia M. L.
会议名称:
《Spanish Conference on ELectron Devices》
|
2009年
54.
Analytical Model for Collector Current Gummel Plots of Heterojunction Bipolar Transistors
机译:
杂交双极晶体管集电器电流凝胶图的分析模型
作者:
Sachelarie Dan
;
Predusca Gabriel
会议名称:
《Spanish Conference on ELectron Devices》
|
2009年
55.
Electrical and Microstructural Characteristics of Ohmic Contacts formation on AlGaN/GaN HEMT
机译:
AlGaN / GaN HEMT欧姆触点的电气和微观结构特征
作者:
Romero M. F.
;
Jimenez A.
;
Palacio C.
;
Diaz D.
;
Munoz E.
会议名称:
《Spanish Conference on ELectron Devices》
|
2009年
56.
Single-use microvalve fabricated using Printed Circuit Board and SU8 technologies
机译:
使用印刷电路板和SU8技术制造的一次性微型阀
作者:
Aracil Carmen
;
Moreno J. Miguel
;
Quero Jose M.
会议名称:
《Spanish Conference on ELectron Devices》
|
2009年
57.
Study of surface roughness in extremely small Si nanowire MOSFETs using fully-3D NEGFs
机译:
使用完全3D negfs的极小Si纳米线MOSFET的表面粗糙度研究
作者:
Seoane Natalia
;
Martinez Antonio
;
Brown Andrew R.
;
Asenov Asen
会议名称:
《Spanish Conference on ELectron Devices》
|
2009年
58.
Effective Carrier Mobility Extraction Based on RF Modeling for Highly Leaky MOSFET Devices with Short Channel Length and Small Area
机译:
基于RF模型的高泄漏MOSFET器件,具有短沟道长度和小面积的有效载流子迁移提取
作者:
Choi G. B.
;
Hong S. H.
;
Choi H. S.
;
Baek R. H.
;
Lee K. T.
;
Park M. S.
;
Song S. H.
;
Kim J. C.
;
Sagong H. C.
;
Takeuchi H.
;
Lee B. H.
;
Kang C. Y.
;
Jeong Y. H.
会议名称:
《Spanish Conference on ELectron Devices》
|
2009年
59.
Towards Nano-Fin based Mercury-Sensors
机译:
朝向纳米鳍的汞传感器
作者:
Keller Lars O.
;
Kallis Klaus T.
;
Fieder Horst L.
;
Knoch Joachim
会议名称:
《Spanish Conference on ELectron Devices》
|
2009年
60.
Mesh Generation for the 'Atomistic' Simulation of Variability in InGaAs Implant-Free NanoMOSFETs
机译:
网格生成“原子学”模拟InGaAs植入纳米射频的变异性
作者:
Aldegunde Manuel
;
Garcia-Loureiro Antonio J.
;
Seoane Natalia
;
Asenov Asen
;
Kalna Karol
会议名称:
《Spanish Conference on ELectron Devices》
|
2009年
61.
Quantum Efficiency measurement setup for the near-infrared range
机译:
近红外范围的量子效率测量设置
作者:
Pan A. C.
;
del Canizo C.
;
Hofstetter J.
;
Luque A.
会议名称:
《Spanish Conference on ELectron Devices》
|
2009年
62.
MEMS switches fabrication using photoresist as a sacrificial layer
机译:
MEMS使用光致抗蚀剂作为牺牲层来切换制造
作者:
Molinero David
;
Castaner Luis
会议名称:
《Spanish Conference on ELectron Devices》
|
2009年
63.
Design and Fabrication of 3.3 kV IGBTs for Traction Applications
机译:
用于牵引应用的3.3 kV IGBT的设计和制造
作者:
Flores D.
;
Hidalgo S.
;
Rebollo J.
;
Caramel C.
;
Sanchez J. L.
;
Austin P.
;
Imbernon E.
会议名称:
《Spanish Conference on ELectron Devices》
|
2009年
64.
Detection of stress through sweat analysis with an electronic nose
机译:
通过用电子鼻子的汗水分析检测应力
作者:
Garcia-Cortes A.
;
Marti J.
;
Sayago I.
;
Santos J. P.
;
Gutierrez J.
;
Horrillo M. C.
会议名称:
《Spanish Conference on ELectron Devices》
|
2009年
65.
Logarithmic Compensated Voltage Reference
机译:
对数补偿电压参考
作者:
Popa C.
会议名称:
《Spanish Conference on ELectron Devices》
|
2009年
66.
Low Cost Fluid Microextractor for Lab-on-Chip
机译:
低成本流体微萃取器,用于实验室
作者:
Moreno J. Miguel
;
Aracil Carmen
;
Quero Jose M.
会议名称:
《Spanish Conference on ELectron Devices》
|
2009年
67.
Monte Carlo Study of an InAlAs/InGaAs Velocity Modulation Transistor
机译:
蒙特卡罗对Inalas / InGaAs速度调制晶体管的研究
作者:
Vasallo Beatriz G.
;
Gonzalez Tomas
;
Pardo Daniel
;
Mateos Javier
会议名称:
《Spanish Conference on ELectron Devices》
|
2009年
68.
Analysis of grape variety and denomination of origin of several wines with an artificial nose
机译:
用人造鼻子分析几种葡萄酒的原产地区的葡萄品种和面额
作者:
Aleixandre M.
;
Gonzalez J. A.
;
Sayago I.
;
Fernandez M. J.
;
Gutierrez J.
;
Horrillo M. C.
会议名称:
《Spanish Conference on ELectron Devices》
|
2009年
69.
Monte Carlo Simulation of Sb-based Heterostructures
机译:
基于SB的异质结构的蒙特卡罗模拟
作者:
Rodilla H.
;
Gonzailez T.
;
Pardo D.
;
Mateos J.
会议名称:
《Spanish Conference on ELectron Devices》
|
2009年
70.
Modeling and simulation of CMOS APS
机译:
CMOS AP的建模与仿真
作者:
Blanco-Filgueira Beatriz
;
Lopez Paula
;
Cabello Diego
;
Ernst J.
;
Neubauer H.
;
Hauer Johann
会议名称:
《Spanish Conference on ELectron Devices》
|
2009年
71.
Investigation of resistance in n-doped Si wires using NEGF formalism
机译:
negf形式主义对N掺杂Si线耐药性的研究
作者:
Martinez Antonio
;
Brown Andrew
;
Asenov Asen
;
Seoane Natalia
会议名称:
《Spanish Conference on ELectron Devices》
|
2009年
72.
Neutron Detection with Silicon Devices
机译:
中子检测用硅装置
作者:
Guardiola C.
;
Lozano M.
;
Pellegrini G.
会议名称:
《Spanish Conference on ELectron Devices》
|
2009年
73.
Parameter Extraction of a Solar Cell Compact Model usign Genetic Algorithms
机译:
使用遗传算法的太阳能电池紧凑型模型的参数提取
作者:
Moldovan Nicolai
;
Picos Rodrigo
;
Garcia-Moreno Eugenio
会议名称:
《Spanish Conference on ELectron Devices》
|
2009年
74.
Frequency response of T-shaped Three Branch Junctions as Mixers and Detectors
机译:
T形三分支结的频率响应作为混合器和探测器
作者:
Iniguez-de-la-Torre I.
;
Gonzalez T.
;
Pardo D.
;
Gardes C.
;
Roelens Y.
;
Bollaert S.
;
Mateos J.
会议名称:
《Spanish Conference on ELectron Devices》
|
2009年
75.
The Design of an Infrared Sensor for the Measurement of Martian Surface Temperature and Gas Concentration
机译:
用于测量火星表面温度和气体浓度的红外传感器的设计
作者:
Aranda Jose M.
;
de Castro Antonio J.
;
Melendez Juan
;
Cortes Francisco
;
Fernaindez-Gomez Isabel
;
Lopez Fernando
会议名称:
《Spanish Conference on ELectron Devices》
|
2009年
76.
On the computation of high frequency current in nanoelectronic ballistic devices
机译:
纳米电子弹道装置高频电流计算
作者:
Alarcon A.
;
Benali A.
;
Albareda G.
;
Oriols X.
会议名称:
《Spanish Conference on ELectron Devices》
|
2009年
77.
Interfacial Properties of HfO
2
/ SiN/Si Gate Structures
机译:
HFO
2 INF> / SIN / SI门结构的界面性质
作者:
Toledano-Luque M.
;
del Prado A.
;
Feijoo P. C.
;
Amezaga A.
;
Andres E. San
;
Lucia M. L.
会议名称:
《Spanish Conference on ELectron Devices》
|
2009年
78.
Room temperature conductometric gas sensors based on metal oxide nanowires and nanocrystals
机译:
基于金属氧化物纳米线和纳米晶体的室温电导气体传感器
作者:
Manzanares M.
;
Prades J. D.
;
Cirera A
;
Andreu T.
;
Hernandez-Ramirez F.
;
Jimenez-Rodriguez R.
;
Romano-Rodriguez A.
;
Morante J.R.
会议名称:
《Spanish Conference on ELectron Devices》
|
2009年
79.
Study of Atomic Layer Deposited Zirconium Oxide Thin Films by Using Mono-Cyclopentadienyl Based Precursors
机译:
基于单环戊二烯基的前体研究原子层沉积氧化锆薄膜
作者:
Castan H.
;
Duenas S.
;
Garcia H.
;
Gomez A.
;
Bailon L.
;
Kukli K.
;
Niinisto J.
;
Ritala M.
;
Leskela M.
会议名称:
《Spanish Conference on ELectron Devices》
|
2009年
80.
Electrical characterization of high-k based MIS capacitors using flat-band voltage transients
机译:
基于高k的MIS电容器使用扁平带电压瞬变的电气表征
作者:
Garcia H.
;
Duenas S.
;
Castan H.
;
Gomez A.
;
Bailon L.
;
Kukli K.
;
Hatanpaa T.
;
Aarik J.
;
Aidla A.
;
Ritala M.
;
Leskela M.
会议名称:
《Spanish Conference on ELectron Devices》
|
2009年
81.
Emitter Geometry effects in 200 GHz SiGe Heterojunction Bipolar Transistor
机译:
200 GHz SiGe异质结双极晶体管中的发射极几何效果
作者:
Lopez-Gonzalez Juan M.
会议名称:
《Spanish Conference on ELectron Devices》
|
2009年
82.
Analysis of GaAs-Ti thin films deposited by sputtering onto c-Si and GaAs
机译:
通过溅射沉积的GaAs-Ti薄膜在C-Si和GaAs上分析
作者:
Silvestre S.
;
Puigdollers J.
;
Boronat A.
;
Castaner L.
会议名称:
《Spanish Conference on ELectron Devices》
|
2009年
83.
Carrier mobility degradation in highly B-doped junctions
机译:
在高度B掺杂的结中的载流子迁移率降解
作者:
Aboy Maria
;
Pelaz Lourdes
;
Lopez Pedro
;
Bruno E.
;
Mirabella S.
会议名称:
《Spanish Conference on ELectron Devices》
|
2009年
84.
Advanced characterization of multijunction solar cells with electroluminescence
机译:
具有电致发光的多结太阳能电池的高级表征
作者:
Espinet P.
;
Rey-Stolle I.
;
Algora C.
会议名称:
《Spanish Conference on ELectron Devices》
|
2009年
85.
Accurate Simulation of the Electron Density of Surrounding Gate Transistors
机译:
精确模拟周围栅极晶体管的电子密度
作者:
Ruiz F. G.
;
Tienda-Luna I. M.
;
Godoy A.
;
Sampedro C.
;
Gamiz F.
会议名称:
《Spanish Conference on ELectron Devices》
|
2009年
86.
MEMS solar sensor testing for satellite applications
机译:
MEMS卫星应用的太阳能传感器测试
作者:
Ortega J. Garcia
;
Tarrida C. L.
;
Quero J. M.
;
Delgado F. J.
;
Ortega P.
;
Castaner L.
;
Reina M.
;
Angulo M.
;
Morilla Y.
;
Lopez J. Garcia
会议名称:
《Spanish Conference on ELectron Devices》
|
2009年
87.
Experimental characterization of NBTI effect on pMOSFET and CMOS inverter
机译:
对PMOSFET和CMOS逆变器对NBTI影响的实验表征
作者:
Fernandeza R.
;
Kaczer B.
;
Gago J.
;
Rodriguez R.
;
Nafria M.
会议名称:
《Spanish Conference on ELectron Devices》
|
2009年
88.
Analysis of RF noise performance of Si/SiGe pseudomorphic MOSFETs
机译:
Si / SiGe Pseudomorphic MOSFET的RF噪声性能分析
作者:
Calvo-Gallego Jaime
;
Fobelets Kristel
;
Perez J.E. Velazquez
会议名称:
《Spanish Conference on ELectron Devices》
|
2009年
89.
Influence of Si surface on damage generation and recombination
机译:
Si表面对损伤生成和重组的影响
作者:
Santos Ivan
;
Marques Luis A.
;
Pelaz Lourdes
;
Lopez Pedro
;
Aboy Maria
会议名称:
《Spanish Conference on ELectron Devices》
|
2009年
90.
Simulated and experimental angular response of a commercial MOSFET used as dosimeter
机译:
用作剂量计的商业MOSFET的模拟和实验角响应
作者:
Carvajal M. A.
;
Garcia-Pareja S.
;
Vilches M.
;
Guirado D.
;
Anguiano M.
;
Palma A. J.
;
Lallena A. M.
会议名称:
《Spanish Conference on ELectron Devices》
|
2009年
91.
A Circuit Interface for Resistive Sensors
机译:
电阻传感器的电路接口
作者:
Revuelto J.
;
Calvo B.
;
Medrano N.
;
Celma S.
;
Zatorre G.
会议名称:
《Spanish Conference on ELectron Devices》
|
2009年
92.
Analytical Modeling of Effective Conduction Path Effect (ECPE) on the Subthreshold Swing of DG-MOSFETs
机译:
DG-MOSFET的亚阈值摆动上有效传导路径效应的分析模型
作者:
Tiwari Pramod Kumar
;
Panda Chinmaya Ranjan
;
Agarwal Anupam
;
Sharma Prateek
;
Jit S.
会议名称:
《Spanish Conference on ELectron Devices》
|
2009年
93.
Solar Grade Silicon production through trichlorosilane decomposition
机译:
通过三氯硅烷分解的太阳能级硅生产
作者:
del Coso G.
;
Zamorano J.C.
;
del Canizo C.
;
Lelievre J.F.
;
Hofstetter J.
;
Luque A.
会议名称:
《Spanish Conference on ELectron Devices》
|
2009年
94.
Model Based Design of an Adaptive Transmission Module for Non-Line of Sight OFDM System (WiMAX)
机译:
基于模型的非视网膜系统自适应传输模块设计(WiMAX)
作者:
Mera Maria I.
;
Estrada Rebeca L.
会议名称:
《Spanish Conference on ELectron Devices》
|
2009年
95.
UV photosensors based on individual semiconductor nanowires
机译:
基于各个半导体纳米线的UV光电传感器
作者:
Prades J. D.
;
Jimenez-Diaz R.
;
Andreu T.
;
Cirera A.
;
Romano-Rodriguez A.
;
Cornet A.
;
Hernandez-Ramirez F.
;
Mathur S.
;
Morante J. R.
会议名称:
《Spanish Conference on ELectron Devices》
|
2009年
96.
Quantum-Monte Carlo simulation of ultra-short DGSOI devices: A Multi-Subband approach
机译:
超短DGSOI器件的量子蒙特卡罗模拟:多亚带方法
作者:
Sampedro Carlos
;
Valin Raul
;
Gamiz Francisco
;
Garcia-Loureiro Antonio
;
Godoy Andres
;
Ruiz F. G.
会议名称:
《Spanish Conference on ELectron Devices》
|
2009年
97.
Synthesis of Ordered Polymer Micro and Nanostructures Via Porous Templates
机译:
多孔模板合成有序聚合物微纳米结构
作者:
Palacios R.
;
Formentin P.
;
Santos A.
;
Pallares J.
;
Trifonov T.
;
Alcubilla R.
;
Marsal L. F.
会议名称:
《Spanish Conference on ELectron Devices》
|
2009年
98.
High Frequency and Noise Model of Gate-All-Around MOSFETs
机译:
门 - 全面MOSFET的高频和噪声模型
作者:
Nae B.
;
Lazaro A.
;
Iniguez B.
会议名称:
《Spanish Conference on ELectron Devices》
|
2009年
99.
Tunability of a double-cavity Fabry-P??rot system based on 1D Photonic Crystals
机译:
基于1D光子晶体的双腔Fabry-P ??腐烂系统的可随局性
作者:
Cos J.
;
Ferre-Borrull J.
;
Pallares J.
;
Marsal L. F.
会议名称:
《Spanish Conference on ELectron Devices》
|
2009年
100.
Pulsed Laser Melting Effects on Single Crystal Gallium Phosphide
机译:
脉冲激光熔化对单晶镓磷化镓的影响
作者:
Pastor D.
;
Olea J.
;
Toledano-Luque M.
;
Martil I.
;
Gonzalez-Diaz G.
;
Ibanez J.
;
Cusco R.
;
Artus L.
会议名称:
《Spanish Conference on ELectron Devices》
|
2009年
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