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International Conference on Indium Phosphide & Related Materials
International Conference on Indium Phosphide & Related Materials
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1.
InAs/InP core-shell nanowire transistors with outstanding device performance
机译:
INAS / INP核心壳纳米线晶体管,具有出色的设备性能
作者:
Satoshi Sasaki
会议名称:
《International Conference on Indium Phosphide Related Materials》
|
2016年
关键词:
Nanoscale devices;
Logic gates;
Laboratories;
Field effect transistors;
Gallium arsenide;
2.
MOVPE growth of N-polar GaN/AlxGa1?xN/GaN heterostructure on small off-cut substrate for flat interface
机译:
N极GaN / ALXGA1的MOVPE生长在平界面小型切割基板上的XN / GaN异质结构
作者:
K. Prasertsuk
;
S. Tanaka
;
T. Tanikawa
;
K. Shojiki
;
T. Kimura
;
A. Miura
;
R. Nonoda
;
F. Hemmi
;
S. Kuboya
;
R. Katayama
;
T. Suemitsu
;
T. Matsuoka
会议名称:
《International Conference on Indium Phosphide Related Materials》
|
2016年
关键词:
HEMTs;
Gallium nitride;
MODFETs;
Epitaxial layers;
Temperature measurement;
Epitaxial growth;
Substrates;
3.
Small responsivity imbalance of InP-based p-i-n photodiode array monolithically integrated with 90° hybrid using asymmetric waveguide phase shifter for coherent detection
机译:
基于INP的P-I-N光电二极管阵列的小响应性不平衡与使用不对称波导移相器与相干检测的90°混合物体单片相结合
作者:
T. Okimoto
;
H. Yagi
;
R. Masuyama
;
K. Sakurai
;
Y. Nishimoto
;
T. Kikuchi
;
K. Horino
;
T. Watanabe
;
M. Ekawa
;
M. Takechi
;
Y. Yoneda
会议名称:
《International Conference on Indium Phosphide Related Materials》
|
2016年
关键词:
Phase shifters;
Optical waveguides;
Receivers;
PIN photodiodes;
Semiconductor waveguides;
Modulation;
4.
Organic photovoltaic cell fabricated by electrospray deposition using non-halogenated solvent
机译:
使用非卤化溶剂通过电喷雾沉积制造的有机光伏电池
作者:
Kazuya Takahira
;
Asuki Toda
;
Katsumi Suzuki
;
Takeshi Fukuda
;
Norihiko Kamata
;
Zentaro Honda
会议名称:
《International Conference on Indium Phosphide Related Materials》
|
2016年
关键词:
Solvents;
Electrostatic discharges;
Photovoltaic cells;
Glass;
Compounds;
Atomic measurements;
Additives;
5.
Growth of InGaAsP-based MQW layer on InP template bonded to Si substrate for fabricating membrane lasers
机译:
基于INP模板的InGaASP的MQW层的生长与Si基板制成膜激光器
作者:
Takuro Fujii
;
Koji Takeda
;
Erina Kanno
;
Hidetaka Nishi
;
Koichi Hasebe
;
Tsuyoshi Yamamoto
;
Takaaki Kakitsuka
;
Shinji Matsuo
会议名称:
《International Conference on Indium Phosphide Related Materials》
|
2016年
关键词:
Indium phosphide;
III-V semiconductor materials;
Quantum well devices;
Epitaxial growth;
Substrates;
Lasers;
Silicon;
6.
Electronic structure of CNT thin films with nanointerfaces under an electronic field
机译:
电子场下纳米叶片CNT薄膜的电子结构
作者:
Taketo Kochi
;
Susumu Okada
会议名称:
《International Conference on Indium Phosphide Related Materials》
|
2016年
关键词:
Compounds;
Carbon nanotubes;
Density functional theory;
Capacitance;
Electrodes;
7.
Observation of spontaneous terahertz emission from optically pumped monolayer intrinsic graphene
机译:
光学泵浦单层内在石墨烯自发性太赫兹排放的观察
作者:
Takayuki Watanabe
;
Hiroyuki Wako
;
Akira Satou
;
Alexander A. Dubinov
;
Kenji Kawahara
;
Hiroki Ago
;
Victor Ryzhii
;
Taiichi Otsuji
会议名称:
《International Conference on Indium Phosphide Related Materials》
|
2016年
关键词:
Stimulated emission;
Optical pumping;
Ultrafast optics;
Graphene;
Optical materials;
Compounds;
Physics;
8.
Growth of ZnO and indium-doped ZnO structures for dye-sensitized solar cells
机译:
ZnO和铟掺杂ZnO结构的染料敏化太阳能电池的生长
作者:
Ya-Fen Wu
;
Hung-Pin Hsu
;
Wei-You Chen
;
Jiunn-Chyi Lee
会议名称:
《International Conference on Indium Phosphide Related Materials》
|
2016年
关键词:
Zinc oxide;
II-VI semiconductor materials;
Temperature measurement;
Semiconductor device measurement;
Scanning electron microscopy;
Optical variables measurement;
Photovoltaic cells;
9.
An application of graphene field effect transistor to enzymatic assay
机译:
石墨烯场效应晶体管在酶析中的应用
作者:
Takao Ono
;
Yasushi Kanai
;
Yasuhide Ohno
;
Kenzo Maehashi
;
Koichi Inoue
;
Kazuhiko Matsumoto
会议名称:
《International Conference on Indium Phosphide Related Materials》
|
2016年
关键词:
Molecular biophysics;
Graphene;
Field effect transistors;
Biosensors;
Compounds;
Agriculture;
10.
In0.7Ga0.3As quantum-well MOSFETs with record gm and effective mobility
机译:
In0.7ga0.3as量子井MOSFET,具有记录通用汽车和有效的移动性
作者:
S.-W. Son
;
J.S Kim
;
J.H Park
;
J.M Baek
;
D.-K Kim
;
J.-H Lee
;
D.-H Kim
会议名称:
《International Conference on Indium Phosphide Related Materials》
|
2016年
关键词:
MOSFET;
Logic gates;
Transconductance;
Indium gallium arsenide;
Semiconductor device modeling;
Performance evaluation;
Electrostatics;
11.
Hydrophilic graphene film by molecular functionalization
机译:
通过分子官能化进行亲水性石墨烯膜
作者:
Yoshiaki Taniguchi
;
Tsubasa Miki
;
Takanori Mitsuno
;
Yasuhide Ohno
;
Masao Nagase
;
Keiji Minagawa
;
Mikito Yasuzawa
会议名称:
《International Conference on Indium Phosphide Related Materials》
|
2016年
关键词:
Graphene;
Conductivity;
Films;
Indium tin oxide;
Semiconductor device measurement;
Time measurement;
12.
Introducing uniaxial local strain to graphene encapsulated with hBN
机译:
用HBN引入单轴局部应变封装的石墨烯
作者:
Hikari Tomori
;
Rineka Hiraide
;
Youiti Ootuka
;
Kenji Watanabe
;
Takashi Taniguchi
;
Akinobu Kanda
会议名称:
《International Conference on Indium Phosphide Related Materials》
|
2016年
关键词:
Strain;
Graphene;
Lattices;
Compounds;
Charge carriers;
Ions;
Etching;
13.
Increasing the emission wavelength of InAs quantum dot grown on InP substrates using a dot in well structure
机译:
增加在INP基板上生长的INAS量子点的发射波长使用井结构圆点
作者:
Kouichi Akahane
;
Atsushi Matsumoto
;
Toshimasa Umezawa
;
Naokatsu Yamamoto
;
Keita Hashimoto
;
Hiroshi Takai
会议名称:
《International Conference on Indium Phosphide Related Materials》
|
2016年
关键词:
Quantum dots;
Substrates;
Temperature measurement;
Compounds;
Indium phosphide;
III-V semiconductor materials;
Information and communication technology;
14.
Demonstration of RF-DC conversion using dual diode rectifier circuit for rectenna with diamond Schottky barrier diodes
机译:
用钻石肖特基势垒二极管使用双二极管整流电路的RF-DC转换的演示
作者:
Toshiyuki Oishi
;
Naoto Kawano
;
Makoto Kasu
会议名称:
《International Conference on Indium Phosphide Related Materials》
|
2016年
关键词:
Schottky diodes;
Diamond;
Rectennas;
Schottky barriers;
Radio frequency;
Resistance;
15.
Ultra-thin body InAs-MOSFETs with elevated source/drain contacts
机译:
超薄体INAS-MOSFET,带有升高的源/漏极触点
作者:
M. Ridaoui
;
M. Pastorek
;
A.B.D. Fadjie
;
N. Wichmann
;
A. Jaouad
;
H. Maher
;
S. Bollaert
会议名称:
《International Conference on Indium Phosphide Related Materials》
|
2016年
关键词:
MOSFET;
Nickel;
Annealing;
Aluminum oxide;
Logic gates;
III-V semiconductor materials;
16.
Efficient and stable large-area perovskite solar cells
机译:
高效稳定的大面积钙钛矿太阳能电池
作者:
Liyuan Han
会议名称:
《International Conference on Indium Phosphide Related Materials》
|
2016年
关键词:
Photovoltaic cells;
Compounds;
Power conversion;
Robustness;
Fabrication;
Apertures;
Photovoltaic systems;
17.
Low-frequency and radio-frequency C-V characterization of epitaxially grown InAs/high-k vertical nanowire MOS gate stacks
机译:
外延生长inas /高k垂直纳米线MOS栅极堆叠的低频和射频C-V表征
作者:
Jun Wu
;
Kristofer Jansson
;
Aein Shiri Banadi
;
Erik Lind
;
Lars-Erik Wernersson
会议名称:
《International Conference on Indium Phosphide Related Materials》
|
2016年
关键词:
Radio frequency;
Capacitance-voltage characteristics;
Logic gates;
Electron traps;
Nanoscale devices;
Compounds;
Epitaxial growth;
18.
G-Band MMIC resonant tunneling diode oscillators
机译:
G波段MMIC谐振隧道二极管振荡器
作者:
Jue Wang
;
Abdullah Khalidi
;
Khalid Alharbi
;
Afesomeh Ofiare
;
Haiping Zhou
;
Edward Wasige
会议名称:
《International Conference on Indium Phosphide Related Materials》
|
2016年
关键词:
Oscillators;
Silicon;
Resonant tunneling devices;
Semiconductor diodes;
Power generation;
Semiconductor device measurement;
MMICs;
19.
Effect of defects on graphene thermoelectric properties
机译:
缺陷对石墨烯热电性能的影响
会议名称:
《International Conference on Indium Phosphide Related Materials》
|
2016年
20.
Transmission performance improvement of semiconductor lasers by hybrid modulation scheme
机译:
混合调制方案传输性能改进半导体激光器
作者:
S. Mieda
;
N. Yokota
;
W. Kobayashi
;
H. Yasaka
会议名称:
《International Conference on Indium Phosphide Related Materials》
|
2016年
关键词:
Semiconductor lasers;
Bandwidth;
Chirp;
Frequency modulation;
Dispersion;
Photonics;
21.
High quality bulk GaN crystal grown by acidic ammonothermal method
机译:
酸性氨水法生长的高品质散装GaN晶体
作者:
Quanxi Bao
;
Makoto Saito
;
Kouhei Kurimoto
;
Daisuke Tomida
;
Kazunobu Kojima
;
Yuji Kagamitani
;
Rinzo Kayano
;
Tohru Ishiguro
;
Shigefusa F. Chichibu
会议名称:
《International Conference on Indium Phosphide Related Materials》
|
2016年
关键词:
Gallium nitride;
Crystals;
Substrates;
Chemicals;
Steel;
Mass production;
22.
Optical and transport properties of Ni-doped MoS2
机译:
Ni掺杂MOS2的光学和传输性能
作者:
Tsung-Shine Ko
;
Shi-Ming Jian
;
Cheng-Ching Huang
;
Der-Yuh Lin
会议名称:
《International Conference on Indium Phosphide Related Materials》
|
2016年
关键词:
Optical device fabrication;
Optical variables measurement;
Electrical resistance measurement;
Semiconductor device measurement;
Photoconductivity;
Nickel;
Compounds;
23.
Fabrication of α-Ga2O3 thin films using α-AlxGa1?x)2O3 buffer layers and its crystal structure properties
机译:
使用α-AlxGA1α-α-Ga2O3薄膜的制备2O3缓冲层及其晶体结构性能
作者:
Riena Jinno
;
Takayuki Uchida
;
Kentaro Kaneko
;
Shizuo Fujita
会议名称:
《International Conference on Indium Phosphide Related Materials》
|
2016年
关键词:
Substrates;
Buffer layers;
Fabrication;
Azimuth;
Photonic band gap;
Diffraction;
Compounds;
24.
Enhancing light extraction from III-nitride devices using moth-eye nanostructures formed by colloidal lithography
机译:
使用胶体光刻形成的蛾眼纳米结构增强III-氮化物装置的光提取
作者:
Christopher D. Pynn
;
Federico L. Gonzalez
;
Lesley Chan
;
Alexander Berry
;
Sang Ho Oh
;
Tal Margalith
;
Daniel E. Morse
;
Shuji Nakamura
;
Michael J. Gordon
;
Steven P. DenBaars
会议名称:
《International Conference on Indium Phosphide Related Materials》
|
2016年
关键词:
Gallium nitride;
Nanostructures;
Colloidal lithography;
Chemical engineering;
Computers;
Biology;
25.
Spatio-time-resolved cathodoluminescence study on high AlN mole fraction AlxGa1?xN structures grown by metalorganic vapor phase epitaxy
机译:
用金属有机气相外延生长的高AlN摩尔分数AlxGA1α结构的时空分离的阴极致发光研究
作者:
Shigefusa F Chichibu
;
Youichi Ishikawa
;
Kentaro Furusawa
;
Akira Uedono
;
Hideto Miyake
;
Kazumasa Hiramatsu
会议名称:
《International Conference on Indium Phosphide Related Materials》
|
2016年
关键词:
Temperature measurement;
Aluminum nitride;
III-V semiconductor materials;
Luminescence;
Semiconductor device measurement;
Compounds;
Epitaxial growth;
26.
Structural and Electrical Transport Properties of Si doped GaN nanowires
机译:
Si掺杂GaN纳米线的结构和电气传输性能
作者:
Zhihua Fang
;
Eric Robin
;
Elena Rozas-Jiménez
;
Ana Cros
;
Fabrice Donatini
;
Nicolas Mollard
;
Julien Pernot
;
Bruno Daudin
会议名称:
《International Conference on Indium Phosphide Related Materials》
|
2016年
关键词:
Silicon;
Gallium nitride;
Doping;
Nanowires;
Molecular beam epitaxial growth;
Semiconductor device measurement;
Field effect transistors;
27.
Gate delay analysis in two-step recess gate InGaAs-HEMTs with slant field plates
机译:
具有倾斜场板的两步凹槽InGaAs-Hemts中的闸门延迟分析
作者:
Tomotaka Hosotani
;
Taiichi Otsuji
;
Tetsuya Suemitsu
会议名称:
《International Conference on Indium Phosphide Related Materials》
|
2016年
关键词:
Logic gates;
Delays;
Compounds;
Cutoff frequency;
28.
Array of entangled-light-emitting diodes with site-controlled pyramidal quantum dots
机译:
具有站点控制的金字塔型量子点的缠结发光二极管阵列
作者:
Tung-Hsun Chung
;
Gediminas Juska
;
Stefano T. Moroni
;
Agnieszka Gocalinska
;
Andrea Pescaglini
;
Emanuele Pelucchi
会议名称:
《International Conference on Indium Phosphide Related Materials》
|
2016年
关键词:
Quantum dots;
Quantum entanglement;
Compounds;
Semiconductor diodes;
Photonics;
Light sources;
Information technology;
29.
Electronic properties of chalcogenide semiconductor nanostructures and thin-films
机译:
硫属化物半导体纳米结构和薄膜的电子性质
作者:
Oded Millo
会议名称:
《International Conference on Indium Phosphide Related Materials》
|
2016年
关键词:
Semiconductor device measurement;
Temperature measurement;
Tunneling;
Doping;
Atomic measurements;
Microscopy;
II-VI semiconductor materials;
30.
Experimental demonstration of strain detection using resonant tunneling delta-sigma modulation sensors
机译:
使用谐振隧道δ-Sigma调制传感器的应变检测实验证明
作者:
Takumi Tajika
;
Yuichiro Kakutani
;
Masayuki Mori
;
Koichi Maezawa
会议名称:
《International Conference on Indium Phosphide Related Materials》
|
2016年
关键词:
Resonant frequency;
Strain;
Oscillators;
Frequency conversion;
Frequency modulation;
Sensor phenomena and characterization;
31.
Lamb wave dispersion in gallium nitride micromechanical resonators
机译:
氮化镓微机械谐振器中的羊光波分散体
作者:
Haoshen Zhu
;
Azadeh Ansari
;
Mina Rais-Zadeh
会议名称:
《International Conference on Indium Phosphide Related Materials》
|
2016年
关键词:
Gallium nitride;
Dispersion;
Semiconductor device measurement;
Resonant frequency;
Acoustics;
Radio frequency;
HEMTs;
32.
Material conversion of GaAs nanowires by post growth treatment
机译:
经济型治疗后GaAs纳米线的材料转化
作者:
Kohei Nishioka
;
Hidetoshi Suzuki
;
Kentaro Sakai
;
Fumitaro Ishikawa
会议名称:
《International Conference on Indium Phosphide Related Materials》
|
2016年
关键词:
Nanowires;
Gallium arsenide;
Heating;
Indium;
Indium gallium arsenide;
Heat treatment;
33.
Selective Area growth of GaSb nano-templates on GaAs (001) using atomic hydrogen assisted Molecular Beam Epitaxy
机译:
使用原子氢辅助分子束外延的GaAs(001)上的Gasb纳米模板的选择性区域生长
作者:
Ludovic Desplanque
;
Maria Fahed
;
David Troadec
;
Pierre Ruterana
;
Xavier Wallart
会议名称:
《International Conference on Indium Phosphide Related Materials》
|
2016年
关键词:
Gallium arsenide;
Atomic layer deposition;
Hydrogen;
Molecular beam epitaxial growth;
Atomic beams;
34.
The effect of surface passivation on the electrical performance of Al-GaN/GaN HEMTs with slant field plates
机译:
表面钝化对倾斜场板的Al-GaN / GaN Hemts电性能的影响
作者:
Heng-Tung Hsu
;
Yueh-Chin Lin
;
Lu-Che Huang
;
Chia-Hua Chang
;
Ting-En Hsieh
;
Yasushi Itoh
;
Edward Yi Chang
会议名称:
《International Conference on Indium Phosphide Related Materials》
|
2016年
关键词:
Passivation;
HEMTs;
MODFETs;
Radio frequency;
Performance evaluation;
Silicon nitride;
35.
Eu concentration dependence of Eu doped GaN nanocolumns grown by RF-plasma-assisted molecular beam epitaxy
机译:
欧盟浓度依赖性欧盟掺杂GaN纳克Quer的RF-等离子体辅助分子束外延
作者:
Tomohiko Imanishi
;
Hiroto Sekiguchi
;
Satoshi Nishikawa
;
Kohei Ozaki
;
Keisuke Yamane
;
Hiroshi Okada
;
Katsumi Kishino
;
Akihiro Wakahara
会议名称:
《International Conference on Indium Phosphide Related Materials》
|
2016年
关键词:
Gallium nitride;
Molecular beam epitaxial growth;
Thermal stability;
Thermal engineering;
Stimulated emission;
Photoluminescence;
36.
Anomalous Ga incorporation into InGaAs microdiscs selectively grown on Si (111)
机译:
异常GA掺入Ingaas Microdiscs在Si(111)上选择性地生长
作者:
Tohma Watanabe
;
Masakazu Sugiyama
;
Yoshiaki Nakano
会议名称:
《International Conference on Indium Phosphide Related Materials》
|
2016年
关键词:
Indium gallium arsenide;
Silicon;
Shape;
Epitaxial growth;
Substrates;
Lattices;
Solids;
37.
Suppressing Ge diffusion by GaAsSb for molecular beam epitaxy of InGaAs on Ge
机译:
通过Gaassb抑制GE扩散在GE上InGaAs的分子束外延
作者:
Wei-Jen Hsueh
;
Pei-Chin Chiu
;
Ming-Hwei Hong
;
Jen-Inn Chyi
会议名称:
《International Conference on Indium Phosphide Related Materials》
|
2016年
关键词:
Molecular beam epitaxial growth;
Gallium arsenide;
Indium gallium arsenide;
Electrical engineering;
Physics;
Ions;
38.
Growth of Type-II InP quantum dots in InGaP matrix by using solid-source molecular beam epitaxy for intermediate-band solar cells
机译:
使用固体源分子束外延对中间带太阳能电池的固态源分子束型II型II型INP量子点的生长
作者:
Takeyoshi Sugaya
;
Takeshi Tayagaki
会议名称:
《International Conference on Indium Phosphide Related Materials》
|
2016年
关键词:
Indium phosphide;
III-V semiconductor materials;
Quantum dots;
Molecular beam epitaxial growth;
Compounds;
Photovoltaic cells;
Photoluminescence;
39.
1-D electronic density of states for InAs/InP Quantum Dashes probed by scanning tunneling spectroscopy
机译:
通过扫描隧道光谱探测INAS / INP量子划线的1-D电子密度
作者:
Jean-Christophe Girard
;
Konstantinos Papatryfonos
;
Guillemin Rodary
;
Christophe David
;
Fran?ois Lelarge
;
Abderrahim Ramdane
会议名称:
《International Conference on Indium Phosphide Related Materials》
|
2016年
关键词:
Semiconductor device measurement;
Quantum dots;
Tunneling;
Spectroscopy;
Nanostructures;
Semiconductor lasers;
Performance evaluation;
40.
Analysis of dual-section DFB-QCLs for spectroscopic applications
机译:
用于光谱应用的双段DFB-QCL分析
作者:
Martin J. Süess
;
Johanna M. Wolf
;
Pierre Jouy
;
Christopher Bonzon
;
Mattias Beck
;
Morten Hundt
;
Béla Tuzson
;
Lukas Emmenegger
;
Jér?me Faist
会议名称:
《International Conference on Indium Phosphide Related Materials》
|
2016年
关键词:
Quantum cascade lasers;
Measurement by laser beam;
Semiconductor device measurement;
Coatings;
Spectroscopy;
Finite element analysis;
Temperature measurement;
41.
ITO/nano-Ag plasmonic window applied for efficiency improvement of near-ultraviolet light emitting diodes
机译:
施用ITO /纳米AG等型窗口,用于近紫外发光二极管的效率改进
作者:
Ching-Ho Tien
;
Chia-Hao Zhang
;
Shih-Hao Chung
;
Sin-Liang Ou
;
Ray-Hua Horng
;
Dong-Sing Wuu
会议名称:
《International Conference on Indium Phosphide Related Materials》
|
2016年
关键词:
Nanoparticles;
Plasmons;
Light emitting diodes;
Rough surfaces;
Surface roughness;
Surface treatment;
Compounds;
42.
Comprehensive analysis on electrically pumped metallic cavity lasers
机译:
电泵金属腔激光器综合分析
作者:
Chuanqing Yu
;
Baifu Zhang
;
Yi Xiao
;
Takuo Tanemura
;
Yoshiaki Nakano
会议名称:
《International Conference on Indium Phosphide Related Materials》
|
2016年
关键词:
Indium compounds;
Cavity resonators;
Semiconductor lasers;
Optical pumping;
Silicon compounds;
Stimulated emission;
43.
p-BaSi2/n-Si heterojunction solar cells with 9.0 efficiency
机译:
P-Basi2 / N-Si异质结太阳能电池,效率为9.0%
作者:
Suguru Yachi
;
Ryota Takabe
;
Daichi Tsukahara
;
Hiroki Takeuchi
;
Kaoru Toko
;
Takashi Suemasu
会议名称:
《International Conference on Indium Phosphide Related Materials》
|
2016年
关键词:
Photovoltaic cells;
Heterojunctions;
Molecular beam epitaxial growth;
Surface treatment;
Compounds;
Epitaxial layers;
Substrates;
44.
Optical pulse response of 20 layer-stacked QD-SOA grown with the strain compensation technique by using an optical frequency comb
机译:
通过使用光学频率梳使用应变补偿技术20层堆叠QD-SOA的光脉冲响应
作者:
Atsushi Matsumoto
;
Kouichi Akahane
;
Takahide Sakamoto
;
Toshimasa Umezawa
;
Atsushi Kanno
;
Naokatsu Yamamoto
会议名称:
《International Conference on Indium Phosphide Related Materials》
|
2016年
关键词:
Optical pulses;
Strain;
Optical harmonic generation;
Compounds;
Information and communication technology;
Substrates;
Optical distortion;
45.
Highly fabrication tolerant polarization converter for generic photonic integration technology
机译:
通用光子集成技术的高度制造耐偏振转换器
作者:
M. Baier
;
F.M. Soares
;
T. Gaertner
;
R. Weiser
;
M. Moehrle
;
N. Grote
;
M. Schell
会议名称:
《International Conference on Indium Phosphide Related Materials》
|
2016年
关键词:
Optical waveguides;
Indium phosphide;
III-V semiconductor materials;
Optical device fabrication;
Transmission line matrix methods;
Semiconductor device measurement;
46.
Anomalous temperature dependence of magnetic properties in Mn-doped ZnSnAs2 epitaxial thin films
机译:
磁性特性在Mn掺杂ZnSNAS2外延薄膜中的异常温度依赖性
作者:
Shiro Hidaka
;
Hideyuki Toyota
;
Naotatka Uchitomi
会议名称:
《International Conference on Indium Phosphide Related Materials》
|
2016年
关键词:
Magnetization;
Frequency modulation;
Temperature dependence;
Temperature;
Manganese;
Compounds;
Epitaxial growth;
47.
Growth and doping control of Ge/Si and Si/Ge core-shell nanowires
机译:
GE / Si和Si / Ge Core-Shell纳米线的生长和掺杂控制
作者:
K. Nishibe
;
W. Jevasuwan
;
M. Mitome
;
Y. Bando
;
Zhong Lin Wang
;
N. Fukata
会议名称:
《International Conference on Indium Phosphide Related Materials》
|
2016年
关键词:
Silicon;
Phonons;
Lattices;
Doping;
Optical imaging;
Nanowires;
Impurities;
48.
Thermal current-induced charge redistribution in wide CVD-grown graphene constriction
机译:
热流诱导的电荷再分布在宽CVD-生长的石墨烯收缩中
作者:
Chiashain Chuang
;
Tak-Pong Woo
;
Fan-Hung Liu
;
Masahiro Matsunaga
;
Yuichi Ochiai
;
Chi-Te Liang
;
Nubuyuki Aoki
会议名称:
《International Conference on Indium Phosphide Related Materials》
|
2016年
关键词:
Graphene;
Interference;
Grain boundaries;
Logic gates;
Scanning electron microscopy;
Compounds;
49.
Epitaxial growth on a dynamically rough substrate: A Monte Carlo model of graphene / Cu(111)
机译:
动态粗糙基板上的外延生长:石墨烯/ Cu的蒙特卡罗模型(111)
作者:
Gwilym Enstone
;
Peter Brommer
;
David Quigley
;
Gavin R. Bell
会议名称:
《International Conference on Indium Phosphide Related Materials》
|
2016年
关键词:
Graphene;
Semiconductor process modeling;
Epitaxial growth;
Substrates;
Monte Carlo methods;
Rough surfaces;
Surface roughness;
50.
Interface formation in semiconductor heterostructures at atomic resolution
机译:
原子分辨率半导体异质结构的界面形成
作者:
Kerstin Volz
会议名称:
《International Conference on Indium Phosphide Related Materials》
|
2016年
关键词:
Compounds;
Morphology;
Semiconductor devices;
Performance evaluation;
Strain;
Scanning electron microscopy;
51.
Integration of III–V heterostructure tunnel FETs on Si using Template Assisted Selective Epitaxy (TASE)
机译:
III-V异质结构隧道FET在SI上使用模板辅助选择性外延(TAS)的整合
作者:
Kirsten Emilie Moselund
;
Davide Cutaia
;
Heinz Schmid
;
Mattias Borg
;
Saurabh Sant
;
Andreas Schenk
;
Heike Riel
会议名称:
《International Conference on Indium Phosphide Related Materials》
|
2016年
关键词:
Field effect transistors;
Silicon;
Epitaxial growth;
Heterojunctions;
Compounds;
Fabrication;
Monolithic integrated circuits;
52.
Measurement of polarization dependence of two-photon absorption co-efficient β in InP using extended Z-scan technique for thick materials
机译:
使用延伸Z扫描技术对厚材料进行INP中双光子吸收共效β的偏振依赖性的测量
作者:
Masaki Oishi
;
Hiroyuki Bando
;
Tomohisa Shinozaki
;
Hikaru Hara
;
Toshio Matsusue
会议名称:
《International Conference on Indium Phosphide Related Materials》
|
2016年
关键词:
Semiconductor device measurement;
Wavelength measurement;
Absorption;
Thickness measurement;
Indium phosphide;
III-V semiconductor materials;
Compounds;
53.
High-efficiency cryogenic temperatures yellow quantum dot for light emitting diodes
机译:
用于发光二极管的高效低温温度黄量子点
作者:
A. Pescaglini
;
A. Gocalinska
;
G. Juska
;
S.T. Moroni
;
E. Pelucchi
会议名称:
《International Conference on Indium Phosphide Related Materials》
|
2016年
关键词:
Light emitting diodes;
Quantum dots;
Compounds;
Photoluminescence;
Radiative recombination;
Photonic band gap;
Cryogenics;
54.
Local strain engineering in monolayer MoS2
机译:
单层MOS2中的地方应变工程
作者:
Wataru Tomita
;
Katsushi Hashimoto
;
Ziqian Wang
;
Mingwei Chen
;
Yoshiro Hirayama
会议名称:
《International Conference on Indium Phosphide Related Materials》
|
2016年
关键词:
Strain;
Force;
Compounds;
Loading;
Microscopy;
Magnetic force microscopy;
55.
Geometric and electronic structures of GaN sheet
机译:
GaN板的几何和电子结构
作者:
Yanlin Gao
;
Susumu Okada
会议名称:
《International Conference on Indium Phosphide Related Materials》
|
2016年
关键词:
Gallium nitride;
Atomic layer deposition;
Density functional theory;
Photonic band gap;
Hydrogen;
Morphology;
56.
Flow-rate modulation epitaxy of nonpolar m-plane AlN homoepitaxial layers grown on AlN bulk substrates
机译:
在ALN散装基材上生长的非极性M平面ALN主页层的流速调制外延
作者:
Junichi Nishinaka
;
Yoshitaka Taniyasu
;
Tetsuya Akasaka
;
Kazuhide Kumakura
会议名称:
《International Conference on Indium Phosphide Related Materials》
|
2016年
关键词:
Aluminum nitride;
III-V semiconductor materials;
Surface morphology;
Surface treatment;
Modulation;
Epitaxial growth;
MOCVD;
57.
Fabrication of an a-plane AlGaN quantum well on r-plane sapphire
机译:
在R平面蓝宝石上制作A-Plane Algan量子井
作者:
Masafumi Jo
;
Hideki Hirayama
会议名称:
《International Conference on Indium Phosphide Related Materials》
|
2016年
关键词:
Aluminum gallium nitride;
Wide band gap semiconductors;
Fabrication;
Light emitting diodes;
Thermal stability;
58.
Current collapse suppression by SiO2 passivation in p-GaN/AlGaN/GaN enhancement-mode high electron mobility transistors
机译:
P-GaN / AlGaN / GaN增强模式高电子移动晶体管SiO2钝化的电流崩溃抑制
作者:
Shin-Yi Ho
;
Chih-Hao Wang
;
JianJang Huang
会议名称:
《International Conference on Indium Phosphide Related Materials》
|
2016年
关键词:
Logic gates;
HEMTs;
MODFETs;
Passivation;
Stress;
Current measurement;
Semiconductor device measurement;
59.
Magnetic moment in diluted magnetic semiconductor GaGdAs measured by HX-MCD
机译:
通过HX-MCD测量的稀释磁半导体Gagdas的磁矩
作者:
Hayato Miyagawa
;
Nakaba Funaki
;
Shyun Koshiba
;
Naoshi Takahashi
;
Masaichiro Mizumaki
;
Motohiro Suzuki
会议名称:
《International Conference on Indium Phosphide Related Materials》
|
2016年
关键词:
Magnetic semiconductors;
Magnetization;
Magnetic moments;
Gallium arsenide;
Substrates;
Semiconductor device measurement;
60.
Shape evolution and emission property of InP nanostructures under hydrides influence
机译:
氢化物影响下INP纳米结构的形状演化与排放性能
作者:
Enrica Mura
;
Agnieszka Gocalinska
;
Gediminas Juska
;
Stefano Moroni
;
Andrea Pescaglini
;
Emanuele Pelucchi
会议名称:
《International Conference on Indium Phosphide Related Materials》
|
2016年
关键词:
Indium phosphide;
III-V semiconductor materials;
Nanostructures;
Photoluminescence;
Morphology;
Shape;
Surface morphology;
61.
MBE growth and characterization of strained GaAsBi/GaAs MQWs
机译:
紧张的Gaasbi / Gaas MQWS的成长和表征
作者:
Pallavi Patil
;
Fumitaro Ishikawa
;
Satoshi Shimomura
会议名称:
《International Conference on Indium Phosphide Related Materials》
|
2016年
关键词:
Quantum well devices;
Gallium arsenide;
Substrates;
Rough surfaces;
Surface roughness;
62.
Circular photogalvanic effect in CdSe nanowires at room temperature
机译:
在室温下CDSE纳米线中的圆形光敏vanic效应
作者:
Ning Tang
;
Shan Zhang
;
Junxi Duan
;
Xin He
;
Lun Dai
;
Weikun Ge
;
Bo Shen
会议名称:
《International Conference on Indium Phosphide Related Materials》
|
2016年
关键词:
II-VI semiconductor materials;
Cadmium compounds;
Nanowires;
Photovoltaic effects;
Anisotropic magnetoresistance;
Logic gates;
Couplings;
63.
Observation of Hofstadter butterfly and valley Hall effect in hBN/graphene/hBN heterostructures
机译:
HBN /石墨烯/ HBN异质结构中HOFStadter蝴蝶和谷霍尔效应的观察
作者:
Katsuyoshi Komatsu
;
Eiichiro Watanabe
;
Daiju Tsuya
;
Kenji Watanabe
;
Takashi Taniguchi
;
Satoshi Moriyama
会议名称:
《International Conference on Indium Phosphide Related Materials》
|
2016年
关键词:
Hall effect;
Magnetic superlattices;
Graphene;
Compounds;
Boron;
Geometry;
64.
Challenges for ultra-thin and highly flexible OLEDs fabricated by roll to roll process
机译:
通过滚动加工制造的超薄和高度柔性OLED的挑战
作者:
Takashi Minakata
;
Mitsuru Tanamura
;
Yasuhiro Mitamura
;
Masayuki Imashiro
;
Akira Horiguchi
;
Akira Sugimoto
;
Masahiko Yamashita
;
Yukito Yada
;
Nobuki Ibaraki
;
Hiroshi Tomiyasu
会议名称:
《International Conference on Indium Phosphide Related Materials》
|
2016年
关键词:
Organic light emitting diodes;
Stress;
Fabrication;
Lighting;
Testing;
Compounds;
Performance evaluation;
65.
Dependence of locally thicker thin film formation by partial heating of a polymer solution film on the substrate from the bottom during drying on latent heat of vaporization
机译:
局部较厚的薄膜形成通过在蒸发过程中从底部的底部部分加热基板上的聚合物溶液膜的部分加热
作者:
Hiroyuki Kagami
会议名称:
《International Conference on Indium Phosphide Related Materials》
|
2016年
关键词:
Heating;
Polymers;
Resists;
Substrates;
Coatings;
Compounds;
Films;
66.
Narrow linewidth tunable semiconductor laser
机译:
窄线宽可调半导体激光器
作者:
Yasuhiro Matsui
;
Urban Eriksson
;
Jan-Olof Wesstrom
;
Yitong Liu
;
Stefan Hammerfeldt
;
Martin Hassler
;
Bj?rn Stoltz
;
Niclas Carlsson
;
Salehe Siraj
;
Edgard Goobar
会议名称:
《International Conference on Indium Phosphide Related Materials》
|
2016年
关键词:
Optical waveguides;
Laser tuning;
Waveguide lasers;
Heating;
Power generation;
67.
Epitaxial growth of GaN-based heterostructures of high quality on Si substrates using a large lattice-mismatch induced stress control technology
机译:
使用大格子错配诱导应力控制技术在Si基板上的GaN基异位结构的外延生长
作者:
J.P. Chen
;
X.L. Yang
;
M.J. Wang
;
B. Shen
会议名称:
《International Conference on Indium Phosphide Related Materials》
|
2016年
关键词:
Aluminum gallium nitride;
Wide band gap semiconductors;
Substrates;
Silicon;
Logic gates;
Gallium nitride;
MOSFET;
68.
Measurement of channel temperature in Ga2O3 MOSFETs
机译:
GA2O3 MOSFET中的通道温度测量
作者:
Man Hoi Wong
;
Yoji Morikawa
;
Kohei Sasaki
;
Akito Kuramata
;
Shigenobu Yamakoshi
;
Masataka Higashiwaki
会议名称:
《International Conference on Indium Phosphide Related Materials》
|
2016年
关键词:
Temperature measurement;
Electrical resistance measurement;
Semiconductor device measurement;
Time measurement;
Thermal resistance;
Compounds;
69.
High voltage low current collapse AlGaN/GaN MISHEMTs with in-situ SiN gate dielectric
机译:
高压低电流折叠AlGaN / GaN Mishemts与原位SIN栅极电介质
作者:
Huaxing Jiang
;
Chao Liu
;
Xing Lu
;
Kei May Lau
会议名称:
《International Conference on Indium Phosphide Related Materials》
|
2016年
关键词:
Logic gates;
Silicon compounds;
Dielectrics;
Passivation;
Fabrication;
Aluminum gallium nitride;
70.
Reduction of thermal conductivity in periodic silicon nanostructures
机译:
周期性硅纳米结构中的导热系数降低
作者:
Roman Anufriev
;
Jeremie Maire
;
Masahiro Nomura
会议名称:
《International Conference on Indium Phosphide Related Materials》
|
2016年
关键词:
Thermal conductivity;
Conductivity;
Silicon;
Nanostructures;
Compounds;
Mechatronics;
Phonons;
71.
GaAs/AlAs triple-coupled cavity with InAs quantum dots for ultrafast wavelength conversion devices
机译:
GaAs / ALAS三耦合腔,具有超快波长转换装置的INAS量子点
作者:
X.M. Lu
;
N. Kumagai
;
T. Kitada
;
T. Isu
会议名称:
《International Conference on Indium Phosphide Related Materials》
|
2016年
关键词:
Cavity resonators;
Gallium arsenide;
Optical wavelength conversion;
Nonhomogeneous media;
Measurement by laser beam;
Semiconductor device measurement;
Wavelength measurement;
72.
Large area flexible devices based on group-III nitrides
机译:
基于III族氮化物的大面积柔性器件
作者:
Hiroshi Fujioka
;
Kohei Ueno
;
Atsushi Kobayashi
;
Jitsuo Ohta
会议名称:
《International Conference on Indium Phosphide Related Materials》
|
2016年
关键词:
Substrates;
Light emitting diodes;
Fabrication;
Photovoltaic cells;
Compounds;
Epitaxial growth;
Metals;
73.
Enhancement-mode GaN MIS-HEMTs with HfLaOx gate insulator
机译:
HFLAOX栅极绝缘体增强模式GaN MIS-HEMTS
作者:
Y. C. Lin
;
J. C. Lin
;
Y. Lin
;
C. H. Wu
;
Y. X. Huang
;
S. C. Liu
;
H. T. Hsu
;
T. E. Hsieh
;
K. Kakushima
;
H. Iwai
;
E. Y. Chang
会议名称:
《International Conference on Indium Phosphide Related Materials》
|
2016年
关键词:
Gallium nitride;
Logic gates;
Insulators;
Nonhomogeneous media;
Hafnium oxide;
Threshold voltage;
74.
Atomic structure and electronic states of InAs(Sb)/GaAs submonolayer quantum dots
机译:
INAS(SB)/ GaAs亚组制的量子点的原子结构和电子状态
作者:
Andrea Lenz
;
Zeno Diemer
;
Christopher Prohl
;
David Quandt
;
André Strittmatter
;
UdoW. Pohl
;
Holger Eisele
会议名称:
《International Conference on Indium Phosphide Related Materials》
|
2016年
关键词:
Vertical cavity surface emitting lasers;
Atomic beams;
Atomic layer deposition;
Quantum dot lasers;
Laser transitions;
Compounds;
75.
Semi-transparent OLEDs fabrication using lamination process
机译:
半透明OLED使用层压工艺制造
作者:
Yuuki Nishioka
;
Shigeki Naka
;
Hiroyuki Okada
会议名称:
《International Conference on Indium Phosphide Related Materials》
|
2016年
关键词:
Indium tin oxide;
Lamination;
Cathodes;
Substrates;
Organic light emitting diodes;
Anodes;
Fabrication;
76.
AlGaN/GaN high electron mobility transistors on Si with sputtered TiN Gate
机译:
溅射锡栅极Si上的AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管
作者:
Yang Li
;
Geok Ing Ng
;
Subramaniam Arulkumaran
;
Chandra Mohan Manoj Kumar
;
Kian Siong Ang
;
Zhi Hong Liu
会议名称:
《International Conference on Indium Phosphide Related Materials》
|
2016年
关键词:
Tin;
HEMTs;
MODFETs;
Logic gates;
Aluminum gallium nitride;
Wide band gap semiconductors;
Schottky barriers;
77.
A novel patch-array antenna single-mode low electrical dissipation continuous wave Terahertz Quantum Cascade Laser
机译:
一种新型贴片阵列天线单模低电消耗连续波太赫兹量子级联激光
作者:
Lorenzo Bosco
;
Christopher Bonzon
;
Keita Otani
;
Matthias Justen
;
Mattias Beck
;
Jerome Faist
会议名称:
《International Conference on Indium Phosphide Related Materials》
|
2016年
关键词:
Quantum cascade lasers;
Measurement by laser beam;
Surface emitting lasers;
Metals;
Antenna arrays;
Laser modes;
Distributed Bragg reflectors;
78.
Fabrication of MoS2 thin films on oxide-dielectric-covered substrates
机译:
氧化物介质覆盖基材上的MOS2薄膜的制造
作者:
Joonam Kim
;
Eisuke Tokumitsu
会议名称:
《International Conference on Indium Phosphide Related Materials》
|
2016年
关键词:
Dielectrics;
Annealing;
Atmosphere;
Compounds;
Fabrication;
Substrates;
Coatings;
79.
Introducing of biexciton processes into exciton dynamics simulation for GaN based on collisional phononic and radiative model
机译:
基于局局势声子和辐射模型,将Biexciton工艺引入GaN的激子动力学模拟
作者:
Kentaro Nomachi
;
Tomohiro Iwahori
;
Kensuke Oki
;
Bei Ma
;
Ken Morita
;
Yoshihiro Ishitani
会议名称:
《International Conference on Indium Phosphide Related Materials》
|
2016年
关键词:
Excitons;
Phonons;
Sociology;
Statistics;
Gallium nitride;
Semiconductor device modeling;
80.
Metalorganic vapor phase epitaxy of GaPN alloys assisted by surface nitridation with ammonia
机译:
用氨化物辅助辅助Gapn合金的金属蒸汽相外延
作者:
Kerlee Boualiong
;
Keisuke Yamane
;
Masashi Moriyama
;
Hiroto Sekiguchi
;
Hiroshi Okada
;
Akihiro Wakahara
会议名称:
《International Conference on Indium Phosphide Related Materials》
|
2016年
关键词:
Metals;
Epitaxial growth;
Compounds;
Epitaxial layers;
Interrupters;
Temperature control;
Substrates;
81.
Growth and characterization of (Zn, Sn, Ga)As2 thin films grown on GaAs(001) substrate by molecular beam epitaxy
机译:
通过分子束外延在GaAs(001)衬底上生长(Zn,Sn,Ga)AS2薄膜的生长和表征
作者:
Hideyuki Toyota
;
Tatsuya Terauchi
;
Shiro Hidaka
;
Takahiro Kato
;
Naotaka Uchitomi
会议名称:
《International Conference on Indium Phosphide Related Materials》
|
2016年
关键词:
Zinc;
Atomic measurements;
Substrates;
Molecular beam epitaxial growth;
Compounds;
Electrical engineering;
82.
Curvature of HVPE c-plane grown GaN wafers in the relation to stress gradients caused by inclined threading dislocations
机译:
HVPE C平面生长的GaN晶圆与倾斜螺纹脱位引起的应力梯度的关系
作者:
Humberto Miguel Foronda
;
Alexey E Romanov
;
Erin C Young
;
Christian A Robertson
;
Glenn E Beltz
;
James S Speck
会议名称:
《International Conference on Indium Phosphide Related Materials》
|
2016年
关键词:
Gallium nitride;
Semiconductor device modeling;
Tensile stress;
Analytical models;
Substrates;
83.
Current trends in high-efficiency III–V nanostructured solar cells
机译:
高效III-V纳米结构太阳能电池的电流趋势
作者:
Yoshitaka Okada
会议名称:
《International Conference on Indium Phosphide Related Materials》
|
2016年
关键词:
Photovoltaic cells;
Compounds;
Market research;
Solar energy;
Quantum dots;
Process control;
Physics;
84.
Influences of mask materials in selective-area RF-MBE growth for GaN nanowires
机译:
掩盖材料对GaN纳米线的选择性区RF-MBE生长的影响
作者:
Naoto Tamaki
;
Akihito Sonoda
;
Aya Onodera
;
Junichi Motohisa
会议名称:
《International Conference on Indium Phosphide Related Materials》
|
2016年
关键词:
Gallium nitride;
Nanowires;
Light emitting diodes;
Information science;
Molecular beam epitaxial growth;
85.
Sheet electron density dependence of electron mobility anisotropy in In0.75Ga0.25As/InP two-dimensional electron gas
机译:
电子迁移率各向异性的板电子密度依赖性IN0.75GA0.25AS / INP二维电子气体
作者:
Masashi Akabori
会议名称:
《International Conference on Indium Phosphide Related Materials》
|
2016年
关键词:
Electron mobility;
Anisotropic magnetoresistance;
MODFETs;
HEMTs;
Liquids;
Market research;
Compounds;
86.
155nm-span multi-wavelength DFB laser array fabricated by selective area growth
机译:
155nm跨度多波长DFB激光阵列通过选择性区域生长制造
作者:
F. Soares
;
M. F. Baier
;
Z. Zhang
;
T. Gaertner
;
D. Franke
;
J.
;
M. Achouche
;
D. Schmidt
;
M. Moehrle
;
N. Grote
;
M. Schell
会议名称:
《International Conference on Indium Phosphide Related Materials》
|
2016年
关键词:
Distributed feedback devices;
Laser feedback;
Temperature measurement;
Foundries;
Semiconductor device measurement;
Wavelength measurement;
87.
Flexible ultraviolet photodetector made from ZnO nanowires synthesized by direct ultraviolet-light decomposition process
机译:
由ZnO纳米线制成的柔性紫外线光电探测器通过直接紫外线分解过程合成
作者:
Jyh Ming Wu
;
Wei Tsung Kao
会议名称:
《International Conference on Indium Phosphide Related Materials》
|
2016年
关键词:
Nanowires;
Zinc oxide;
II-VI semiconductor materials;
Photodetectors;
Compounds;
Temperature distribution;
Positron emission tomography;
88.
Analysis of antenna-integrated resonant tunneling diodes and its modulation by using adjacent photodiodes for wireless transmitters in radio over fiver technology
机译:
通过使用相邻光电二极管在纤维技术上使用相邻光电二极管的天线集成谐振隧道二极管分析及其调制
作者:
Naoto Okumura
;
Kiyoto Asakawa
;
Michihiko Suhara
会议名称:
《International Conference on Indium Phosphide Related Materials》
|
2016年
关键词:
Broadband antennas;
Oscillators;
Modulation;
Semiconductor diodes;
Numerical models;
Compounds;
Integrated circuit modeling;
89.
Fabrication of InGaN/GaN multi quantum well based nano-LEDs by hydrogen environment anisotropic thermal etching (HEATE) technique
机译:
氢气环境各向异性热蚀刻(加热)技术的ingaN / GaN多量子阱基纳米LED的制造
作者:
Kohei Ogawa
;
Ryo Hachiya
;
Tomoya Mizutani
;
Shun Ishijima
;
Akihiko Kikuchi
会议名称:
《International Conference on Indium Phosphide Related Materials》
|
2016年
关键词:
Heating;
Etching;
Quantum well devices;
Light emitting diodes;
Hydrogen;
Gallium nitride;
90.
High-speed performance of III-nitride 410 nm ridge laser diode on (202?1?) plane for visible light communication
机译:
III族氮化物410nm脊激光二极管的高速性能(202≤1Ω)平面用于可见光通信
作者:
Changmin Lee
;
Chong Zhang
;
Daniel L. Becerra
;
Seungguen Lee
;
Robert M. Farrell
;
James S. Speck
;
Shuji Nakamura
;
John E. Bowers
;
Steven P. DenBaars
会议名称:
《International Conference on Indium Phosphide Related Materials》
|
2016年
关键词:
Light emitting diodes;
Bandwidth;
Frequency modulation;
Semiconductor lasers;
Frequency measurement;
Resonant frequency;
91.
InAs/InAlAsSb quantum nanostructures grown on InP substrate for intermediate band solar cell application
机译:
在INP基板上生长的INAS / INALASSB量子纳米结构用于中间带太阳能电池应用
作者:
Yasushi Shoji
;
Nazmul Ahsan
;
Ryo Tamaki
;
Yoshitaka Okada
会议名称:
《International Conference on Indium Phosphide Related Materials》
|
2016年
关键词:
Temperature measurement;
Nanostructures;
Indium phosphide;
III-V semiconductor materials;
Substrates;
Photovoltaic cells;
Compounds;
92.
Characterization of band offset in α-(AlxGa1-x)2O3/ α-Ga2O3 heterostructures
机译:
α-(ALXGA1-X)2O3 /α-GA2O3异质结构中的带偏移的表征
作者:
Takayuki Uchida
;
Riena Jinno
;
Shu Takemoto
;
Kentaro Kaneko
;
Shizuo Fujita
会议名称:
《International Conference on Indium Phosphide Related Materials》
|
2016年
关键词:
Gallium;
Photonic band gap;
Physics;
Spectroscopy;
Films;
Substrates;
Aluminum;
93.
Heteroepitaxy of InP on Si for photonic and photovoltaic applications
机译:
光子和光伏应用中SI的INP异质缺陷
作者:
Sebastian Lourdudoss
会议名称:
《International Conference on Indium Phosphide Related Materials》
|
2016年
关键词:
Silicon;
Indium phosphide;
III-V semiconductor materials;
Photonics;
Epitaxial growth;
Quantum dot lasers;
Compounds;
94.
Morphology control of Ag-Te nanostructures by seed silver nanoparticles
机译:
种子银纳米粒子Ag-TE纳米结构的形态控制
作者:
Yusuke Imanishi
;
Toshihiro Nakaoka
会议名称:
《International Conference on Indium Phosphide Related Materials》
|
2016年
关键词:
Nanoparticles;
Silver;
Nanowires;
Tellurium;
Fabrication;
Films;
95.
Characterization of in-plane gate transistors with different geometries
机译:
不同几何形状平面栅极晶体管的表征
作者:
Li-Cheng Chang
;
Hao-Yu Lan
;
Chao-Hsin Wu
会议名称:
《International Conference on Indium Phosphide Related Materials》
|
2016年
关键词:
Logic gates;
Temperature measurement;
Temperature;
Field effect transistors;
Electric fields;
Compounds;
96.
Output characteristics of GaAs photoconductive semiconductor switch at high bias voltages
机译:
高偏置电压的GaAs光电导电半导体开关的输出特性
作者:
Yong-Pyo Kim
;
Jiheon Ryu
;
Sung Hyun Baek
;
Sung-Min Hong
;
Sungbae Lee
;
Jae-Hyung Jang
会议名称:
《International Conference on Indium Phosphide Related Materials》
|
2016年
关键词:
Gallium arsenide;
Optical switches;
Physics;
Photonics;
Substrates;
97.
Two-dimensional electron gas in MgZnO/ZnO heterostructures grown by dual-ion beam sputtering
机译:
通过双离子束溅射生长的MgZNO / ZnO异质结构中的二维电子气体
作者:
Rohit Singh
;
Md Arif Khan
;
Abhinav Kranti
;
Shaibal Mukherjee
会议名称:
《International Conference on Indium Phosphide Related Materials》
|
2016年
关键词:
MODFETs;
HEMTs;
Hall effect;
Laser beams;
Density measurement;
Molecular beam epitaxial growth;
98.
Photonic crystal membrane with single crystalline rare-earth oxide using selective area growth by MBE
机译:
光子晶体膜与单晶稀土氧化物,采用单一的选择性地区生长
作者:
Takehiko Tawara
;
Hiroo Omi
;
Thomas McManus
;
Aleix Llenas
;
Eiichi Kuramochi
;
Satoru Adachi
;
Hideki Gotoh
会议名称:
《International Conference on Indium Phosphide Related Materials》
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2016年
关键词:
Erbium;
Photonics;
Molecular beam epitaxial growth;
Fabrication;
Silicon;
Photonic band gap;
99.
Electronic structures calculation of Si1?xSnx compound alloy using interacting quasi-band model
机译:
使用相互作用的准频带模型计算Si1?Xsnx化合物合金的电子结构
作者:
Masato Oda
;
Yukina Kuroda
;
Ayaka Kishi
;
Yuzo Shinozuka
会议名称:
《International Conference on Indium Phosphide Related Materials》
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2016年
关键词:
Silicon;
Compounds;
Metals;
Semiconductor device modeling;
Chemical elements;
100.
Band alignment study and plasmon generation at dual ion-beam sputtered Ga:ZnO/ Ga:MgZnO heterojunction interface
机译:
双离子束溅射GA:ZnO / GA:Mgzno异质结界面处的带对准研究和等离子体生成
作者:
Vishnu Awasthi
;
Vivek Garg
;
Brajendra S. Sengar
;
Rohit Singh
;
Sushil Kumar Pandey
;
Shailendra Kumar
;
C. Mukherjee
;
Shaibal Mukherjee
会议名称:
《International Conference on Indium Phosphide Related Materials》
|
2016年
关键词:
Sputtering;
Plasmons;
Films;
Three-dimensional displays;
Zinc oxide;
II-VI semiconductor materials;
Photonic band gap;
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