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European Conference on Silicon Carbide and Related Materials
European Conference on Silicon Carbide and Related Materials
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1.
Electron Paramagnetic Resonance Study of Carbon Antisite-Vacancy Pair in p-Type 4H-SiC
机译:
P型4H-SIC碳防腐空位对电子顺磁共振研究
作者:
T. Umeda
;
N. Morishita
;
T. Ohshima
;
H. ltoh
;
J. lsoya
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2007年
关键词:
carbon antisite;
carbon vacancy;
electron paramagnetic resonance;
2.
Modification of Surface Layer during High Temperature Annealing and its Effects on the SiC Diode Characteristics
机译:
高温退火过程中表面层的修改及其对SiC二极管特性的影响
作者:
Wook Bahng
;
Hui Jong Cheong
;
In Ho Kang
;
Seong Jin Kim
;
Sang Cheol Kim
;
Sung-Jae Joo
;
Nam-Kyun Kim
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2007年
关键词:
power diode;
surface;
high temperature annealing;
ion implantation;
graphite cap layer;
3.
Investigation of Drain Current Saturation in 4H-SiC MOSFETs
机译:
4H-SIC MOSFET中漏极电流饱和的研究
作者:
G. Pennington
;
S. Potbhare
;
N. Goldsman
;
D. Habersat
;
A. Lelis
;
J. McGarrity
;
C. Ashman
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2007年
关键词:
MOSFET;
mobility;
charge trapping;
device modeling;
surface phonon scattering;
4.
Fabrication of MOS Capacitors by Wet Oxidation of p-type 4H-SiC Preamorphized by Nitrogen Ion Implantation
机译:
通过氮离子注入的P型4H-SiC湿氧化通过湿氧化MOS电容器
作者:
Yasuto Hijikata
;
Sadafumi Yoshida
;
Francesco Moscatelli
;
Antonella Poggi
;
Sandro Solmi
;
Stefano Cristiani
;
Roberta Nipoti
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2007年
关键词:
metal-oxide-semiconductor capacitor;
nitrogen ion-implantation;
amorphization;
wet oxidation;
capacitance to voltage measurement;
interface state density;
5.
Improvement of Electrical Characteristics of Ion Implanted 4H-SiC MESFET on a Semi-insulating Substrate
机译:
在半绝缘基板上改进离子植入的4H-SiC MESFET的电特性
作者:
S. Katakami
;
M. Ogata
;
S. Ono
;
M. Arai
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2007年
关键词:
ion implantation;
process/device simulation;
MESFET;
Semi-insulating substrate;
6.
Intrinsic Defects in Semi-insulating SiC: Deep Levels and their Roles in Carrier Compensation
机译:
半绝缘SIC中的内在缺陷:载波补偿中的深度和职责
作者:
N.T. Son
;
P. Carlsson
;
B. Magnusson
;
E. Janzen
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2007年
关键词:
vacancy;
carrier compensation;
semi-insulating;
electron paramagnetic resonance;
7.
Breakdown Voltage Characteristics of FLR-assisted SiC-SBD Formed by Aluminum Metal Junction Edge Termination
机译:
铝金属结边缘终端形成的FLR辅助SiC-SBD的击穿电压特性
作者:
S.J. Kim
;
Y.S. Choi
;
S.J. Yu
;
S.C. Kim
;
W. Bahng
;
K.H. Lee
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2007年
关键词:
SBD;
breakdown voltage;
junction termination;
field limiting ring;
8.
Behaviour of 4H-SiC pin Diodes Studied by Numerical Device Simulation
机译:
用数控仿真研究的4H-SiC引脚二极管的行为
作者:
D. Werber
;
P. Borthen
;
G. Wachutka
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2007年
关键词:
pin diodes;
numerical simulation;
high-temperature measurement;
9.
Epitaxial Growth on Metal Bonded SiC Substrates: Transmission Electron Microscopy and Photoluminescence
机译:
金属键合SIC基材上的外延生长:透射电子显微镜和光致发光
作者:
I. Matko
;
B. Chenevier
;
J.M. Bluet
;
R. Madar
;
F. Letertre
;
W. Saikaly
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2007年
关键词:
QuaSiC~(TM) substrates;
transmission electron microscopy;
photoluminescence;
10.
Peculiarities of Neutron-Transmutation Phosphorous Doping of SiC Enriched with ~(30)Si Isotope: Electron Paramagnetic Resonance Study
机译:
SiC中子嬗变磷掺杂的特殊性富含〜(30)Si同位素:电子顺途共振研究
作者:
I.V. Ilyin
;
M.V. Muzafarova
;
P.G. Baranov
;
B.Ya. Ber
;
A.N. lonov
;
E.N. Mokhov
;
P.A. Ivanov
;
M.A. Kaliteevskii
;
P.S. Kopev
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2007年
关键词:
impurity and defect levels;
other ions and impurities;
electron paramagnetic resonance and relaxation;
11.
Hall Effect and Admittance Measurements of n-channel 6H-SiC MOSFETs
机译:
N沟道6H-SIC MOSFET的霍尔效应和导纳测量
作者:
Kin Kiong Lee
;
Michael Laube
;
Takeshi Ohshima
;
Hisayoshi ltoh
;
Gerhard Pensl
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2007年
关键词:
interface traps;
oxide-trapped charge;
effective channel mobility;
hall mobility;
12.
Electronic structure of graphite/6H-SiC interfaces
机译:
石墨/ 6H-SIC接口的电子结构
作者:
Th. Seyller
;
K. V. Emtsev
;
F. Speck
;
K.-Y. Gao
;
L. Ley
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2007年
关键词:
schottky barrier;
contact;
band bending;
graphite;
photoelectron spectroscopy;
13.
Ab Initio Study of Clean and Hydrogen-Saturated Unreconstructed SiC{0001} Surfaces
机译:
AB Initio研究清洁和氢饱和饱和的SiC {0001}表面
作者:
A. Mattausch
;
T. Dannecker
;
O. Pankratov
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2007年
关键词:
unreconstructed surfaces;
H-passivated surfaces;
mott-hubbard insulator;
14.
Nano-Columnar Pore Formation in the Photo-electrochemical Etching of n-type 6H SiC
机译:
N型6H SiC的光电化学蚀刻中的纳米柱状孔形成
作者:
Y. Ke
;
R.P. Devaty
;
W.J. Choyke
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2007年
关键词:
porous SiC;
photo-electrochemical;
etching;
columnar;
self-ordered;
15.
Behavior of Basal Plane Dislocations and Low Angle Grain Boundary Formation in Hexagonal Silicon Carbide
机译:
六边形碳化硅基底平面脱位和低角晶边界形成的行为
作者:
Yi Chen
;
Govindhan Dhanaraj
;
William Vetter
;
Ronghui Ma
;
Michael Dudley
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2007年
关键词:
low angle grain boundary;
basal plane dislocation;
dislocation dipole;
16.
An Inserted Epitaxial Layer for SiC Single Crystal Growth by the Physical Vapor Transport Method
机译:
由物理蒸汽运输方法的用于SiC单晶生长的插入外延层
作者:
Jung-Doo Seo
;
Joon-Ho An
;
Jung-Gon Kim
;
Jung-Kyu Kim
;
Myung-Ok Kyun
;
Won-Jae Lee
;
II-Soo Kim
;
Byoung-Chul Shin
;
Kap-Ryeol Ku
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2007年
关键词:
sublimation;
PVT;
inserted epitaxial layer;
growth rate;
crystal quality;
17.
Defect and Growth Analysis of SiC Bulk Single Crystals with High Nitrogen Doping
机译:
高氮掺杂的SiC散装单晶的缺陷和生长分析
作者:
Tomohisa Kato
;
Tomonori Miura
;
Keisuke Wada
;
Eiji Hozomi
;
Hiroyoshi Taniguchi
;
Shin-ichi Nishizawa
;
Kazuo Arai
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2007年
关键词:
sublimation growth;
single crystal;
defect;
dislocation;
x-ray topography;
18.
Micro-Raman Investigation of Defects in a 4H-SiC Homoepilayer
机译:
4H-SIC同性记缺陷的微拉曼调查
作者:
X.F. Liu
;
G.S. Sun
;
J.M. Li
;
Y.M. Zhao
;
J.Y. Li
;
L. Wang
;
W.S. Zhao
;
M.C. Luo
;
Y.P. Zeng
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2007年
关键词:
micro-raman;
4H-SiC;
defects;
3C-inclusions;
triangle-shaped inclusion;
19.
Initial Growth in 3C-SiC Sublimation Epitaxy on 6H-SiC
机译:
6H-SIC的3C-SIC升华外延的初始增长
作者:
M. Syvaejaervi
;
N. Sritirawisarn
;
R. Yakimova
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2007年
关键词:
growth;
epitaxy;
3C-SiC;
thick layers;
20.
Quality Aspects for the Production of SiC Bulk Crystals
机译:
生产SiC散装晶体的质量方面
作者:
Thomas L. Straubinger
;
Michael Rasp
;
Erwin Schmitt
;
Arnd-Dietrich Weber
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2007年
关键词:
bulk growth;
micropipes;
dislocations;
KOH etching;
stress;
21.
SiC Heteropolytype Structures Grown by Sublimation Epitaxy
机译:
由升华外延生长的SIC杂多PE结构
作者:
A.A. Lebedev
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2007年
关键词:
heteropolytype structures;
sublimation epitaxy;
quantum wells;
2D electron gas;
22.
Control of the flatband voltage of 4H-SiC Metal-Oxide Semiconductor (MOS) capacitors by co-implantation of nitrogen and aluminum
机译:
通过共注入氮和铝的4H-SiC金属氧化物半导体(MOS)电容器的平带控制
作者:
Thomas Frank
;
Svetlana Beljakowa
;
Gerhard Pensl
;
Tsunenobu Kimoto
;
Valery Afanasev
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2007年
关键词:
MOS capacitor;
co-implantation;
conductance method;
density of interface states;
shift of flatband voltage;
23.
Dynamical Simulation of SiO_2/4H-SiC(0001) Interface Oxidation Process: from First-principles
机译:
SiO_2 / 4H-SIC(0001)界面氧化过程的动态模拟:从一行
作者:
Toshiharu Ohnuma
;
Atsumi Miyashita
;
Misako Iwasawa
;
Masahito Yoshikawa
;
Hidekazu Tsuchida
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2007年
关键词:
first-principles molecular dynamics;
Oxidation process;
SiO_2/SiC interface;
24.
Micro-Photoluminescence Mapping of Defect Structures in SiC Wafers
机译:
SiC晶片中缺陷结构的微光致发光映射
作者:
John Hennessy
;
Tom Ryan
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2007年
关键词:
SiC;
metrology;
characterization;
micro-photoluminescence mapping;
25.
Effects of Very High Neutron Fluence Irradiation on p~+n junction 4H-SiC Diodes
机译:
非常高中中子流量辐照对P〜+ N结4H-SiC二极管的影响
作者:
Francesco Moscatelli
;
Andrea Scorzoni
;
Antonella Poggi
;
Mara Passini
;
Giulio Pizzocchero
;
Roberta Nipoti
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2007年
关键词:
detectors;
radiation damage;
neutrons;
26.
Trap Assisted Gas Sensing Mechanism in MISiC Capacitors
机译:
陷阱辅助气体传感机制在音乐电容器中
作者:
A.B. Horsfall
;
M-H. Weng
;
R. Mahapatra
;
N.G. Wright
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2007年
关键词:
sensor;
trap assisted conduction;
high κ;
barrier height;
27.
Numerical Investigation of the DC and RF Performances for a 4H-SiC Double Delta-Doped Channel MESFET having Various Delta-Doping Concentrations
机译:
具有各种δ掺杂浓度的4H-SiC双δ掺杂通道MESFET的DC和RF性能的数值研究
作者:
In-Ho Kang
;
Wook Bahng
;
Sang-Cheol Kim
;
Sung-Jae Joo
;
Nam-Kyun Kim
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2007年
关键词:
4H-SiC MESFET;
double delta-doped channel;
surface trap;
28.
Dependence of DAP emission properties on impurity concentrations in N-/B-co-doped 6H-SiC
机译:
DAP排放性能对N- / B-共掺杂6H-SiC中的杂质浓度的依赖性
作者:
Satoshi Murata
;
Yoshihiro Nakamura
;
Tomohiko Maeda
;
Yoko Shibata
;
Mina Ikuta
;
Masaaki Sugiura
;
Shugo Nitta
;
Motoaki Iwaya
;
Satoshi Kamiyama
;
Hiroshi Amano
;
Isamu Akasaki
;
Masahiro Yoshimoto
;
Tomoaki Furusho
;
Hiroyuki Kinoshita
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2007年
关键词:
DAP;
optical property;
light-emitting diode;
photoluminescence;
doping concentration;
29.
Plasma Etching for Backside Wafer Thinning of SiC
机译:
SiC的后侧晶片变薄等离子体蚀刻
作者:
Kenneth M. Robb
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2007年
关键词:
plasma etching;
plasma processing;
wafer thinning;
white light interferometry;
30.
Point defects in 4H SiC grown by Halide Chemical Vapor Deposition
机译:
卤化物化学气相沉积4H SiC中的点缺陷
作者:
M.E. Zvanut
;
H.J. Chung
;
A.Y. Polyakov
;
M. Skowronski
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2007年
关键词:
chemical vapor deposition;
4H silicon carbide;
point defects;
electron paramagnetic resonance;
31.
Optical Investigation of Cubic SiC Layers Grown on Hexagonal SiC Substrates by CVD and VLS
机译:
CVD和VLS在六方SiC基材上生长的立方SiC层的光学研究
作者:
N. Habka
;
V. Souliere
;
J.M. Bluet
;
M. Soueidan
;
G. Ferro
;
Y.Monteil
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2007年
关键词:
3C-SiC;
optical characterization;
micro-IR reflectance;
photoluminescence;
VLS;
CVD;
32.
Simulation Study of High-k Materials for SiC Trench MOSFETs
机译:
SIC沟槽MOSFET高k材料的仿真研究
作者:
P.Tappin
;
R.Mahapatra
;
N.G.Wright
;
P.Bhatnagar
;
A.B.Horsfall
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2007年
关键词:
trench MOSFET;
high-k dielectrics;
electric field breakdown;
33.
Interface Reactions and Electrical Properties of Ta/4H-SiC Contacts
机译:
TA / 4H-SIC触点的接口反应和电性能
作者:
Y. Cao
;
S.A. Perez-Garcia
;
L. Nyborg
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2007年
关键词:
metal contact;
interfacial reaction;
depth profile;
I-V characteristics;
34.
In-Situ Measurement of Nitrogen During Growth of 4H-SiC by CVD
机译:
通过CVD的4H-SiC生长期间氮气的原位测量
作者:
Brenda L. VanMil
;
Kok-Keong Lew
;
Rachael L. Myers-Ward
;
Ronald T. Holm
;
D. Kurt Gaskill
;
Charles R. Eddy Jr.
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2007年
关键词:
nitrogen;
mass spectroscopy;
in-situ monitoring;
35.
A Manipulation of Semiconducting GaN Nanowires by Dielectrophoresis Aligned Assembly Deposition (DAAD)
机译:
介电泳的半导体GaN纳米线的操纵对齐组装沉积(Daad)
作者:
Seung-Yong Lee
;
Tae-Hong Kim
;
Duk-ll Suh
;
Ji-Eun Park
;
Eun-Kyung Suh
;
Chang-Hee Hong
;
Sang-Kwon Lee
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2007年
关键词:
gallium nitride nanowires;
dielectrophoresis (DEP);
EBL;
nanostructure alignment;
36.
High SiC Growth Rate Obtained by Vapour-Liquid-Solid Mechanism
机译:
通过气相 - 固体机制获得的高SiC生长速率
作者:
N. Boutarek
;
D. Chaussende
;
R. Madar
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2007年
关键词:
solution growth;
liquid phase;
VLS;
6H-SiC;
37.
XPS study of the electronic properties of the Ce/4H-SiC interface, and the formation of the SiO_2/Ce_2Si_2O_7/4H-SiC interface structure upon oxidation
机译:
XPS研究CE / 4H-SIC界面的电子性质,以及在氧化时形成SiO_2 / CE_2SI_2O_7 / 4H-SIC界面结构的形成
作者:
M. Kildemo
;
U. Grossner
;
B.G. Svensson
;
S. Raaen
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2007年
关键词:
Oxide;
MOS;
rare earth;
catalytic behaviour;
38.
Effect of Growth Conditions on Cubic Silicon Carbide Crystals Grown from Silicon Solution
机译:
生长条件从硅溶液生长的立方碳化硅晶体
作者:
J. Eid
;
J.L. Santailler
;
B. Ferrand
;
G. Ro!land
;
M. Burdin
;
R. Lewandowska
;
J. Camassel
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2007年
关键词:
3C-SiC;
bulk growth;
solution growth;
39.
Impurity Conduction in Silicon Carbide
机译:
碳化硅中的杂质传导
作者:
Michael Krieger
;
Kurt Semmelroth
;
Heiko B. Weber
;
Gerhard Pensl
;
Martin Rambach
;
Lothar Frey
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2007年
关键词:
impurity conduction;
hopping conduction;
admittance spectroscopy;
40.
Microwave p-i-n Diodes and Switches Based on 4H-SiC
机译:
基于4H-SIC的微波P-I-N二极管和开关
作者:
K. Zekentes
;
N. Camara
;
L.P. Romanov
;
A.V. Kirillov
;
M.S. Boltovets
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2007年
关键词:
p-i-n diodes;
microwave switches;
insertion loss;
isolation;
41.
Employing discontinuous and continuous growth modes for preparation of AlN nanostructures on SiC substrates
机译:
采用不连续和连续的生长模式,用于制备SiC基材上的ALN纳米结构
作者:
G. R. Yazdi
;
M. Syvaejaervi
;
R. Vasiliauskas
;
R. Yakimova
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2007年
关键词:
AIN;
nanowires;
thin films;
PVT;
structural;
42.
Bipolar SiC-Diodes - Challenges Arising from Physical and Technological Aspects
机译:
双极SiC二极管 - 物理技术方面产生的挑战
作者:
W. Bartsch
;
H. Mitlehner
;
S. Gediga
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2007年
关键词:
bipolar diode;
PiN-diode;
p-emitter;
emitter efficiency;
transient measurement;
43.
X-ray and AFM Analysis of Al_2O_3 Deposited by ALCVD on n-Type 4H-SiC
机译:
AL_2O_3在N型4H-SIC上沉积的AL_2O_3 X射线和AFM分析
作者:
Ulrike Grossner
;
Marco Servidori
;
Marc Avice
;
Ola Nilsen
;
Helmer Fjeilvag
;
Roberta Nipoti
;
Bengt G. Svensson
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2007年
关键词:
Al_2O_3;
high-k dielectrics;
annealing;
ALCVD;
X-ray;
AFM;
44.
Properties of Thermally Etched 4H-SiC by Chlorine-Oxygen System
机译:
氯氧系统热蚀刻4H-SiC的性质
作者:
T. Hatayama
;
S. Takenami
;
H.Yano
;
Y. Uraoka
;
T. Fuyuki
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2007年
关键词:
etching;
chlorine;
oxygen;
EBIC;
45.
Growth and Properties of Gadolinium Oxide Dielectric Layers on Silicon Carbide for High-K Application
机译:
高k应用碳化硅氧化钆介电层的生长与性质
作者:
A. Fissel
;
M. Czernohorsky
;
R. Dargis
;
H.J. Osten
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2007年
关键词:
high-k dielectrics;
rare-earth metal oxide;
MBE;
XPS;
XRD;
C-V;
I-V;
46.
Comparison between Schottky Diodes with Oxide Ramp Termination on Silicon Carbide and Diamond
机译:
碳化硅和钻石氧化渣终止肖特基二极管的比较
作者:
G. Brezeanu
;
M. Brezeanu
;
F. Udrea
;
G. Amaratunga
;
C. Boianceanu
;
M. Badila
;
K. Zekentes
;
A. Visoreanu
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2007年
关键词:
schottky diodes;
oxide ramp termination;
breakdown voltage;
termination efficiency;
47.
Very High Growth Rate Epitaxy Processes with Chlorine Addition
机译:
非常高的生长速率外延加入氯添加
作者:
F. La Via
;
S. Leone
;
M. Mauceri
;
G. Pistone
;
G. Condorelli
;
G. Abbondanza
;
F. Portuese
;
G. Galvagno
;
S. Di Franco
;
L. Calcagno
;
G. Foti
;
G.L. Valente
;
D. Crippa
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2007年
关键词:
homoepitaxial growth;
HCl;
high growth rate;
schottky diodes;
48.
A Comparison of High Temperature Performance of SiC DMOSFETs and JFETs
机译:
SiC DMOSFET和JFET的高温性能比较
作者:
Sei-Hyung Ryu
;
Sumi Krishnaswami
;
Brett A. Hull
;
Bradley Heath
;
Fatima Husna
;
James Richmond
;
Anant Agarwal
;
John Palmour
;
James Scofield
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2007年
关键词:
high temperature;
high voltage;
MOSFET;
JFET;
49.
Potential Benefits of Silicon Carbide Zener Diodes Used as Components of Intrinsically Safe Barriers
机译:
碳化硅齐纳二极管的潜在益处用作本质安全障碍的组件
作者:
P. Lark
;
K. Vassilevski
;
I. Nikitina
;
G.J. Phelps
;
A.B. Horsfall
;
N.G. Wright
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2007年
关键词:
avalanche breakdown;
zener diode;
intrinsically safe barrier;
50.
Electric-field Screening Effects in the Micro-photoluminescence Spectra of As-grown Stacking Faults in 4H-SiC
机译:
4H-SIC中生长堆叠故障微光致发光光谱的电场筛选效果
作者:
S. Juillaguet
;
T. Guillet
;
R. Bardoux
;
J. Camassel
;
T. Chassagne
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2007年
关键词:
4H-SiC;
stacking faults;
quantum well;
51.
Excess Carrier Lifetimes in a Bulk p-type SiC Wafer Measured by the Microwave Photoconductivity Decay Method
机译:
通过微波光电导衰减法测量的散装P型SiC晶片中的多余载体寿命
作者:
Masahiko Kawai
;
Tatsuhiro Mori
;
Masashi Kato
;
Masaya Ichimura
;
Shingo Sumie
;
Hidehisa Hashizume
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2007年
关键词:
microwave photoconductivity decay;
excess carrier lifetime;
temperature dependence;
minority carrier trap;
structural defect;
52.
Reverse Biased Electrochemical Etching of SiC-SBD
机译:
反向偏置SiC-SBD的电化学蚀刻
作者:
Koichi Nishikawa
;
Yusuke Maeyama
;
Yusuke Fukuda
;
Masaaki Shimizu
;
Masashi Sato
;
Hiroaki Iwakuro
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2007年
关键词:
electrochemical etching;
schottky barrier diode;
leakage current;
molten KOH;
carrot;
defect;
stacking fault;
threading screw dislocation;
53.
Mechanisms of Decrease in Hole Concentration in Al-doped 4H-SiC by Irradiation of 200 keV Electrons
机译:
通过200keV电子照射通过照射抗掺杂4H-SiC的空穴浓度的机制
作者:
Hideharu Matsuura
;
Nobumasa Minohara
;
Yusuke Inagawa
;
Miyuki Takahashi
;
Takeshi Ohshima
;
Hisayoshi Itoh
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2007年
关键词:
radiation damage;
electron irradiation;
200 keV electron;
Hall-effect measurement;
acceptors;
decrease in acceptor densities;
temperature dependence of hole concentration;
54.
Degradation of Charge Collection Efficiency Obtained for 6H-SiC n~+p Diodes Irradiated with Gold Ions
机译:
用金离子照射的6H-SiC N〜+ P二极管获得的收集效率的降解
作者:
T. Ohshima
;
T. Satoh
;
M. Oikawa
;
S. Onoda
;
S. Hishiki
;
T. Hirao
;
T. Kamiya
;
T. Yokoyama
;
A. Sakamoto
;
R. Tanaka
;
I Nakano
;
G. Wagner
;
H. Itoh
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2007年
关键词:
6H-SiC n~+p diode;
transient ion beam induced current (TIBIC);
gold ions;
charge collection efficiency (CCE);
55.
4H-SiC Metal-Oxide-Semiconductor (MOS) Capacitors Fabricated by Oxidation in a Tungsten Lamp Furnace in Combination with a Microwave Plasma and Subsequent Deposition of Al_2O_3
机译:
由钨灯炉中的氧化制造的4H-SiC金属 - 氧化物 - 半导体(MOS)电容器与微波血浆和随后的AL_2O_3的沉积
作者:
Svetlana Beljakowa
;
Thomas Frank
;
Gerhard Pensl
;
Kunyuan Gao
;
Florian Speck
;
Thomas Seyller
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2007年
关键词:
MOS capacitor;
Al_2O_3;
microwave plasma-assisted oxidation;
interface traps;
56.
Fabrication of a Multi-chip Module of 4H-SiC RESURF-type JFETs
机译:
制造4H-SiC Resurf-型JFET的多芯片模块
作者:
Hideto Tamaso
;
Jiro Shinkai
;
Takashi Hoshino
;
Hitoki Tokuda
;
Kenichi Sawada
;
Kazuhiro Fujikawa
;
Takeyoshi Masuda
;
Satoshi Hatsukawa
;
Shin Harada
;
Yasuo Namikawa
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2007年
关键词:
RESURF;
JFETs;
Multi chip;
Module;
57.
4H-SiC Power BJTs with High Current Gain and Low On-resistance
机译:
4H-SIC电源BJT,具有高电流增益和低导通电阻
作者:
H.-S. Lee
;
M. Domeij
;
C.-M. Zetterling
;
M. Oestling
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2007年
关键词:
bipolar junction transistors;
current gain;
switching;
degradation;
58.
Effect of additional Silane on in-situ H_2 etching prior to 4H-SiC homoepitaxial growth
机译:
附加硅烷对4H-SiC同性记生长前的原位H_2蚀刻的影响
作者:
K. Kojima
;
S. Kuroda
;
H. Okumura
;
K. Arai
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2007年
关键词:
4H-SiC;
homoepitaxial growth;
in-situ H_2 etching;
morphology;
Silane;
59.
An Approach to Model Temperature Effects of Interface Traps in 4H-SiC
机译:
4H-SIC界面陷阱模型温度效应的方法
作者:
Ramakrishna Rao
;
S. Balaji
;
Kevin Matocha
;
Vinayak Tilak
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2007年
关键词:
MOS devices;
traps charge;
threshold voltage;
60.
Fabrication and Test of 3C-SiC Electrostatic Resonators
机译:
3C-SIC静电谐振器的制造和测试
作者:
Marcel Placidi
;
Philippe Godignon
;
Jaume Esteve
;
Narcis Mestres
;
Gabriel Abadal
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2007年
关键词:
electrostatic;
resonator;
3C-SiC;
61.
Two Dimensional Imaging of the Laterally Inhomogeneous Au/4H-SiC Schottky Barrier by Conductive Atomic Force Microscopy
机译:
导电原子力显微镜横向不均匀AU / 4H-SiC肖特基屏障的二维成像
作者:
F. Giannazzo
;
F. Roccaforte
;
S.F. Liotta
;
V. Raineri
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2007年
关键词:
schottky barrier;
conductive atomic force microscopy;
62.
Use of Graphite Cap to Reduce Unwanted Post-Implantation Annealing Effects in SiC
机译:
使用石墨帽以减少SIC中的不需要的植入后退火效果
作者:
E. Oliviero
;
M. Lazar
;
H. Vang
;
C. Dubois
;
P. Cremillieu
;
J.L Leclercq
;
J. Dazord
;
D. Planson
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2007年
关键词:
graphite cap;
post-implantation annealing;
dopants;
diffusion;
ion implantation;
63.
Electronic Properties of Thermally Oxidized Single-domain 3C-SiC/6H-SiC Grown by Vapour-Liquid-Solid Mechanism
机译:
通过气相 - 固体机制的热氧化单结构域3C-SiC / 6H-SiC的电子性质
作者:
Kin Kiong Lee
;
Gerhard Pensl
;
Maher Soueidan
;
Gabriel Ferro
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2007年
关键词:
interface traps;
admittance spectroscopy;
electron capture cross-section;
capacitance-voltage;
conductance-voltage;
64.
Growth and Electrical Characterization of 4H-SiC Epilayers
机译:
4H-SIC脱蛋白的生长和电气表征
作者:
T. Kimoto
;
K. Danno
;
T. Hori
;
H. Matsunami
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2007年
关键词:
chemical vapor deposition;
fast epitaxy;
basal plane dislocation;
deep level;
carbon vacancy;
65.
Contactless electrical defect characterization and topography of a-plane grown epitaxial layers
机译:
非接触式电气缺陷表征和平面种植外延层的地形
作者:
Mt. Wagner
;
E. Mustafa
;
S. Hahn
;
M. Syvaejaervi
;
R. Yakimova
;
S. Jang
;
S.A. Sakwe
;
P. Wellmann
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2007年
关键词:
Photo induced current transient spectroscopy;
contactless characterization;
photoluminescence;
sublimation epitaxy;
66.
The Premature Breakdown in 6H-SiC p-n Junction
机译:
6H-SIC P-N交界处的过早故障
作者:
V.I. Sankin
;
A.M. Monakhov
;
P.P. Shkrebiy
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2007年
关键词:
natural superlattice;
miniband;
Wannier-Stark localization;
electrical field;
streamer;
67.
Interface Properties of SiO_2/4H-SiC(0001) with Large Off-Angles Formed by N_2O Oxidation
机译:
具有N_2O氧化形成的大型离角的SiO_2 / 4H-SiC(0001)的界面特性
作者:
Hiroaki Saitoh
;
Akinori Seki
;
Akira Manabe
;
Tsunenobu Kimoto
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2007年
关键词:
off-angle;
MOS interface;
N_2O oxidation;
interface state density;
SIMS;
68.
Electrical and structural properties of Al-implanted and annealed 4H-SiC
机译:
Al植入和退火的电气和结构性4h-SiC
作者:
M. Oberndorfer
;
M. Krieger
;
F. Schmid
;
H. B. Weber
;
G. Pensl
;
A. Schoener
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2007年
关键词:
electrical activation;
Al acceptor;
Rutherford backscattering;
Hall effect;
69.
In-situ X-ray measurements of defect generation during PVT growth of SiC
机译:
SIC PVT生长期间缺陷产生的原位X射线测量
作者:
K. Konias
;
R. Hock
;
M. Stockmeier
;
P.J. Wellmann
;
M. Miller
;
S. Ossege
;
A. Magerl
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2007年
关键词:
crystal growth;
high energy x-ray diffraction;
in-situ measurements;
crystal defects;
70.
Growth Induced Stacking Fault Formation in 4H-SiC
机译:
4H-SIC诱导堆叠故障形成的生长
作者:
D Siche
;
M. Albrecht
;
H.-J. Rost
;
A. Sendzik
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2007年
关键词:
4H-SiC;
single crystal growth;
stacking faults;
off-orientation;
71.
Etching of 4° and 8° 4H-SiC Using Various Hydrogen-Propane Mixtures in a Commercial Hot-Wall CVD Reactor
机译:
在商业热壁CVD反应器中使用各种氢丙烷混合物蚀刻4°和8°4H-SiC
作者:
Kok-Keong Lew
;
Brenda L. VanMil
;
Rachael L. Myers-Ward
;
Ronald T. Holm
;
Charles R. Eddy Jr.
;
D. Kurt Gaskill
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2007年
关键词:
surface morphology;
off-oriented;
hydrogen-propane etching;
step bunching;
hot-wall chemical vapor deposition;
72.
Temperature Dependence of the Band-Edge Injection Electroluminescence of 3C-SiC pn Structure
机译:
3C-SiC PN结构带边缘注射电致发光的温度依赖性
作者:
A.M. Strelchuk
;
A.A. Lebedev
;
N.S. Savkina
;
A.N. Kuznetsov
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2007年
关键词:
3C-SiC;
pn structure;
sublimation heteroepitaxy;
band-edge electroluminescence;
73.
Optimisation of Epitaxial Layer Growth with HCl Addition by Optical and Electrical Characterization
机译:
光学和电学特性的HCL添加优化外延层生长
作者:
L. Calcagno
;
G. lzzo
;
G. Litrico
;
G. Galvagno
;
A. Firrincieli
;
S. Di Franco
;
M.Mauceri
;
S. Leone
;
G. Pistone
;
G. Condorelli
;
F. Portuese
;
G. Abbondanza
;
G. Foti
;
F. La Via
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2007年
关键词:
epitaxial growth;
hydrochloric acid;
defects;
luminescence;
DLTS;
74.
Nitrogen Donor Aggregation in 4H-SiC: g-Tensor Calculations
机译:
4H-SIC中的氮素供体聚集:G-TENTOR计算
作者:
U. Gerstmann
;
E. Rauls
;
S. Greulich-Weber
;
E.N. Kalabukhova
;
D.V. Savchenko
;
A. Poeppl
;
F. Mauri
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2007年
关键词:
nitrogen;
paramagnetic resonance;
g-tensors;
density functional theory;
75.
OBIC Analysis of Different Edge Terminations of Planar 1.6kV 4H-SiC Diodes
机译:
平面1.6kV 4H-SiC二极管不同边缘终端的OBIC分析
作者:
Christophe Raynaud
;
Daniel Loup
;
Philippe Godignon
;
Raul Perez Rodriguez
;
Dominique Tournier
;
Dominique Planson
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2007年
关键词:
bipolar diodes;
OBIC;
breakdown voltage;
edge termination;
76.
High Quality Uniform SiC Epitaxy for Power Device Applications
机译:
用于电力设备应用的高品质均匀SIC外延
作者:
J. Zhang
;
E. Romano
;
J. Mazzola
;
S. Sunkari
;
C. Hoff
;
I. Sankin
;
M. Mazzola
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2007年
关键词:
uniformity;
morphology;
interface transition;
process control;
epitaxy;
77.
Study of Dark Currents in 4H-SiC UV APDs with Separate Absorption and Multiplication Regions
机译:
具有单独吸收和倍增区域的4H-SiC UV APD中的暗电流研究
作者:
Stanislav Soloviev
;
Ho-Young Cha
;
James Grande
;
Peter Sandvik
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2007年
关键词:
avalanche photodiode;
leakage current;
dislocations;
EBIC;
78.
Ellipsometric and MEIS Studies of 4H-SiC/Si/SiO_2 and 4H-SiC/SiO_2 Interfaces for MOS Devices
机译:
用于MOS器件的4H-SiC / Si / SiO_2和4H-SiC / SiO_2接口的椭圆形和Meis研究
作者:
O.J. Guy
;
T.E. Jenkins
;
M. Lodzinski
;
A. Castaing
;
S.P. Wilks
;
P. Bailey
;
T.C.Q. Noakes
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2007年
关键词:
oxidation;
ellipsometry;
ion scattering;
interface;
79.
Polishing Characteristics of 4H-SiC Si-face and C-face by Plasma Chemical Vaporization Machining
机译:
等离子化学汽化加工4H-SIC SI面和C脸的抛光特性
作者:
Yasuhisa Sano
;
Masayo Watanabe
;
Kazuya Yamamura
;
Kazuto Yamauchi
;
Takeshi Ishida
;
Kenta Arima
;
Akihisa Kubota
;
Yuzo Mori
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2007年
关键词:
plasma chemical vaporization machining;
PCVM;
atmospheric pressure plasma;
etching;
polishing;
80.
Epitaxial Growth of 4H-SiC on (0001) C-face Substrates by Cold-Wall and Hot-Wall Chemical Vapor Deposition
机译:
冷壁和热壁化学气相沉积(0001)C面基板的4H-SiC的外延生长
作者:
Rene A. Stein
;
Bernd Thomas
;
Christian Hecht
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2007年
关键词:
epitaxy;
C-face;
CVD;
hot-wall;
cold-wall;
low pressure;
C/Si ratio;
doping;
81.
Growth of SiC from a Liquid Phase at Low Temperature
机译:
从低温下的液相SiC生长
作者:
G. Ferro
;
M. Soueidan
;
O. Kim-Hak
;
F. Cauwet
;
Y. Monteil
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2007年
关键词:
liquid phase;
epitaxy;
dipping;
VLS;
low temperature;
3C-SiC;
DPB;
82.
Nanolayered Au/Ti/AI Ohmic Contacts to P-Type SiC: Electrical, Morphological and Chemical Properties Depending on the Contact Composition
机译:
纳米制剂Au / Ti / Ai欧姆触点对p型SiC:电气,形态学和化学性质,取决于接触组成
作者:
L. Kolaklieva
;
R. Kakanakov
;
I. Avramova
;
Ts. Marinova
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2007年
关键词:
ohmic contacts;
Al-Ti composite;
contact resistivity;
AFM;
XPS;
83.
Point Defects and Their Aggregation in Silicon Carbide
机译:
点缺陷及其碳化硅聚集
作者:
A. Gali
;
T. Homos
;
M. Bockstedte
;
Th. Frauenheim
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2007年
关键词:
vacancies;
interstitials;
ab initio hyperfme signature;
84.
A Study of the D_(II) Defect after Electron Irradiation and Annealing of 4H SiC
机译:
电子照射后D_(II)缺陷的研究和4H SIC的退火
作者:
W. Sullivan
;
J.W. Steeds
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2007年
关键词:
D_(II);
electron-irradiation;
PL;
carbon interstitials;
local vibrational modes;
85.
Improved Efficiency in Power Factor Correction Circuits with a pn-Gated SiC FET
机译:
用PN门控SIC FET提高功率因数校正电路的效率
作者:
Robin Kelley
;
Michael S. Mazzola
;
William L. Draper
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2007年
关键词:
JFET;
normally-off power switch;
86.
Growth and Study of Thick 3C-SiC Epitaxial Layers Produced by Epitaxy on 6H-SiC Substrates
机译:
6H-SIC基材上外延厚的3C-SIC外延层的生长和研究
作者:
A.A. Lebedev
;
V.V. Zelenin
;
P.L. Abramov
;
E.V. Bogdanova
;
S.P. Lebedev
;
D.K. Nelson
;
B.S. Razbirin
;
M.P. Scheglov
;
A.S. Tregubova
;
M. Syvaejaervi
;
R. Yakimova
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
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2007年
关键词:
heteroepitaxy;
sublimation epitaxy;
photoluminescence;
87.
Low Specific Contact Resistance to 3C-SiC Grown on (100) Si Substrates
机译:
低特异性接触电阻于(100)Si基板上生长3C-SiC
作者:
A.E. Bazin
;
T. Chassagne
;
J.F. Michaud
;
A. Leycuras
;
M. Portail
;
M. Zielinski
;
E. Collard
;
D. Alquier
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2007年
关键词:
3C-SiC;
nickel;
ohmic contacts;
specific contact resistance;
88.
Surface Functionalization of SiC for Biosensor Applications
机译:
生物传感器应用SiC的表面官能化
作者:
R.M. Petoral Jr.
;
G.R. Yazdi
;
C. Vahlberg
;
M. Syvaejaervi
;
A. Lloyd Spetz
;
K. Uvdal
;
R. Yakimova
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2007年
关键词:
biosensors;
surface functionalization;
SAM;
organosilanes;
XPS;
contact angle;
89.
Defect Etching of Non-polar and Semi-polar Faces in SiC
机译:
SIC中非极性和半极面的缺陷蚀刻
作者:
Sakwe A. Sakwe
;
Yeon-Suk Jang
;
Peter J. Wellmann
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
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2007年
关键词:
etching;
surface polarity;
surface potential;
activation energy;
etching kinetics;
90.
Temperature Stability of Heteropolytypic 6H/3C FETs
机译:
杂多型6H / 3C FET的温度稳定性
作者:
C.C. Chen
;
A.B. Horsfall
;
N.G. Wright
;
K. Vassilevski
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
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2007年
关键词:
6H/3C heterojunction;
two-dimensional electron gas;
91.
Growth and Characterization of High-Quality 6H-SiC (0115) Bulk Crystals
机译:
高质量6H-SIC(0115)散装晶体的生长和表征
作者:
O. Filip
;
B.M. Epelbaum
;
M. Bickermann
;
A. Winnacker
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
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2007年
关键词:
alternative growth direction;
defects;
92.
4H-SiC High Temperature Spectrometers
机译:
4H-SIC高温光谱仪
作者:
E. Kalinina
;
N. Strokan
;
A.M. Ivanov
;
A. Sadohin
;
A. Azarov
;
V. Kossov
;
R. Yafaev
;
S. Lashaev
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2007年
关键词:
radiation;
defect;
detector;
energy resolution;
diffusion length;
93.
New diode designs compatible with vertical 4H-SiC JFET fabrication process
机译:
新二极管设计与垂直4H-SIC JFET制造过程兼容
作者:
Pierre Brosselard
;
Dominique Tournier
;
Miquel Vellvehi
;
Josep Montserrat
;
Philippe Godignon
;
Jose Millan
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2007年
关键词:
4H-silicon carbide;
schottky diode;
junction barrier schottky diode;
bipolar diode;
buried field rings;
94.
Heavily Doped Polycrystalline 3C-SiC Growth on SiO_2/Si (100) Substrates for Resonator Applications
机译:
用于谐振器应用的SiO_2 / Si(100)基板上的重掺杂多晶3C-SiC生长
作者:
Guosheng Sun
;
Jin Ning
;
Xingfang Liu
;
Yongmei Zhao
;
Jiaye Li
;
Lei Wang
;
Wanshun Zhao
;
Liang Wang
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
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2007年
关键词:
polycrystalline 3C-SiC;
resonator;
doping;
95.
Modification of SiO_2/4H-SiC Interface Properties by High-Pressure H_2O Vapor Annealing
机译:
通过高压H_2O蒸汽退火修改SiO_2 / 4H-SIC界面性质
作者:
D. Takeda
;
H. Yano
;
T. Hatayama
;
Y. Uraoka
;
T. Fuyuki
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2007年
关键词:
MOS;
high-pressure H_2O vapor annealing;
fixed oxide charge;
interface states;
96.
Electrical Characterization of High Voltage 4H-SiC pin Diodes Fabricated Using a Low Basal-Plane Dislocations Process
机译:
使用低基板脱位工艺制造的高压4H-SiC引脚二极管的电学特性
作者:
Pavel A. lvanov
;
Michael E. Levinshtein
;
Mykola S. Boltovets
;
Valentyn A. Krivutsa
;
John Palmour
;
Mrinal K. Das
;
Brett A. Hull
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2007年
关键词:
high voltage pin diodes;
minority carrier lifetime;
forward voltage drop;
stability;
97.
Reliability of SiC Power Devices against Cosmic Radiation-induced Failure
机译:
宇宙辐射诱导故障的SIC电源装置的可靠性
作者:
Gerald Soelkner
;
Winfried Kaindl
;
Michael Treu
;
Dethard Peters
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
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2007年
关键词:
cosmic radiation;
single event effects;
failure rate;
power devices;
98.
Advances in AlGaN/GaN/SiC Microwave Devices
机译:
AlGaN / GAN / SIC微波设备的进步
作者:
Michael J. Uren
;
Martin Kuball
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2007年
关键词:
HEMT;
microwave;
transistor;
raman;
short-channel;
current slump;
self-heating;
99.
FTIR Ellipsometry Analysis of the Internal Stress in SiC/Si MEMS
机译:
SiC / Si MEMS中内应力的FTIR椭圆形分析
作者:
Joerg Pezoldt
;
Christian Foerster
;
Volker Cimalla
;
Florentina Will
;
Ralf Stephan
;
Klemens Brueckner
;
Matthias Hein
;
Oliver Ambacher
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
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2007年
关键词:
heteroepitaxy;
FTIR;
ellipsometry;
stress;
MEMS;
100.
SIMS Investigation of Ge Incorporation in 3C-SiC Layers Grown from Ge-Si Melts
机译:
从Ge-Si Melts生长的3C-SIC层GE掺入的SIMS调查
作者:
H. Peyre
;
N. Habka
;
V. Souliere
;
M. Soueidan
;
G. Ferro
;
Y. Monteil
;
J. Camassel
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
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2007年
关键词:
CLS growth;
SIMS;
micro-raman;
germanium;
limit solubility;
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