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International Workshop on the Physics of Semiconductor Devices
International Workshop on the Physics of Semiconductor Devices
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1.
Nitrogen Engineering in Titanium Based High-k Gate Dielectrics on Ge
机译:
基于钛的高k栅极电介质氮气工程
作者:
C. Mahata
;
M. K. Bera
;
P. K. Bose
;
C. K. Maiti
会议名称:
《International Workshop on the Physics of Semiconductor Devices》
|
2007年
关键词:
TiO{sub}2;
Germanium;
Transient;
Reliability;
2.
High-k/Metal Gates- From Research to Reality
机译:
高K /金属大门 - 从研究到现实
作者:
V. Narayanan
会议名称:
《International Workshop on the Physics of Semiconductor Devices》
|
2007年
关键词:
High-k;
Metal Gates;
Electron Mobility;
Oxygen Vacancies;
3.
Magneto-transport and Optical Properties of Diluted Magnetic Semiconductor Ga{sub}(1-x)Mn{sub}xSb
机译:
稀释磁半导体Ga {sub}(1-x)mn {sub} xsb的磁传输和光学性能
作者:
K. Ganesan
;
H. L. Bhat
会议名称:
《International Workshop on the Physics of Semiconductor Devices》
|
2007年
关键词:
Hall effect;
Magnetic semiconductors;
Magnetization;
Magnetoresistance;
4.
Synthesis and Characterization of Cd{sub}(1-x)Zn{sub}xS ternary nanocrystals
机译:
CD {sub}(1-x)zn {sub} xs三元纳米晶体的合成与表征
作者:
R. Sethi
;
L. Kumar
;
P. K. Sharma
;
P. Mishra
;
A. C. Pandey
会议名称:
《International Workshop on the Physics of Semiconductor Devices》
|
2007年
关键词:
Nanoparticles;
Small Angle X-Ray Scattering;
5.
ON THE ESTIMATION OF THERMAL RESISTANCE OF LASER DIODES
机译:
关于激光二极管热阻的估计
作者:
Tulana Saha
;
Sanjiv Kumar
;
U. C. Ray
会议名称:
《International Workshop on the Physics of Semiconductor Devices》
|
2007年
关键词:
Laser diodes;
Pulsed delta V{sub}j technique;
Thermal resistance;
6.
Simplified Theory of Optical Nonlinearities in Spin-polarized Bulk GaAs
机译:
旋转极化散装GaAs中的光学非线性的简化理论
作者:
Arjun Joshua
;
V. Venkataraman
会议名称:
《International Workshop on the Physics of Semiconductor Devices》
|
2007年
关键词:
Many-body effects;
Optical properties of III-V semiconductors;
Pump-probe spectroscopy;
Spintronics;
7.
Pauli Master-Equation: Charge Transportation in Conducting Polymer
机译:
Pauli Master等式:电荷在导电聚合物中的电荷运输
作者:
S. K. Arya
;
Manju Arora
;
S. K. Gupta
会议名称:
《International Workshop on the Physics of Semiconductor Devices》
|
2007年
关键词:
Conducting materials;
Doping;
Polymers;
Semiconductor device fabrication;
8.
An efficient technique of integrating parallel neural networks for faster and power efficient nanodevices for ultradense VLSI circuits
机译:
将平行神经网络集成为超强VLSI电路的速率和功率高效纳米仪的高效技术
作者:
Subir Kumar Sarkar
;
Ankush Ghosh
;
Gautham M. A.
;
SobhaRani A.
;
Debasis Samanta
会议名称:
《International Workshop on the Physics of Semiconductor Devices》
|
2007年
关键词:
Nanodevices;
Ultradense;
Back propagation;
Miniaturization;
Optimization;
9.
Electron-Spin Relaxation by the Interaction with Nuclear-Spins in InP Quantum Dots
机译:
通过与INP量子点中的核旋转相互作用来旋转舒适
作者:
Bipul Pal
;
Sergey Yu. Verbin
;
Ivan V. Ignatiev
;
Yasuaki Masumoto
会议名称:
《International Workshop on the Physics of Semiconductor Devices》
|
2007年
关键词:
Dynamic Nuclear Polarization;
Hyperfine Interaction;
InP Quantum Dots;
Spintronics;
10.
Gallium Nitride Power HEMT for High Switching Frequency Power Electronics
机译:
用于高开关频率电子的氮化镓功率HEMT
作者:
Ichiro Omura
;
Wataru Saito
;
Tomokazu Domon
;
Kunio Tsuda
会议名称:
《International Workshop on the Physics of Semiconductor Devices》
|
2007年
关键词:
Gallium Nitride;
HEMT;
Power MOSFET;
IGBT;
11.
MOVPE Growth and Optimization of GRINSCH Single Quantum Well AlGaAs/GaAs Laser Diodes
机译:
Grinsch单量子井ALGAAS / GAAs激光二极管的MOVPE生长和优化
作者:
Rajesh K. Bag
;
Renu Tyagi
;
T. Haldar
;
Mahavir Singh
;
Premila Mohan
;
Puspashree Mishra
;
R. Muralidharan
会议名称:
《International Workshop on the Physics of Semiconductor Devices》
|
2007年
关键词:
GRINSCH;
GaAs/AlGaAs;
Laser diode;
MOVPE;
SQW;
12.
Reactor to Feature Scale Simulation studies of SiO{sub}2 etching in C{sub}2F{sub}6 Plasma for Microfabrication
机译:
反应堆对C {} 2F {Sub} 2蚀刻的SiO {Sub} 2蚀刻的特征仿真研究。6等离子体进行微型制作
作者:
Rajesh A. K. Paul
;
A. K. Dimri
会议名称:
《International Workshop on the Physics of Semiconductor Devices》
|
2007年
关键词:
Inductively coupled plasma;
Plasma etching;
Profile evolution;
Simulation;
Radical;
Ion flux;
13.
Physical and Technological challenges of Nanoelectronies Devices for the End of the Roadmap and Beyond
机译:
纳米电子设备在路线图结束时的物理和技术挑战
作者:
S. Deleonibus
;
B. de Salvo
;
T. Ernst
;
O. Faynot
;
T. Poiroux
;
M. Vinet
会议名称:
《International Workshop on the Physics of Semiconductor Devices》
|
2007年
关键词:
CMOSFETs;
Diamond;
Germanium;
Nanocrystals;
Flash Memories;
Silicon on insulator technology;
Strain;
Wafer bonding;
14.
Reliability Predictions for Strained-Si/SiGe Quantum-Well p-MOSFETs
机译:
应变Si / SiGe量子阱P-MOSFET的可靠性预测
作者:
S. S. Mahato
;
T. K. Maiti
;
P. Chakraborty
;
S. K. Sarkar
;
C. K. Maiti
会议名称:
《International Workshop on the Physics of Semiconductor Devices》
|
2007年
关键词:
Quantum well p-MOSFETs;
SiGe;
Strained-Si;
15.
Effect of dielectric screening and intersubband coupling on low temperature electron mobility in a AlGaAs/InGaAs/GaAs asymmetric quantum well structure
机译:
电介质筛选和三路带耦合对AlGaAs / IngaAs / GaAs不对称量子阱结构低温电子迁移率的影响
作者:
T. Sahu
;
P. K. Subudhi
;
J. N. Patra
;
C. K. Sarkar
会议名称:
《International Workshop on the Physics of Semiconductor Devices》
|
2007年
关键词:
2DEG;
Electron mobility;
Delta doping;
AlGaAs/InGaAs/GaAs systems;
Asymmetric quantum wells;
16.
Growth of Polycrystalline ZnS{sub}0.5 Se{sub}0.5 Films by Screen Printing Technique
机译:
通过丝网印刷技术生长多晶ZnS {Sub} 0.5硒} 0.5膜
作者:
Vipin Kumar
;
M. K. Sharma
;
G. S. Sandhu
;
Sanjay Sharma
;
T. P. Sharma
会议名称:
《International Workshop on the Physics of Semiconductor Devices》
|
2007年
关键词:
Band gap;
Screen printing;
Sintering;
Reflection spectra;
17.
I-V-T, C-V and Photoelectric Characteristics of Ni-GaN Schottky and n{sup}+ InN-GaN Heterostructure Interface
机译:
Ni-GaN Schottky和N {Sup} + Inn-GaN异质结构接口的I-V-T,C-V和光电特性
作者:
Z. H. Mahmood
;
A. P. Shah
;
Abdul Kadir
;
M. R. Gokhale
;
Sandip Ghosh
;
Arnab Bhattacharya
;
B. M. Arora
会议名称:
《International Workshop on the Physics of Semiconductor Devices》
|
2007年
关键词:
Band offset;
Internal Photoemission;
Ni-GaN Schottky;
n{sup}+ InN-GaN heterojunction;
18.
Self-Sensing Methods to Drive Micro-Machines
机译:
自动传感方法驱动微机器
作者:
Y. Perriard
;
O. Scaglione
;
C. Koechli
;
J. Persson
会议名称:
《International Workshop on the Physics of Semiconductor Devices》
|
2007年
关键词:
Actuators;
Synchronous;
Micro-motors;
Self-sensing;
Anisotropy variation;
Satellite;
19.
Quality Factor Enhancement of CMOS Inductor with Pyramidal Winding of Metal Turns
机译:
金属转弯金字塔绕组CMOS电感的质量因素增强
作者:
Genemala Haobijam
;
Roy Paily
会议名称:
《International Workshop on the Physics of Semiconductor Devices》
|
2007年
关键词:
Integrated inductor;
Micromachining;
Q factor;
Differential excitation;
CMOS inductor;
20.
Template Assisted Growth of Aligned CdSe Nanowires by DC Electrochemical Process
机译:
通过直流电化学工艺辅助对齐CDSE纳米线的增长
作者:
S. P. Mondal
;
K. Das
;
A. Dhar
;
S. K. Ray
会议名称:
《International Workshop on the Physics of Semiconductor Devices》
|
2007年
关键词:
CdSe;
Electrodeposition;
Photoluminescence;
21.
Opto-electronic devices based on wurtzite group-III nitride films with non-polar orientations
机译:
基于Wurtzite Group-III氮化物膜的光电器件,具有非极性取向
作者:
Sandip Ghosh
会议名称:
《International Workshop on the Physics of Semiconductor Devices》
|
2007年
关键词:
GaN;
M-plane;
Anisotropic strain;
Polarization-sensitive detection;
Narrow-band photodetection;
Polarization-sensitive switching;
22.
Temperature dependent electron field emission from multiwalled carbon nanotubes and its possible application as nanothermometer
机译:
来自多壁碳纳米管的温度依赖电子场发射及其作为纳米计的可能应用
作者:
Sk. F. Ahmed
;
M. K. Mitra
;
K. K. Chattopadhyay
会议名称:
《International Workshop on the Physics of Semiconductor Devices》
|
2007年
关键词:
Carbon;
Electron emission;
Temperature;
Work function;
23.
Effect of post deposition annealing temperature on the properties of ZnO films prepared by RF magnetron sputtering
机译:
沉积退火温度对RF磁控溅射制备的ZnO膜性能的影响
作者:
Aarti Arora
;
Anil Arora
;
V. K. Dwivedi
;
P. J. George
;
Vinay Gupta
会议名称:
《International Workshop on the Physics of Semiconductor Devices》
|
2007年
关键词:
Annealing;
Microstructure;
RF Sputtering Surface morphology;
ZnO films;
24.
An Analytical Model for Admittance Parameters of GaN MESFET for Microwave Circuit Applications
机译:
用于微波电路应用的GaN MESFET的导纳参数分析模型
作者:
Sneha Kabra
;
H. Kaur
;
S. Haldar
;
M. Gupta
;
R. S. Gupta
会议名称:
《International Workshop on the Physics of Semiconductor Devices》
|
2007年
关键词:
GaN MESFET;
Admittance parameters;
Frequency dependent capacitance;
25.
Growth of Strained SiGe Layers and SiGe/Si Multiple Quantum Well Structures using Molecular Beam Epitaxy
机译:
使用分子束外延的应变SiGe层和SiGe / Si多量子井结构的生长
作者:
S. Das
;
R. K. Singha
;
K. Das
;
A. Dhar
;
S. K. Ray
会议名称:
《International Workshop on the Physics of Semiconductor Devices》
|
2007年
关键词:
MBE;
Photodetector;
SiGe;
Strain;
26.
Effect of annealing on poly(3-hexylthiphene) and 6,6-phenyl C{sub}61-butyric acid methyl ester bulk heterojunction solar cells
机译:
退火对聚(3-己烯藻)和6,6 - 苯基C {Sub} 61-丁酸甲酯散装太阳能电池的影响
作者:
S. Sundar Kumar Iyer
;
Vinod Pagare
会议名称:
《International Workshop on the Physics of Semiconductor Devices》
|
2007年
关键词:
Photovoltaic cells;
Organic solar cells;
P3HT;
PCBM;
Polymer-fullerene;
Bulk heterojunction;
27.
Fabrication of organic light-emitting devices by oblique angle deposition technique
机译:
倾斜角沉积技术制造有机发光装置
作者:
Kanchan Saxena
;
Dalip Singh Mehta
;
Ritu Srivastava
;
M. N. Kamalasanan
会议名称:
《International Workshop on the Physics of Semiconductor Devices》
|
2007年
28.
A Simulation Methodology for the Operational Life Time Study of Deep Sub-Micron Technology Integrated Circuits Using Channel Length Dependent NBTI Model
机译:
一种频道长度依赖性NBTI模型对深层微米技术集成电路运行寿命研究的仿真方法
作者:
Rammohan Mooraka
;
K. N. ManjulaRani
;
Dung Ho
;
Nitish Mathur
;
Helmut Puchner
会议名称:
《International Workshop on the Physics of Semiconductor Devices》
|
2007年
关键词:
Eldo simulation;
Semiconductor device reliability;
SRAM static noise margin;
User defined reliability model;
29.
New CMOS Devices and Compact Modeling
机译:
新型CMOS设备和紧凑型造型
作者:
Chenming Hu
会议名称:
《International Workshop on the Physics of Semiconductor Devices》
|
2007年
关键词:
Compact model;
CMOS scaling;
FinFET;
MOSFET;
SRAM;
30.
Microstructural development and phase transformations in TiO{sub}2 nanostructures
机译:
TiO {Sub} 2纳米结构中的微观结构发育与相变
作者:
A. K. Srivastava
;
M. Deepa
;
H. J. Kleebe
;
H. Fuess
;
S. Bhandari
会议名称:
《International Workshop on the Physics of Semiconductor Devices》
|
2007年
关键词:
Nanostructures;
TiO{sub}2;
Electron microscopy;
31.
Experimental and modelled configuration of double-barrier HBV based on Al{sub}0.7Ga{sub}0.3As/GaAs
机译:
基于Al {Sub} 0.7GA {Sub} 0.3as / GaAs的双阻隔HBV的实验和建模配置。
作者:
B. Nicolae
;
D. Roy Chowdhury
;
H. L. Hartnagel
会议名称:
《International Workshop on the Physics of Semiconductor Devices》
|
2007年
关键词:
Heterostructure barrier varactor;
Modeling;
Frequency multiplier;
32.
Electronic Nose: A Toxic Gas Sensor by Polyaniline Thin film Conducting Polymer
机译:
电子鼻:通过聚苯胺薄膜导电聚合物的有毒气体传感器
作者:
Abhay G. Shrivas
;
Bavane R. G.
;
A. M. Mahajan
会议名称:
《International Workshop on the Physics of Semiconductor Devices》
|
2007年
关键词:
Polyaniline thin film;
Ammonia gas;
Chemical synthesis;
Sensor;
33.
Physical and Electrical Properties of Dilute GaAsN and InAsN Layers Grown by Liquid Phase Epitaxy
机译:
液相外延生长稀GaAsn和InASN层的物理和电性能
作者:
T. D. Das
;
A. Mondal
;
S. Dhar
会议名称:
《International Workshop on the Physics of Semiconductor Devices》
|
2007年
关键词:
Dilute Nitride;
Electron trap;
Liquid phase epitaxy;
Photocapacitance;
34.
Magnetic Resonance and Internal Photoemission Study of Trap Centers in High-k Dielectric Films on Ge
机译:
GE高k电介质薄膜陷阱中心的磁共振和内部光电研究
作者:
M. K. Bera
;
C. Mahata
;
C. K. Maiti
会议名称:
《International Workshop on the Physics of Semiconductor Devices》
|
2007年
关键词:
High-k dielectric;
Ge;
Charge trapping;
Magnetic resonance;
Internal photoemission;
35.
A Surface Potential Based Drain Current Model for Short-Channel MOSFETs in Subthreshold Regime
机译:
基于表面电位的基于表面电位漏洞MOSFET中的漏极电流模型
作者:
S. Baishya
;
A. Mallik
;
C. K. Sarkar
会议名称:
《International Workshop on the Physics of Semiconductor Devices》
|
2007年
关键词:
Effective conduction layer thickness;
Quasi-Fermi level;
Short-channel MOSFETs;
Subthreshold drain current;
36.
Charge trapping levels in vacuum deposited poly(vinylidene fluoride-chlorotrifluoroethylene) copolymer thin films
机译:
真空沉积聚(偏二氟乙烯 - 氯三氟乙烯)共聚物薄膜的电荷诱捕水平
作者:
S. Chand
;
G. D. Sharma
;
S. Dwivedi
会议名称:
《International Workshop on the Physics of Semiconductor Devices》
|
2007年
关键词:
Activation energy;
Charge trapping;
Copolymer;
Relaxation peak;
37.
Study of the electrical properties of high-k HfO{sub}2 thin films and fabrication of MOSFET transistor
机译:
高k HFO {Sub} 2薄膜电性能的研究及MOSFET晶体管的制造
作者:
R. K. Nahar
;
R. S. Shekhawat
;
Vikxam Singh
会议名称:
《International Workshop on the Physics of Semiconductor Devices》
|
2007年
38.
Effect of dislocations on phonon drag thermopower in GaN/AlGaN heterojunctions
机译:
错位对GaN / Algan异质结的声音阻力的影响
作者:
M. D. Kamatagi
;
N. S. Sankeshwar
;
B. G. Mulimani
会议名称:
《International Workshop on the Physics of Semiconductor Devices》
|
2007年
关键词:
Gallium compounds;
Semiconductor heterojunctions;
Thermoelectricity;
39.
Study of the Microstructure in MOVPE Grown InN Epitaxial Layers by High Resolution X-Ray Diffraction
机译:
高分辨率X射线衍射Movpe成长Inn外延层的微观结构研究
作者:
Tapas Ganguli
;
Abdul Kadir
;
Mahesh Gokhale
;
Ravi Kumar
;
A. P. Shah
;
B. M. Arora
;
Arnab Bhattacharya
会议名称:
《International Workshop on the Physics of Semiconductor Devices》
|
2007年
40.
Radiation Effects on Strain-Engineered p-MOSFETs
机译:
辐射效应应变设计的P-MOSFET
作者:
T. K. Maiti
;
S. S. Mahato
;
P. Chakraborty
;
S. K. Sarkar
;
C. K. Maiti
会议名称:
《International Workshop on the Physics of Semiconductor Devices》
|
2007年
关键词:
Radiation hardening;
Embeded SiGe S/D;
Traps;
Head-on collision;
41.
Einstein relation in carbon nanotubes and quantum wires of nonlinear optical, optoelectronic and related materials: simplified theory, relative comparison and suggestion for an experimental determination
机译:
非线性光学,光电和相关材料的碳纳米管和量子线的爱因斯坦关系:简化理论,相对比较和实验测定的建议
作者:
A. Sitangshu Bhattacharya
;
B. Debashis De
;
C. Kamakhya Prasad Ghatak
会议名称:
《International Workshop on the Physics of Semiconductor Devices》
|
2007年
关键词:
Carbon nanotubes;
Einstein relation;
Experimental determination;
Quantum wires;
42.
Luminescent behavior of MEH-PPV/Porous Silicon heterostructure
机译:
MeH-PPV /多孔硅异质结构的发光行为
作者:
P. Banerji
;
J. K. Mishra
会议名称:
《International Workshop on the Physics of Semiconductor Devices》
|
2007年
43.
Correlating the Microstructural and Photoluminescence Properties of ZnO Nanoparticles Prepared By Ball Milling
机译:
用球磨机制备的ZnO纳米粒子的微观结构和光致发光性能相关性
作者:
P. K. Giri
;
Dilip K. Singh
;
R. Kesavamoorthy
;
B. K. Panigrahi
;
K. G. M. Nair
会议名称:
《International Workshop on the Physics of Semiconductor Devices》
|
2007年
关键词:
ZnO nanoparticles;
Strain;
Raman spectroscopy;
Photoluminescence;
44.
Multiscale Modeling of Point Defects in Strained Silicon
机译:
紧张硅点缺陷的多尺度建模
作者:
V. K. Tewary
;
Bo Yang
会议名称:
《International Workshop on the Physics of Semiconductor Devices》
|
2007年
关键词:
Elastic constants for strained silicon;
Multiscale Green's function;
Point defects in strained silicon;
Strained silicon;
45.
F{sub}4CuPc based ambipolar organic thin-film transistors
机译:
F {SUB}基于4CUPC的AMPOLAR有机薄膜晶体管
作者:
Samarendra P. Singh
;
Alan Sellinger
;
Ananth Dodabalapur
会议名称:
《International Workshop on the Physics of Semiconductor Devices》
|
2007年
46.
Analysis of X-ray Diffraction Patterns of Blue ACTFEL Devices For Flat Panel Displays using Synchrotron Radiation
机译:
使用Synchrotron辐射进行平板显示器的蓝色Actfel器件的X射线衍射图案分析
作者:
T. S. Dhillon
;
R. Chianelli
会议名称:
《International Workshop on the Physics of Semiconductor Devices》
|
2007年
47.
Photoluminescence Study of Polycrystalline and Single Crystal Diamond
机译:
多晶和单晶金刚石的光致发光研究
作者:
Dipti Ranjan Mohapatra
;
Padmnabh Rai
;
Abha Misra
;
Powan K. Tyagi
;
D. S. Misra
会议名称:
《International Workshop on the Physics of Semiconductor Devices》
|
2007年
48.
Etching of 200μm Deep GaAs via Holes with Near Vertical Wall Profile using Photoresist Mask with Inductively Coupled Plasma
机译:
使用具有电感耦合等离子体的光致抗蚀剂掩模,通过靠近垂直壁轮廓的孔的蚀刻蚀刻200μm深气孔。
作者:
M. N. Mudholkar
;
G. Sai Saravanan
;
K. Mahadeva Bhat
;
Ch. Sridhar
;
H. P. Vyas
;
R. Muralidharan
会议名称:
《International Workshop on the Physics of Semiconductor Devices》
|
2007年
关键词:
Dry etching;
GaAs via holes;
Inductively coupled plasma;
49.
Propagating variability from technology to system level
机译:
将可变性从技术传播到系统级别
作者:
Bart Dierickx
;
Miguel Miranda
;
Petr Dobrovolny
;
Florian Kutscherauer
;
Antonis Papanikolaou
;
Pol Marchal
会议名称:
《International Workshop on the Physics of Semiconductor Devices》
|
2007年
关键词:
Variability;
Variability aware modeling;
System level;
Yield estimation;
Technology aware design;
Weighted Monte Carlo;
50.
Improved Efficiency of Organic Light Emitting Diodes By Doping of Hole Transport Layer
机译:
通过掺杂空穴传输层提高有机发光二极管的效率
作者:
Ritu Srivastava
;
Virendra Kumar Rai
;
Gayatri Chauhan
;
Pankaj Kumar
;
Suresh Chand
;
M. N. Kamalasanan
;
Vikram Kumar
会议名称:
《International Workshop on the Physics of Semiconductor Devices》
|
2007年
51.
A Floating RESURF EDMOS with enhanced Safe Operating Area
机译:
具有增强的安全操作区域的浮动Resurf EDMOS
作者:
Hao Wang
;
Abraham Yoo
;
H. P. Edward Xu
;
Wai Tung Ng
;
Kenji Fukumoto
;
Akira Ishikawa
;
Hisaya Imai
;
Kimio Sakai
;
Kaoru Takasuka
会议名称:
《International Workshop on the Physics of Semiconductor Devices》
|
2007年
关键词:
EDMOS;
Safe Operation Area (SOA);
Floating RESURF;
Parasitic bipolar transistor;
52.
Red Shifted Electroluminescence in OLEDs using Organic Alloy of Hole Transport Materials
机译:
使用孔输送材料的有机合金的OLED中的红色移位的电致发光
作者:
Pahitra K. Nayak
;
Neeraj Agarwal
;
N. Periasamy
;
Meghan P. Patankar
;
K. L. Narasimhan
会议名称:
《International Workshop on the Physics of Semiconductor Devices》
|
2007年
关键词:
Exciplex;
Barrier free electron hole recombination;
53.
Sensitivity and Stress in Pressure Sensors with Composite Silicon/Macroporous Silicon Membranes
机译:
复合硅/大孔硅膜压力传感器的敏感性和应力
作者:
L. Sujatha
;
Enakshi Bhattacharya
会议名称:
《International Workshop on the Physics of Semiconductor Devices》
|
2007年
关键词:
MEMS;
Pressure Sensor;
Porous Silicon;
Stress;
54.
SEM Investigations of the Surface and Cross-Section Features of ZnO NWs Under FIB Treatment
机译:
Zno NWS在FIB处理下的表面和横截面特征的SEM研究
作者:
G. Sh. Shmavonyan
会议名称:
《International Workshop on the Physics of Semiconductor Devices》
|
2007年
关键词:
Cross-section;
FIB;
SEM;
Surface;
55.
Reliability Studies of AuGe/Ni/Au Ohmic Contacts to MESFETs by Accelerated Thermal Aging Tests
机译:
加速热老化试验对MESFET的Auge / Ni / Au欧姆接触的可靠性研究
作者:
G. Sai Saravanan
;
K. Mahadeva Bhat
;
H. P. Vyas
;
Sandeep Chaturvedi
;
Sangam V. Bhalke
;
R. Muralidharan
;
K. Muaraleedharan
;
A. P. Pathak
会议名称:
《International Workshop on the Physics of Semiconductor Devices》
|
2007年
关键词:
Life estimation;
MESFETs;
Ohmic contacts;
Reliability;
56.
Safranine T dye based photo electrochemical solar cell: Effect of electrodes on device mechanism
机译:
基于Safranine T染料光电化学太阳能电池:电极对装置机构的影响
作者:
Subhasis Maity
;
Nabin Baran Manik
会议名称:
《International Workshop on the Physics of Semiconductor Devices》
|
2007年
关键词:
Characteristic trap energy;
Dispersive transport;
Exponential trap distribution;
Photovoltaic device;
Safranine T dye;
57.
Study of Selective Gate Recess Etching of InGaAs/InAlAs/InGaAs Metamorphic HEMT Structures Using Succinic Acid Based Etchant
机译:
使用琥珀酸的蚀刻剂研究InGaAs / Inalas / InGaAs变质Hemt结构的选择性闸门凹陷蚀刻
作者:
K. Mahadeva Bhat
;
G. Sai Saravanan
;
H. P. Vyas
;
R. Muralidharan
;
S. Dhamodaran
;
Mahaveer K. Jain
;
A. Subrahmanyam
会议名称:
《International Workshop on the Physics of Semiconductor Devices》
|
2007年
关键词:
Atomic force microscopy;
Metamorphic HEMTs;
Selective etching;
Gate recess etching;
58.
Response Surface Methodology for Statistical Characterization of Nano CMOS Devices and Circuits
机译:
纳米CMOS器件和电路统计表征的响应面方法
作者:
Sudhakar Mande
;
A. N. Chandorkar
会议名称:
《International Workshop on the Physics of Semiconductor Devices》
|
2007年
关键词:
Response Surface;
Process variability;
Response Designs;
59.
SPICE models for single domain magnetic nano-pillar tunnel junction arrays
机译:
单畴磁纳米柱隧道结阵列的香料模型
作者:
M. Malathi
;
A. Prabhakar
会议名称:
《International Workshop on the Physics of Semiconductor Devices》
|
2007年
关键词:
MTJ;
Spin torque;
Exchange interactions;
Magnetostatic field;
MRAM arrays;
60.
Electroluminescence transient of polymer light emitting diodes: field dependence of overshoot and time delay
机译:
聚合物发光二极管的电致发光瞬态:过冲和时间延迟的场依赖性
作者:
Awnish K. Tripathi
;
Rajneesh Verma
;
Anand K. Biswas
;
Ashish
;
Y. N. Mohapatra
会议名称:
《International Workshop on the Physics of Semiconductor Devices》
|
2007年
关键词:
Light emitting polymers;
Poole-Frenkel model;
Transient electroluminescence;
61.
MMIC technology at Gallium Arsenide Enabling Technology Centre
机译:
巨砷砷技术威廉省技术中心
作者:
R. Muralidharan
会议名称:
《International Workshop on the Physics of Semiconductor Devices》
|
2007年
关键词:
MESFET;
Pseudomorphic HEMT;
MMIC;
62.
Laser Ablation Synthesis of Zn/ZnO Core-Shell Nanoparticles
机译:
激光烧蚀合成Zn / ZnO核壳纳米粒子
作者:
Geetika Bajaj
;
Ankur Chaudhary
;
Hera Naaz
;
Brijesh Kumar
;
R. K. Soni
会议名称:
《International Workshop on the Physics of Semiconductor Devices》
|
2007年
关键词:
Laser ablation;
Core-shell nanoparticles;
Metal oxide;
Optical properties;
63.
Physical Model, Measurement Setup and Experiments of a Measurement Technique of the Carrier Lifetime Profile in Power Devices
机译:
物理模型,测量设置和功率设备中载体寿命剖面测量技术的实验
作者:
S. Bellone
;
G. D. Licciardo
;
A. Rubino
;
M. Petrosino
会议名称:
《International Workshop on the Physics of Semiconductor Devices》
|
2007年
关键词:
OCVD;
Recombination carrier lifetime;
Measurement technique;
Semiconductor characterization;
64.
A 2-D Analytical Subthreshold Model for Gate Misalignment Effects on Graded Channel DG FD SOI n-MOSFET
机译:
梯级通道DG FD SOI N-MOSFET的栅极未对流效果2-D分析亚阈值模型
作者:
Rupendra Kumar Sharma
;
Manoj Saxena
;
Mridula Gupta
;
R. S. Gupta
会议名称:
《International Workshop on the Physics of Semiconductor Devices》
|
2007年
关键词:
Subthreshold model;
Graded channel;
Conformal mapping;
ATLAS device simulation;
65.
Interface Dipole Responsible for Fermi Level Pinning in Metal/3,4,9,10 Perylenetetracarboxylic Dianhydride Interfaces
机译:
界面偶极子负责金属/ 3,4,9,10个Per enetetrocarboxic二酐界面的费米级钉扎
作者:
Pramod Kumar
;
Ruchi Agrawal
;
Subhasis Ghosh
会议名称:
《International Workshop on the Physics of Semiconductor Devices》
|
2007年
66.
Design and Development of Passive and Active RF Components using MEMS Technology
机译:
使用MEMS技术的无源和有源RF组件的设计与开发
作者:
Shiban Kishen Koul
会议名称:
《International Workshop on the Physics of Semiconductor Devices》
|
2007年
关键词:
Active Antenna;
Band Stop filter;
Low Pass Filter;
Micromachined Antenna;
Micromachined Transmission Lines;
67.
Two-Dimensional Quantum Simulation of Scaling Effects in Ultrathin Body MOSFET Structure: NEGF Approach
机译:
超薄体MOSFET结构中缩放效果的二维量子模拟:Negf方法
作者:
Ali A. Orouji
;
Nima Dehdashti
;
R. Faez
会议名称:
《International Workshop on the Physics of Semiconductor Devices》
|
2007年
关键词:
Two-Dimensional Simulation;
Quantum Mechanical;
NEGF;
Ultra Thin Body (UTB) DGMOSFET;
68.
Characterization of ZnO Thin Films Using Scanning Tunneling Microscopy
机译:
使用扫描隧穿显微镜表征ZnO薄膜的特征
作者:
Harish Bahadur
;
S. B. Samanta
;
R. K. Sharma
;
Sudhir Chandra
会议名称:
《International Workshop on the Physics of Semiconductor Devices》
|
2007年
关键词:
ZnO thin films;
Sol-gel spin process;
Scanning tunneling microscopy;
Atomic arrangement;
69.
One bit distributed X-band phase shifter design based on RFMEMS Switches
机译:
基于RFMEMS开关的一位分布式X波段移位器设计
作者:
Kamal J. Rangra
;
Pampa Debnath
会议名称:
《International Workshop on the Physics of Semiconductor Devices》
|
2007年
关键词:
Bragg Frequency;
Distributed Phase shifter;
MEMS capacitor;
Pull-in voltage;
RFMEMS;
70.
Interface Properties of Hf-Based High-k Gate Dielectrics - O Vacancies and Interface Reaction
机译:
基于HF的高k门电介质 - O空位和界面反应的界面特性
作者:
Kenji Shiraishi
会议名称:
《International Workshop on the Physics of Semiconductor Devices》
|
2007年
关键词:
High-k HfO{sub}2 dielectrics;
Poly-Si and metal gates;
Fermi level pinning;
Oxygen vacancy;
Send a blank;
71.
Free Carrier absorption in free standing quantum well nanostructures
机译:
在自由常规量子孔纳米结构中的自由载体吸收
作者:
J. S. Bhat
;
R. A. Nesargi
;
B. G. Mulimani
会议名称:
《International Workshop on the Physics of Semiconductor Devices》
|
2007年
关键词:
Free carrier absorption;
Nanostructure;
72.
Observation of Thickness Dependent Properties in Novel Multiferroic Thin Films
机译:
新型多体薄膜厚度依赖性的观察
作者:
K. Prashanthi
;
S. P. Duttagupa
;
R. Pinto
;
V. R. Palkar
会议名称:
《International Workshop on the Physics of Semiconductor Devices》
|
2007年
关键词:
Multiferroics;
Pulsed Laser Deposition;
Thin film;
73.
Reliability Analysis of Thin HfO{sub}2/SiO{sub}2 Gate Dielectric Stack
机译:
薄HFO {SUB} 2 / SIO {SUB} 2栅极介质堆栈的可靠性分析
作者:
Piyas Samanta
;
Chunxiang Zhu
;
Mansun Chan
会议名称:
《International Workshop on the Physics of Semiconductor Devices》
|
2007年
关键词:
Charge trapping;
HfO{sub}2;
MOS;
TDDB;
74.
Processing and Properties of Diamond Films for Applications in Novel Electronic Devices
机译:
新型电子设备应用中钻孔电影的处理与性能
作者:
R. N. Singh
;
D. Das
;
N. Govindaraju
会议名称:
《International Workshop on the Physics of Semiconductor Devices》
|
2007年
75.
Field emission from carbon nanotubes: a comparative study between the carbon nanotubes synthesized by thermal and microwave plasma chemical vapor deposition
机译:
来自碳纳米管的场发射:热和微波等离子体化学气相沉积合成的碳纳米管之间的比较研究
作者:
Padmnabh Rai
;
Dipti Ranjan Mohapatra
;
Abha Misra
;
D. S. Misra
会议名称:
《International Workshop on the Physics of Semiconductor Devices》
|
2007年
76.
Tuning of Intersubband Transition in a Quantum Ring by External Electric Field
机译:
外部电场调整量子环中的运动器过渡
作者:
S. Bhattacharyya
;
Susmita Sen
;
N. R. Das
会议名称:
《International Workshop on the Physics of Semiconductor Devices》
|
2007年
关键词:
Electric Field;
Nanostructures Tuning;
Quantum Ring;
Quantized States;
Semiconductor;
77.
Finite Element Analysis of Heat Transfer in Nanowires (NWs)
机译:
纳米线中传热的有限元分析(NWS)
作者:
T. K. Maiti
;
S. S. Mahato
;
P. Chakraborty
;
S. K. Sarkar
;
C. K. Maiti
会议名称:
《International Workshop on the Physics of Semiconductor Devices》
|
2007年
关键词:
Classical size effect;
Quantum size effect;
Nanowire;
Finite element method;
78.
Electrical Characteristics of Pentacene Thin Film Junctions
机译:
五章薄膜结的电气特性
作者:
V. Sivaji Reddy
;
S. Das
;
S. K. Ray
;
A. Dhar
会议名称:
《International Workshop on the Physics of Semiconductor Devices》
|
2007年
关键词:
Capacitance measurement;
Charge carrier mobility;
Current density;
Semiconductor junctions;
79.
Maskless Fabrication of Silicon Grating with Pulsed Nd: YAG Laser Beam
机译:
脉冲Nd:YAG激光束粘附的硅光栅的无掩模制造
作者:
Brijesh Kumar
;
R. K. Soni
会议名称:
《International Workshop on the Physics of Semiconductor Devices》
|
2007年
关键词:
Periodic sub-micron structures;
Fourier method;
Laser surface patterning of semiconductors;
80.
Recent Technologies and Trends of Power Devices
机译:
最近的电力设备技术和趋势
作者:
Gourab Majumdar
会议名称:
《International Workshop on the Physics of Semiconductor Devices》
|
2007年
关键词:
IGBT;
IPM;
Power Conversion;
Power Module;
81.
Influence of Physical Parameters and Piezoelectric Polarization on Charge Control Characteristics of Si{sub}3N{sub}4/AlGaN/GaN Metal Insulator Semiconductor Heterostructure Field Effect Transistor (MISHFET)
机译:
物理参数和压电偏振对Si {} 3N {Sub} 4 / AlGaN / GaN金属绝缘体半导体异质结构场效应晶体管(MISHFET)的电荷控制特性
作者:
Ruchika Aggarwal
;
Anju Agrawal
;
Mridula Gupta
;
R. S. Gupta
会议名称:
《International Workshop on the Physics of Semiconductor Devices》
|
2007年
关键词:
AlGaN/GaN MISHFET;
Gate voltage swing;
Polarization;
Sheet carrier density;
Threshold voltage;
82.
Optical Interference Effects on CuPC:C60 based Blend Solar Cells
机译:
CUPC:C60混合太阳能电池的光学干扰效应
作者:
Debjit Datta
;
Satyendra Kumar
会议名称:
《International Workshop on the Physics of Semiconductor Devices》
|
2007年
关键词:
Solar Cell;
CuPC;
Blend;
C60;
Interference;
83.
Efficient CW terahertz generation with n-i-pn-i-p photomixers
机译:
使用N-I-PN-I-P光学器的高效CW太赫兹生成
作者:
G. H. Dohler
;
S. Preu
;
S. Malzer
;
L. J. Wang
;
M. Hanson
;
J. D. Zimmerman
;
A. C. Gossard
;
T. L. J. Wilkinson
;
E. R. Brown
会议名称:
《International Workshop on the Physics of Semiconductor Devices》
|
2007年
关键词:
Semiconductor nanostructures;
High-field ballistic transport;
Frequency mixing;
Optoelectronics;
84.
Theoretical Simulation of Submicron p{sup}+-i-n{sup}+ Avalanche Photodiodes in a Soft Dead Space Model
机译:
亚微米P {SUP} + - I-N {SUP} +雪崩光电二极管的理论模拟
作者:
Saeedeh Jahanmiri-Nejad
;
M. Hossein Sheikhi
会议名称:
《International Workshop on the Physics of Semiconductor Devices》
|
2007年
关键词:
Avalanche photodiode (APD);
Dead space;
Excess noise factor;
Impact ionization;
Multiplication gain;
85.
A Two-Dimensional Analytical Model for I-V Characteristics of Graded Channel Surrounding Gate (GC SGT) MOSFET
机译:
围栏分级频道(GC SGT)MOSFET的I-V特征二维分析模型
作者:
Harsupreet Kaur
;
Sneha Kabra
;
Subhasis Haldar
;
R. S. Gupta
会议名称:
《International Workshop on the Physics of Semiconductor Devices》
|
2007年
关键词:
Drain current enhancement;
Improved breakdown voltage;
Graded channel;
Reduced output conductance;
86.
Evaluation of the ohmic properties of the silver metal contacts of an improved sintering process on the multicrystalline silicon solar cells
机译:
在多晶硅太阳能电池上改进烧结过程的银金属触点的欧姆特性评价
作者:
P. N. Vinod
会议名称:
《International Workshop on the Physics of Semiconductor Devices》
|
2007年
87.
Comparative Studies on As-grown and Nanotextured GaN:Mg Epilayer
机译:
生长和纳米纹理GaN的比较研究:Mg癫痫
作者:
Suparna Pal
;
Alka Ingale
;
V. K. Dixit
;
T. K. Sharma
;
S. Porwal
;
C. Mukharjee
;
S. M. Oak
会议名称:
《International Workshop on the Physics of Semiconductor Devices》
|
2007年
关键词:
GaN:Mg;
Nanocolumn;
Photoelectrochemical etching;
S-shaped behavior;
88.
Optoelectronic Phenomenon behind a Typical Al/CdSe/Al Structure
机译:
典型的Al / Cdse / Al结构后面的光电现象
作者:
K. Sarmah
;
R. Sarma
;
H. L. Das
会议名称:
《International Workshop on the Physics of Semiconductor Devices》
|
2007年
关键词:
Activation Energy;
Defects;
Optical band gap;
89.
Modeling of floating β ratio of Inverter in Silicon-on-Insulator Technology
机译:
硅 - 绝缘技术中逆变器浮动β比的建模
作者:
Deeba Yousuf
;
Hakim Najeeb-ud-din Shah
会议名称:
《International Workshop on the Physics of Semiconductor Devices》
|
2007年
关键词:
β ratio;
Floating Body Effects;
Inverter;
Silicon on Insulator Technology;
90.
Characteristics of Al/SrBi{sub}2Ta{sub}2O{sub}9/HfO{sub}2/Si structure using HfO{sub}2 as buffer layer for ferroelectric-gate field effect transistors
机译:
Al / Srbi {Sub} 2TA {Sub} 2TA {Sub} 9 / HFO {Sub} 2 / Si结构使用HFO {Sub} 2作为铁电栅场效应晶体管的缓冲层
作者:
A. Roy
;
A. Dhar
;
S. K. Ray
会议名称:
《International Workshop on the Physics of Semiconductor Devices》
|
2007年
关键词:
Ferroelectric;
Hafnium oxide;
Memory window;
SBT thin film;
91.
An Improvement of the Breakdown Voltage Characteristic of Trench Gate IGBTs by Using a Shielding Layer
机译:
使用屏蔽层改进沟槽栅极IGBT的击穿电压特性
作者:
Jong-Seok Lee
;
Ho-Hyun Shin
;
Han-Sin Lee
;
Ey-Goo Kang
;
Man Young Sung
会议名称:
《International Workshop on the Physics of Semiconductor Devices》
|
2007年
关键词:
Breakdown voltage;
Electric field;
Insulated gate bipolar transistor;
Shielding layer;
Trench gate;
92.
Effects of interdiffusion on the Photoluminescence of ternary and quaternary semiconductor nanostructures interpreted
机译:
相互积分对三元和四元半导体纳米结构解释的光致发光的影响
作者:
Tapas Das
;
Subindu Kumar
;
Dipankar Biswas
会议名称:
《International Workshop on the Physics of Semiconductor Devices》
|
2007年
关键词:
Band offset;
Interdiffusion;
Nanostructures;
Photoluminescence;
93.
Studies on Cantilever based Triglyceride Biosensor
机译:
基于悬臂甘油三酯生物传感器的研究
作者:
Renny Edwin Fernandez
;
Soma Sekhar B. V.
;
Enakshi Bhattacharya
;
Anju Chadha
会议名称:
《International Workshop on the Physics of Semiconductor Devices》
|
2007年
关键词:
Biosensor;
Microcantilever;
Resonance frequency;
Triglyceride;
Vibrometer;
94.
Two-Dimensional Analytical Threshold Voltage Model for Nanoscale SG-Concave MOSFET in Sub-50nm Regime
机译:
纳米级SG-Tynave MOSFET中的二维分析阈值电压模型
作者:
Rishu Chaujar
;
Ravneet Kaur
;
Manoj Saxena
;
Mridula Gupta
;
R. S. Gupta
会议名称:
《International Workshop on the Physics of Semiconductor Devices》
|
2007年
关键词:
ATLAS;
Concave MOSFET;
Gate Stack;
Negative Junction Depth (NJD);
Two-dimensional (2-D) Modeling;
95.
Frontier of organic light emitting devices
机译:
有机发光器件的前沿
作者:
Chihaya Adachi
;
Toshinori Matsushima
;
Hajime Nakanotani
;
Tomo Sakanoue
;
Masayuki Yahiro
;
Daisuke Yokoyama
会议名称:
《International Workshop on the Physics of Semiconductor Devices》
|
2007年
关键词:
OLED;
Organic Light-Emitting FET;
Organic Laser Diode;
96.
Effect of Pentacene Thickness on Organic Thin Film transistors: Role of Pentacene/Insulator Interface
机译:
五烯胶质厚度对有机薄膜晶体管的影响:五烯/绝缘界面的作用
作者:
Dipti Gupta
;
M. Katiyar
;
Deepak
会议名称:
《International Workshop on the Physics of Semiconductor Devices》
|
2007年
关键词:
Organic thin film transistor;
Pentacene;
Dielectric/semiconductor interface;
Pentacene thickness;
Device Simulation;
97.
Electronic Structure of Ga{sub}xAl{sub}(1-x)Sb Alloys by Empirical Pseudopotential Method
机译:
通过经验伪能量方法的Ga {Sub} XAL {sub}(1-x)Sb合金的电子结构
作者:
Nishant N. Patel
;
K. B. Joshi
会议名称:
《International Workshop on the Physics of Semiconductor Devices》
|
2007年
关键词:
Gallium alloys;
Quantum theory;
Semiconductor device modeling;
Semiconductor materials;
98.
Effect of intermittent spray on optoelectronic properties of ZnO nanocrystallites synthesized by chemical spray pyrolysis
机译:
间歇喷雾对化学喷雾热解合成的ZnO纳米晶体光电性能的影响
作者:
C. M. Mahajan
;
M. G. Takwale
会议名称:
《International Workshop on the Physics of Semiconductor Devices》
|
2007年
关键词:
ZnO;
Intermittent spray pyrolysis;
Nanocrystallite;
Optoelectronic properties;
99.
Electrical Measurement of Undercut in Surface Micromachined Structures
机译:
表面微机械结构中底切的电气测量
作者:
Somashekara Bhat
;
Enakshi Bhattacharya
会议名称:
《International Workshop on the Physics of Semiconductor Devices》
|
2007年
关键词:
Surface micromachining;
Undercut;
Resonance frequency;
MEMS;
100.
An Opto-Sensitive InP Based IMPATT Diode for Application in Terahertz Regime
机译:
基于光敏的基于INP的IMPatt二极管,用于在太赫兹政权中的应用
作者:
Moumita Mukherjee
;
Nilratan Mazumder
;
Kushalendu Goswami
;
Sitesh Kumar Roy
会议名称:
《International Workshop on the Physics of Semiconductor Devices》
|
2007年
关键词:
Indium Phosphide;
IMPATT diode oscillator;
Terahertz;
Optical radiation effects;
Flip Chip;
Top Mounted device;
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