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Symposium on Progress in Semiconductor Materials for Optoelectronic Applications, Nov 26-29, 2001, Boston, Massachusetts, U.S.A.
Symposium on Progress in Semiconductor Materials for Optoelectronic Applications, Nov 26-29, 2001, Boston, Massachusetts, U.S.A.
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1.
Two Dimensional Photonic Crystal Modes and Resonances in Three-dimensional Structures
机译:
三维结构中的二维光子晶体模和共振
作者:
Shanhui Fan
;
J. D. Joannopoulos
会议名称:
《Symposium on Progress in Semiconductor Materials for Optoelectronic Applications, Nov 26-29, 2001, Boston, Massachusetts, U.S.A.》
|
2001年
2.
Transmission Characterization of Drilled Alternating-Layer Three-Dimensional Photonic Crystals
机译:
钻孔交替层三维光子晶体的透射特性
作者:
Eiichi Kuramochi
;
Masaya Notomi
;
Itaru Yokohama
;
Jun-ichi Takahashi
;
Chiharu Takahashi
;
Takayuki Kawashima
;
Shojiro Kawakami
会议名称:
《Symposium on Progress in Semiconductor Materials for Optoelectronic Applications, Nov 26-29, 2001, Boston, Massachusetts, U.S.A.》
|
2001年
3.
Third Order Mode Optically Pumped Semiconductor Laser for an Integrated Twin Photon Source in Quantum Optics
机译:
用于量子光学中集成双光子源的三阶模式光泵浦半导体激光器
作者:
N. G. Semaltianos
;
A. De Rossi
;
V. Berger
;
B. Vinter
;
E. Chirlias
;
V. Ortiz
会议名称:
《Symposium on Progress in Semiconductor Materials for Optoelectronic Applications, Nov 26-29, 2001, Boston, Massachusetts, U.S.A.》
|
2001年
4.
The Role of Nitrogen-Induced Localization and Defects in InGaAsN (≈ 2 N): Comparison of InGaAsN Grown by Molecular Beam Epitaxy and Metal-Organic Chemical Vapor Deposition
机译:
氮诱导的局部化和缺陷在InGaAsN(≈2%N)中的作用:分子束外延和金属有机化学气相沉积法生长InGaAsN的比较
作者:
Steven R
;
Kurtz
;
A. A. Allerman
;
J. F. Klem
;
R. M. Sieg
;
C. H. Seager
;
E. D. Jones
会议名称:
《Symposium on Progress in Semiconductor Materials for Optoelectronic Applications, Nov 26-29, 2001, Boston, Massachusetts, U.S.A.》
|
2001年
5.
The Influence of Annealing Temperature and Doping on the Red/Near-Infrared Luminescence of Ion Implanted SiO_2:nc-Si
机译:
退火温度和掺杂对离子注入SiO_2:nc-Si离子红/近红外发光的影响
作者:
D.I. TETELBAUM
;
V.A. BURDOV
;
S.A. TRUSHIN
;
A.N. MIKHAYLOV
;
D.G. REVIN
;
D.M. GAPONOVA
会议名称:
《Symposium on Progress in Semiconductor Materials for Optoelectronic Applications, Nov 26-29, 2001, Boston, Massachusetts, U.S.A.》
|
2001年
6.
Space Radiation Effects in Advanced Solar Cell Materials and Devices
机译:
先进太阳能电池材料和装置中的空间辐射效应
作者:
R. J. Walters
;
G. P. Summers
;
S. R. Messenger
会议名称:
《Symposium on Progress in Semiconductor Materials for Optoelectronic Applications, Nov 26-29, 2001, Boston, Massachusetts, U.S.A.》
|
2001年
7.
Successes and Predictions of A Pseudopotential Approach in Anion-Mixed Nitrides
机译:
阴离子混合氮化物中准电势方法的成功与预测
作者:
L. Bellaiche
;
A. Al-Yacoub
;
N.A. Modine
;
E.D. Jones
会议名称:
《Symposium on Progress in Semiconductor Materials for Optoelectronic Applications, Nov 26-29, 2001, Boston, Massachusetts, U.S.A.》
|
2001年
8.
Electron scattering in two―dimensional disordered heterostructures
机译:
二维无序异质结构中的电子散射
作者:
I. Gomez
;
E. Diez
;
F. Dommguez-Adame
;
P. Orellana
会议名称:
《》
|
2001年
9.
Electronic structure near the band gap of heavily nitrogen doped GaAs and GaP
机译:
重氮掺杂GaAs和GaP带隙附近的电子结构
作者:
Yong Zhang
;
B. Fluegel
;
M. Hanna
;
A. Duda
;
A. Mascarenhas
会议名称:
《Symposium on Progress in Semiconductor Materials for Optoelectronic Applications, Nov 26-29, 2001, Boston, Massachusetts, U.S.A.》
|
2001年
10.
Effect of rapid thermal annealing: red and blue shift in photoluminescence of GaNAs grown by RF plasma-assisted molecular beam epitaxy
机译:
快速热退火的影响:RF等离子体辅助分子束外延生长的GaNA的光致发光中的红色和蓝色偏移
作者:
W.K. Loke
;
S. F. Yoon
;
T. K. Ng
;
S. Z. Wang
;
W. J. Fan
会议名称:
《Symposium on Progress in Semiconductor Materials for Optoelectronic Applications, Nov 26-29, 2001, Boston, Massachusetts, U.S.A.》
|
2001年
11.
Effect of Marangoni Convection on InSb Single Crystal Growth by Horizontal Bridgman Method
机译:
水平布里奇曼法对Marangoni对流对InSb单晶生长的影响
作者:
K. Kodera
;
A. Kinoshita
;
K. Arafune
;
Y. Nakae
;
A. Hirata
会议名称:
《Symposium on Progress in Semiconductor Materials for Optoelectronic Applications, Nov 26-29, 2001, Boston, Massachusetts, U.S.A.》
|
2001年
12.
Influence of Er and O doses in Er-related emission in Al_(0.70)Ga_(0.30)As:Er
机译:
Er和O的剂量对Al_(0.70)Ga_(0.30)As:Er中Er相关发射的影响
作者:
Shin-ichiro Uekusa
;
Tomoyuki Arai
会议名称:
《Symposium on Progress in Semiconductor Materials for Optoelectronic Applications, Nov 26-29, 2001, Boston, Massachusetts, U.S.A.》
|
2001年
13.
Effects of As Doping on Properties of ZnO Films
机译:
砷掺杂对ZnO薄膜性能的影响
作者:
K.S. Huh
;
D.K. Hwang
;
K.H. Bang
;
M.K. Hong
;
D. H. Lee
;
J.M. Myoung
;
M.S. Oh
;
W. K. Choi
会议名称:
《Symposium on Progress in Semiconductor Materials for Optoelectronic Applications, Nov 26-29, 2001, Boston, Massachusetts, U.S.A.》
|
2001年
14.
Improved Routes towards Solution Deposition of Indium Sulfide Thin Films for Photovoltaic Applications
机译:
光伏应用中硫化铟薄膜溶液沉积的改进方法
作者:
Kuveshni Govender
;
David Smyth-Boyle
;
Paul OBrien
会议名称:
《Symposium on Progress in Semiconductor Materials for Optoelectronic Applications, Nov 26-29, 2001, Boston, Massachusetts, U.S.A.》
|
2001年
15.
Doping profiles of n-type GaAs layers grown on Si by the conformal method
机译:
通过保形方法在Si上生长的n型GaAs层的掺杂分布
作者:
Angel M. Ardila
;
O. Martinez
;
M. Avella
;
J. Jimenez
;
B. Gerard
;
J. Napierala
;
E. Gil- Lafon
会议名称:
《Symposium on Progress in Semiconductor Materials for Optoelectronic Applications, Nov 26-29, 2001, Boston, Massachusetts, U.S.A.》
|
2001年
16.
Current Images of CdSe Colloidal Nanodots Observed by Conductive-tip Atomic Force Microscopy
机译:
导电尖端原子力显微镜观察的CdSe胶体纳米点的当前图像。
作者:
Ichiro Tanaka
;
Eri Kawasaki
;
O. Ohtsuki
;
M. Kara
;
H. Asami
;
I. Kamiya
会议名称:
《Symposium on Progress in Semiconductor Materials for Optoelectronic Applications, Nov 26-29, 2001, Boston, Massachusetts, U.S.A.》
|
2001年
17.
Development of A~ⅡB~Ⅵ Semiconductors Doped with Cr for IR Laser Application
机译:
Cr掺杂A〜ⅡB〜Ⅵ半导体在红外激光中的应用
作者:
V.A. Kasiyan
;
R.Z. Shneck
;
Z.M. Dashevsky
;
S.R. Rotman
会议名称:
《Symposium on Progress in Semiconductor Materials for Optoelectronic Applications, Nov 26-29, 2001, Boston, Massachusetts, U.S.A.》
|
2001年
18.
Continuous and Time Resolved Optically Detected Magnetic Resonance Studies of InP Nanoparticles
机译:
InP纳米粒子的连续和时间分辨光学检测磁共振研究
作者:
L. Langof
;
E. Ehrenfreund
;
E. Lifshitz
;
O.I. Micic
;
A. J. Nozik
会议名称:
《Symposium on Progress in Semiconductor Materials for Optoelectronic Applications, Nov 26-29, 2001, Boston, Massachusetts, U.S.A.》
|
2001年
19.
Control of ZnO Morhpology by Solution Route
机译:
通过溶液路径控制ZnO形态
作者:
Lingdong Sun
;
Jun Zhang
;
Chunsheng Liao
;
Chunhua Yan
会议名称:
《Symposium on Progress in Semiconductor Materials for Optoelectronic Applications, Nov 26-29, 2001, Boston, Massachusetts, U.S.A.》
|
2001年
20.
Characterization of LiInS_2 and LiInSe_2 single crystals for nonlinear optical applications
机译:
用于非线性光学应用的LiInS_2和LiInSe_2单晶的表征
作者:
Ludmila Isaenko
;
Alexander Yelisseyev
;
Sergei Lobanov
;
Alexander Panich
;
Vitaly Vedenyapin
;
Julia Smirnova
;
Valentin Petrov
;
Jean-Jacques Zondy
;
Guido Knippels
会议名称:
《Symposium on Progress in Semiconductor Materials for Optoelectronic Applications, Nov 26-29, 2001, Boston, Massachusetts, U.S.A.》
|
2001年
21.
Calculations of Dielectric Constant for AlGaInAs Quaternary Semiconductor Alloy in the Transparent Region and Above (0.4-4.0eV)
机译:
透明区及以上(0.4-4.0eV)的AlGaInAs四元半导体合金的介电常数的计算
作者:
M. Linnik
;
A. Christou
会议名称:
《Symposium on Progress in Semiconductor Materials for Optoelectronic Applications, Nov 26-29, 2001, Boston, Massachusetts, U.S.A.》
|
2001年
22.
Interference lithography for 3D photonic band gap crystal layer by layer fabrication
机译:
逐层制造3D光子带隙晶体的干涉光刻
作者:
A Feigel
;
Z. Kotler
;
B. Sfez
;
A. Arsh
;
M. Klebanov
;
V. Lyubin
会议名称:
《Symposium on Progress in Semiconductor Materials for Optoelectronic Applications, Nov 26-29, 2001, Boston, Massachusetts, U.S.A.》
|
2001年
23.
A Theoretical Study of Structural Disorder and Photoluminescence Linewidth in InGaAs/GaAs Self Assembled Quantum Dots
机译:
InGaAs / GaAs自组装量子点中结构无序和光致发光线宽的理论研究
作者:
Yih-Yin Lin
;
Hongtao Jiang
;
Jasprit Singh
会议名称:
《Symposium on Progress in Semiconductor Materials for Optoelectronic Applications, Nov 26-29, 2001, Boston, Massachusetts, U.S.A.》
|
2001年
24.
Field Effect Controlled Photoresistors Based on Chemically Deposited PbS Films
机译:
基于化学沉积PbS薄膜的场效应控制光敏电阻
作者:
Eugenia Pentia
;
Lucian Pintilie
;
Ion Matei
;
Ioana Pintilie
会议名称:
《Symposium on Progress in Semiconductor Materials for Optoelectronic Applications, Nov 26-29, 2001, Boston, Massachusetts, U.S.A.》
|
2001年
25.
Comparison of AlGaAs Oxidation in MBE and MOCVD Grown Samples
机译:
MBE和MOCVD生长样品中AlGaAs氧化的比较
作者:
Y. Chen
;
A. Roshko
;
K.A. Bertness
;
D.W. Readey
;
A.A. Allerman
;
M. Tan
;
A. Tandon
会议名称:
《Symposium on Progress in Semiconductor Materials for Optoelectronic Applications, Nov 26-29, 2001, Boston, Massachusetts, U.S.A.》
|
2001年
26.
Artificial Second Order Non-Linearity in Photonic Crystals
机译:
光子晶体中的人工二阶非线性
作者:
A Feigel
;
Z. Kotler
;
B. Sfez
会议名称:
《Symposium on Progress in Semiconductor Materials for Optoelectronic Applications, Nov 26-29, 2001, Boston, Massachusetts, U.S.A.》
|
2001年
27.
Quantitative Secondary Ion Mass Spectrometry (SIMS) of Ⅲ-Ⅴ Materials
机译:
Ⅲ-Ⅴ类物质的定量二次离子质谱(SIMS)
作者:
P. Van Lierde
;
C. Tian
;
B. Rothman
;
R. A. Hockett
会议名称:
《Symposium on Progress in Semiconductor Materials for Optoelectronic Applications, Nov 26-29, 2001, Boston, Massachusetts, U.S.A.》
|
2001年
28.
Quantum dots of InAs/GaSb type II superlattice for infrared sensing
机译:
用于红外传感的InAs / GaSb II型超晶格的量子点
作者:
M. Razeghi
;
Y. Wei
;
A. Gin
;
G. J. Brown
会议名称:
《Symposium on Progress in Semiconductor Materials for Optoelectronic Applications, Nov 26-29, 2001, Boston, Massachusetts, U.S.A.》
|
2001年
29.
Quantum Dot Long-Wavelength Detectors
机译:
量子点长波长检测器
作者:
Pallab Bhattacharya
;
Adrienne D. Stiff-Roberts
;
Sanjay Krishna
;
Steve Kennedy
会议名称:
《Symposium on Progress in Semiconductor Materials for Optoelectronic Applications, Nov 26-29, 2001, Boston, Massachusetts, U.S.A.》
|
2001年
30.
Photo-stimulated Rebuilding of Structure in Semiconductors
机译:
半导体结构的光刺激重建
作者:
Rashidova S.S.
;
Oksengendler B.L.
;
Turaeva N.N.
;
Aripov I.M.
会议名称:
《Symposium on Progress in Semiconductor Materials for Optoelectronic Applications, Nov 26-29, 2001, Boston, Massachusetts, U.S.A.》
|
2001年
31.
Photo-Assisted MOVPE Growth of ZnMgS on (100) Si
机译:
光辅助MOVPE在(100)Si上生长ZnMgS
作者:
Angel Rodriguez
;
Jeremy Shattuck
;
Xiaoguang Zhang
;
Peng Li
;
David Parent
;
John Ayers
;
Faquir Jain
会议名称:
《Symposium on Progress in Semiconductor Materials for Optoelectronic Applications, Nov 26-29, 2001, Boston, Massachusetts, U.S.A.》
|
2001年
32.
RAMAN AND PHOTOLUMINESCENCE MAPPING OF LATTICE MATCHED InGaP/GaAs HETEROSTRUCTURES
机译:
晶格匹配的InGaP / GaAs异质结构的拉曼和光致发光映射
作者:
G. Attolini
;
P.Fallini
;
F.Germini
;
C. Pelosi
;
O. Martinez
;
L.F.Sanz
;
M.A. Gonzalez
;
J. Jimenez
会议名称:
《Symposium on Progress in Semiconductor Materials for Optoelectronic Applications, Nov 26-29, 2001, Boston, Massachusetts, U.S.A.》
|
2001年
33.
Radiative recombination processes of thermal donors in silicon
机译:
硅中热供体的辐射复合过程
作者:
S. Pizzini
;
S. Binetti
;
E. Leoni
;
A. Le Donne
;
M. Acciarri
;
A. Castaldini
会议名称:
《Symposium on Progress in Semiconductor Materials for Optoelectronic Applications, Nov 26-29, 2001, Boston, Massachusetts, U.S.A.》
|
2001年
34.
THERMAL ANNEAL EFFECTS ON CARBON-HYDROGEN LVMs IN AlGaN
机译:
AlGaN中碳氢LVM的热退火效应
作者:
M. O. Manasreh
;
B.D. Weaver
会议名称:
《Symposium on Progress in Semiconductor Materials for Optoelectronic Applications, Nov 26-29, 2001, Boston, Massachusetts, U.S.A.》
|
2001年
35.
Thin Films of Antimony-Tin Oxide as Counter-Electrodes for Proton Working Electrochromic Devices
机译:
氧化锑锡薄膜作为质子工作电致变色器件的对电极
作者:
N. Naghavi
;
C. Marcel
;
L. Dupont
;
A. Rougier
;
J-M. Tarascon
会议名称:
《Symposium on Progress in Semiconductor Materials for Optoelectronic Applications, Nov 26-29, 2001, Boston, Massachusetts, U.S.A.》
|
2001年
36.
PbTe Flash Evaporation on Si <100> Substrates for Heterojunction Infrared Detectors
机译:
Si <100>衬底上用于异质结红外探测器的PbTe闪蒸
作者:
Sonia Guimaraes
;
Sabrina de C. F. F. da Silva
;
Joao M. K. de Assis
会议名称:
《Symposium on Progress in Semiconductor Materials for Optoelectronic Applications, Nov 26-29, 2001, Boston, Massachusetts, U.S.A.》
|
2001年
37.
Optically Detected Magnetic Resonance Study of Core-Shell and Alloy Nanocrystals of HgTe and CdS
机译:
HgTe和CdS的核-壳和合金纳米晶体的光学检测磁共振研究
作者:
L. Fradkin
;
L. Langof
;
E. Lifshitz
;
A.Rogach
;
N. Gaponik
;
H. Weller
;
A. Eychmueller
会议名称:
《Symposium on Progress in Semiconductor Materials for Optoelectronic Applications, Nov 26-29, 2001, Boston, Massachusetts, U.S.A.》
|
2001年
38.
OPTICAL CHARACTERIZATION OF Ⅳ-Ⅵ MID-INFRARED VCSEL
机译:
Ⅳ-Ⅵ中红外VCSEL的光学表征
作者:
F. Zhao
;
H. Wu
;
T. Zheng
;
P. J. McCann
;
A. Majumdar
;
Lalith Jayasinghe
;
Z. Shi
会议名称:
《Symposium on Progress in Semiconductor Materials for Optoelectronic Applications, Nov 26-29, 2001, Boston, Massachusetts, U.S.A.》
|
2001年
39.
Optical Vibrational and Structural Properties of Ge_(1-x)Sn_x alloys by UHV-CVD
机译:
UHV-CVD法对Ge_(1-x)Sn_x合金的光学振动和结构性能
作者:
Jennifer Taraci
;
S. Zollner
;
M. R. McCartney
;
Jose Menendez
;
D. J. Smith
;
John Tolle
;
M. Bauer
;
Erika Duda
;
N. V. Edwards
;
J. Kouvetakis
会议名称:
《Symposium on Progress in Semiconductor Materials for Optoelectronic Applications, Nov 26-29, 2001, Boston, Massachusetts, U.S.A.》
|
2001年
40.
Optical study of 2D photonic crystals in an InP/GaInAsP slab waveguide structure
机译:
InP / GaInAsP平板波导结构中二维光子晶体的光学研究
作者:
Rolando Ferrini
;
David Leuenberger
;
Mikaeel Mulot
;
Min Qiu
;
Juergen Moosburger
;
Martin Kamp
;
Alfred Forchel
;
Srinivasan Anand
;
Romuald Houdre
会议名称:
《Symposium on Progress in Semiconductor Materials for Optoelectronic Applications, Nov 26-29, 2001, Boston, Massachusetts, U.S.A.》
|
2001年
41.
Scatterometry for Lithography Process Control and Characterization in IC Manufacturing
机译:
用于集成电路制造中光刻工艺控制和表征的散射测量
作者:
Yiorgos Kostoulas
;
Christopher J. Raymond
;
Mike Littau
会议名称:
《Symposium on Progress in Semiconductor Materials for Optoelectronic Applications, Nov 26-29, 2001, Boston, Massachusetts, U.S.A.》
|
2001年
42.
Oxidation Kinetics and Microstructure of Wet-Oxidized MBE-Grown Short-Period AlGaAs Superlattices
机译:
湿氧化MBE生长的短周期AlGaAs超晶格的氧化动力学和微观结构
作者:
Rene Todt
;
Katharine Dovidenko
;
Alexei Katsnelson
;
Vadim Tokranov
;
Michael Yakimov
;
Serge Oktyabrsky
会议名称:
《Symposium on Progress in Semiconductor Materials for Optoelectronic Applications, Nov 26-29, 2001, Boston, Massachusetts, U.S.A.》
|
2001年
43.
Annealing effect on the nonradiative carrier recombination in AlGaAs/GaAs investigated by a piezoelectric photothermal spectroscopy
机译:
压电光热光谱研究AlGaAs / GaAs中非辐射载流子复合的退火效应
作者:
Atsuhiko Fukuyama
;
Hiroaki Nagatomo
;
Yoshito Akashi
;
Tetsuo Ikari
会议名称:
《Symposium on Progress in Semiconductor Materials for Optoelectronic Applications, Nov 26-29, 2001, Boston, Massachusetts, U.S.A.》
|
2001年
44.
Intra-magnetoexciton transitions in semiconductor quantum wells
机译:
半导体量子阱中的磁内激变
作者:
Z. Barticevic
;
M. Pacheco
;
C. A. Duque
;
L. E. Oliveira
会议名称:
《Symposium on Progress in Semiconductor Materials for Optoelectronic Applications, Nov 26-29, 2001, Boston, Massachusetts, U.S.A.》
|
2001年
45.
Lead telluride-based far-infrared photodetectors ― a promising alternative to doped Si and Ge
机译:
基于碲化铅的远红外光电探测器-一种掺杂Si和Ge的有前途的替代品
作者:
Dmilriy Dolzhenko
;
Ivan Ivanchik
;
Dmitriy Khokhlov
;
Konstantin Kristovskiy
会议名称:
《Symposium on Progress in Semiconductor Materials for Optoelectronic Applications, Nov 26-29, 2001, Boston, Massachusetts, U.S.A.》
|
2001年
46.
Luminescence of quasi-2DEG in heterostructures based on PbS films
机译:
基于PbS薄膜的异质结构中准2DEG的发光
作者:
G. Khlyap
会议名称:
《Symposium on Progress in Semiconductor Materials for Optoelectronic Applications, Nov 26-29, 2001, Boston, Massachusetts, U.S.A.》
|
2001年
47.
Luminescent Characteristics of InGaAsP/InP Multiple Quantum Well Structures by Impurity-Free Vacancy Disordering
机译:
InGaAsP / InP多重量子阱结构的无杂质空位无序发光特性
作者:
J. Zhao
;
X. D. Zhang
;
Z. C. Feng
;
J. C. Deng
;
P. Jin
;
Y. C. Wang
;
G. Xu
会议名称:
《Symposium on Progress in Semiconductor Materials for Optoelectronic Applications, Nov 26-29, 2001, Boston, Massachusetts, U.S.A.》
|
2001年
48.
NEW APPROACH TOWARDS THE DEPOSITION OF Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ THIN FILMS
机译:
沉积Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ型薄膜的新方法
作者:
Mohammad Afzaal
;
David Crouch
;
Paul OBrien
;
Jin-Ho Park
会议名称:
《Symposium on Progress in Semiconductor Materials for Optoelectronic Applications, Nov 26-29, 2001, Boston, Massachusetts, U.S.A.》
|
2001年
49.
Fast Room Temperature Detection of State of Circular Polarization of Terahertz Radiation
机译:
太赫兹辐射圆极化状态的快速室温检测
作者:
Sergey D. Ganichev
;
Hermann Ketterl
;
Wilhelm Prettl
会议名称:
《Symposium on Progress in Semiconductor Materials for Optoelectronic Applications, Nov 26-29, 2001, Boston, Massachusetts, U.S.A.》
|
2001年
50.
Gallium vacancy in GaSb studied by positron lifetime spectroscopy and photoluminescence
机译:
通过正电子寿命谱和光致发光研究GaSb中的镓空位
作者:
W. K. Mui
;
M. K. Lui
;
C.C. Ling
;
C. D. Beling
;
S. Fung
;
K. W. Cheah
;
K. F. Li
;
Y. W. Zhao
会议名称:
《Symposium on Progress in Semiconductor Materials for Optoelectronic Applications, Nov 26-29, 2001, Boston, Massachusetts, U.S.A.》
|
2001年
51.
Excitonic Diamagnetic Shifts and Magnetic Field Dependent Linewidths in Al_xGa_(1-x)As Alloys
机译:
Al_xGa_(1-x)As合金中的激子抗磁位移和与磁场有关的线宽
作者:
G. Coli
;
K. K. Bajaj
;
J. L. Reno
;
E. D. Jones
会议名称:
《Symposium on Progress in Semiconductor Materials for Optoelectronic Applications, Nov 26-29, 2001, Boston, Massachusetts, U.S.A.》
|
2001年
52.
Exciton Diamagnetic Shifts and Magnetic Field Dependent Linewidths in Ordered and Disordered InGaP Alloys
机译:
有序和无序InGaP合金的激子抗磁位移和磁场相关的线宽
作者:
E.D. Jones
;
K. K. Bajaj
;
G. Coli
;
S. A. Crooker
;
Yong Zhang
;
A. Mascarenhas
;
J. M. Olsen
会议名称:
《Symposium on Progress in Semiconductor Materials for Optoelectronic Applications, Nov 26-29, 2001, Boston, Massachusetts, U.S.A.》
|
2001年
53.
GaAs Photodetector for X-ray Imaging
机译:
用于X射线成像的GaAs光电探测器
作者:
G. C. Sun
;
H. Samic
;
V. Donchev
;
S. Gautrot
;
J. C. Bourgoin
会议名称:
《Symposium on Progress in Semiconductor Materials for Optoelectronic Applications, Nov 26-29, 2001, Boston, Massachusetts, U.S.A.》
|
2001年
54.
Enhanced Photoluminescence from Long Wavelength InAs Quantum Dots Embedded in a Graded (In,Ga)As Quantum Well
机译:
嵌入渐变(In,Ga)As量子阱中的长波长InAs量子点增强的光致发光
作者:
L. Chen
;
V. G. Stoleru
;
D. Pal
;
D. Pan
;
E. Towe
会议名称:
《Symposium on Progress in Semiconductor Materials for Optoelectronic Applications, Nov 26-29, 2001, Boston, Massachusetts, U.S.A.》
|
2001年
55.
Ion Implantation Induced Interdiffusion in Quantum Wells for Optoelectronic Device Integration
机译:
离子注入引起的量子阱在光电器件集成中的相互扩散
作者:
L. FU
;
H.H. TAN
;
M.I. COHEN
;
C. JAGADISH
;
L.V. DAO
;
M. GAL
;
NA LI
;
NING LI
;
X. LIU
;
W. LU
;
S.C. SHEN
会议名称:
《Symposium on Progress in Semiconductor Materials for Optoelectronic Applications, Nov 26-29, 2001, Boston, Massachusetts, U.S.A.》
|
2001年
56.
Irradiation Effects in Space Solar Cells Made of Multiple Absorbers
机译:
多吸收体制成的空间太阳能电池中的辐照效应
作者:
M.J. Romero
;
R.J. Walters
;
M.M. Al-Jassim
;
S.R. Messenger
;
G.P. Summers
会议名称:
《Symposium on Progress in Semiconductor Materials for Optoelectronic Applications, Nov 26-29, 2001, Boston, Massachusetts, U.S.A.》
|
2001年
57.
INTERSUBBAND TRANSITIONS IN InGaAs/InAlAs MULTIPLE QUANTUM WELLS GROWN ON InP SUBSTRATE
机译:
InP基质上生长的InGaAs / InAlAs多量子阱中的带间跃迁
作者:
Qiaoying Zhou
;
M. O. Manasreh
;
B. D. Weaver
;
M. Missous
会议名称:
《Symposium on Progress in Semiconductor Materials for Optoelectronic Applications, Nov 26-29, 2001, Boston, Massachusetts, U.S.A.》
|
2001年
58.
Luminescence from erbium oxide grown on silicon
机译:
硅上生长的氧化er的发光
作者:
E. Nogales
;
B. Mendez
;
J.Piqueras
;
R.PIugaru
;
J. A. Garcia
;
T. J. Tate
会议名称:
《Symposium on Progress in Semiconductor Materials for Optoelectronic Applications, Nov 26-29, 2001, Boston, Massachusetts, U.S.A.》
|
2001年
59.
Ⅰ-Ⅴ And C-V Characteristics of nGaAs-nInSb Heterojunctions Obtained by Pulsed Laser Deposition Technique
机译:
脉冲激光沉积技术获得的nGaAs-nInSb异质结的Ⅰ-Ⅴ和C-V特性
作者:
Karapet E. Avdjian
会议名称:
《Symposium on Progress in Semiconductor Materials for Optoelectronic Applications, Nov 26-29, 2001, Boston, Massachusetts, U.S.A.》
|
2001年
60.
High Luminescence Efficiency from GaAsN Layers Grown by MBE with RF Nitrogen Plasma Source
机译:
具有射频氮等离子体源的MBE生长的GaAsN层的高发光效率
作者:
Victor M. Ustinov
;
Nikolai A. Cherkashin
;
Nikolai A. Bert
;
Andrei F. Tsatsulnikov
;
Alexei R. Kovsh
;
Jyh-Shang Wang
;
Li Wei
;
Jim Y. Chi
会议名称:
《Symposium on Progress in Semiconductor Materials for Optoelectronic Applications, Nov 26-29, 2001, Boston, Massachusetts, U.S.A.》
|
2001年
61.
Growth of High Nitrogen Content GaAsN by Metalorganic Chemical Vapor Deposition
机译:
金属有机化学气相沉积法生长高氮含量的GaAsN
作者:
J. C. Roberts
;
B. F. Moody
;
P. Barletta
;
M. E. Aumer
;
S. F. LeBoeuf
;
J. M. Luther
;
S. M. Bedair
会议名称:
《Symposium on Progress in Semiconductor Materials for Optoelectronic Applications, Nov 26-29, 2001, Boston, Massachusetts, U.S.A.》
|
2001年
62.
Hole concentration vs. Mn fraction in a diluted (Ga,Mn)As ferromagnetic semiconductor
机译:
稀释的(Ga,Mn)As铁磁半导体中的空穴浓度与Mn分数
作者:
Raimundo R. dos Santos
;
L. E. Oliveira
;
J. dAlbuquerque e Castro
会议名称:
《Symposium on Progress in Semiconductor Materials for Optoelectronic Applications, Nov 26-29, 2001, Boston, Massachusetts, U.S.A.》
|
2001年
63.
High-Performance InAs/GaAs Quantum Dots Infrared Photodetector With/Without Al_(0.2)Ga_(0.8)As Blocking Layers
机译:
具有/不具有Al_(0.2)Ga_(0.8)As阻挡层的高性能InAs / GaAs量子点红外光电探测器
作者:
Zhengmao Ye
;
Joe C. Campbell
;
Zhonghui Chen
;
O. Baklenov
;
E. T. Kim
;
I. Mukhametzhanov
;
J. Tie
;
A. Madhukar
会议名称:
《Symposium on Progress in Semiconductor Materials for Optoelectronic Applications, Nov 26-29, 2001, Boston, Massachusetts, U.S.A.》
|
2001年
64.
Growth of the Single-Crystalline ZnO Films on Si (111) Substrates by Plasma-Assisted Molecular-Beam Epitaxy
机译:
等离子体辅助分子束外延在Si(111)衬底上生长单晶ZnO薄膜
作者:
Kazuto Koike
;
Takanori Tanite
;
Shigehiko Sasa
;
Masataka Inoue
;
Mitsuaki Yano
会议名称:
《Symposium on Progress in Semiconductor Materials for Optoelectronic Applications, Nov 26-29, 2001, Boston, Massachusetts, U.S.A.》
|
2001年
65.
Fabrication of Microstructures for Microphotonic Circuit
机译:
用于微光子电路的微结构的制造
作者:
Subhasish Chakraborty
;
D G Hasko
;
R J Mears
会议名称:
《Symposium on Progress in Semiconductor Materials for Optoelectronic Applications, Nov 26-29, 2001, Boston, Massachusetts, U.S.A.》
|
2001年
66.
GaInNAs Material Properties for Long Wavelength Opto-Electronic Devices
机译:
长波长光电器件的GaInNAs材料特性
作者:
Vincent Gambin
;
Wonill Ha
;
Mark Wistey
;
Seongsin Kim
;
James S. Harris
会议名称:
《Symposium on Progress in Semiconductor Materials for Optoelectronic Applications, Nov 26-29, 2001, Boston, Massachusetts, U.S.A.》
|
2001年
67.
Electroluminescence and Spectral Shift of CdS Nanoparticles on Si Wafer
机译:
Si晶片上CdS纳米粒子的电致发光和光谱位移
作者:
Eih-Zhe Liang
;
Ching-Fuh Lin
;
Sheng-Ming Shin
;
Wei-Fang Su
会议名称:
《Symposium on Progress in Semiconductor Materials for Optoelectronic Applications, Nov 26-29, 2001, Boston, Massachusetts, U.S.A.》
|
2001年
68.
Strategies For Direct Monolithic Integration of Al_xGa_(1-x)As/In_xGa_(1-x)As LEDS and Lasers On Ge/GeSi/Si Substrates Via Relaxed Graded Ge_xSi_(1-x)Buffer Layers
机译:
通过宽松的渐变Ge_xSi_(1-x)缓冲层在Ge / GeSi / Si基板上直接集成Al_xGa_(1-x)As / In_xGa_(1-x)As LED和激光器的单片集成策略
作者:
Michael E. Groenert
;
Christopher W. Leitz
;
Arthur J. Pitera
;
Vicky K. Yang
;
Harry Lee
;
Rajeev J. Ram
;
Eugene A. Fitzgerald
会议名称:
《Symposium on Progress in Semiconductor Materials for Optoelectronic Applications, Nov 26-29, 2001, Boston, Massachusetts, U.S.A.》
|
2001年
69.
Structural Properties and Doping of Zn_(1-x)(Mg,Li)_xO Materials
机译:
Zn_(1-x)(Mg,Li)_xO材料的结构性质和掺杂
作者:
R. E. Melgarejo
;
M.S. Tomar
;
A. Hidalgo
;
R. S. Katiyar
会议名称:
《Symposium on Progress in Semiconductor Materials for Optoelectronic Applications, Nov 26-29, 2001, Boston, Massachusetts, U.S.A.》
|
2001年
70.
Synthesis of Nanosized Lithium Manganate For Lithium-ion Secondary Batteries
机译:
锂离子二次电池用纳米锰酸锂的合成
作者:
Hsien-Cheng Wang
;
Yueh Lin
;
Ming-Chang Wen
;
Chung-Hsin Lu
会议名称:
《Symposium on Progress in Semiconductor Materials for Optoelectronic Applications, Nov 26-29, 2001, Boston, Massachusetts, U.S.A.》
|
2001年
71.
Atomistic Modeling of Ⅲ-Ⅴ Semiconductors: Thermodynamic Equilibrium and Growth Kinetics
机译:
Ⅲ-Ⅴ族半导体的原子建模:热力学平衡和生长动力学
作者:
Frank Grosse
;
William Barvosa-Carter
;
Jennifer J. Zinck
;
Mark F. Gyure
会议名称:
《Symposium on Progress in Semiconductor Materials for Optoelectronic Applications, Nov 26-29, 2001, Boston, Massachusetts, U.S.A.》
|
2001年
72.
Annealing of some Ⅱ-Ⅳ-Ⅴ_2 crystals in the vapor of volatile constituents
机译:
挥发性成分蒸气中某些Ⅱ-Ⅳ-Ⅴ_2晶体的退火
作者:
Valeriy G.Voevodin
;
Olga V.Voevodina
;
Svetlana A.Bereznaya
;
Zoya V.Korotchenko
;
Nils C. Fernelius
;
Jonathan T. Goldstein
;
Melvin C. Ohmer
会议名称:
《Symposium on Progress in Semiconductor Materials for Optoelectronic Applications, Nov 26-29, 2001, Boston, Massachusetts, U.S.A.》
|
2001年
73.
Shallow-donor states in spherical quantum dots with parabolic confinement
机译:
具有抛物线约束的球形量子点中的浅施主态
作者:
C. A. Duque
;
N. Porras-Montenegro
;
M. de Dios-Leyva
;
L. E. Oliveira
会议名称:
《Symposium on Progress in Semiconductor Materials for Optoelectronic Applications, Nov 26-29, 2001, Boston, Massachusetts, U.S.A.》
|
2001年
74.
Simulations of Realizable Photonic Bandgap Structures with High Refractive Contrast
机译:
高折射对比度可实现的光子带隙结构的模拟
作者:
Bonnie Gersten
;
Jennifer Synowczynski
会议名称:
《Symposium on Progress in Semiconductor Materials for Optoelectronic Applications, Nov 26-29, 2001, Boston, Massachusetts, U.S.A.》
|
2001年
75.
Preparation of CdS/ZnO Core/shell Structured Nanoparticles by Hydrothermal Method
机译:
水热法制备CdS / ZnO核/壳结构纳米粒子
作者:
Chunhua Yan
;
Lingdong Sun
;
Xuefeng Fu
;
chunsheng Liao
会议名称:
《Symposium on Progress in Semiconductor Materials for Optoelectronic Applications, Nov 26-29, 2001, Boston, Massachusetts, U.S.A.》
|
2001年
76.
Pulsed Laser Deposition and Characterization of Zn_(1-x)Mn_xO Films
机译:
Zn_(1-x)Mn_xO薄膜的脉冲激光沉积与表征
作者:
C. Jin
;
A. Tiwari
;
A. Kvit
;
D. Kumar
;
J. Muth
;
J. Narayan
会议名称:
《Symposium on Progress in Semiconductor Materials for Optoelectronic Applications, Nov 26-29, 2001, Boston, Massachusetts, U.S.A.》
|
2001年
77.
Properties of 2D and 3D Dielectric Structures Fabricated by Electrochemical Dissolution of Ⅲ-Ⅴ Compounds
机译:
Ⅲ-Ⅴ族化合物电化学溶解制备的2D和3D介电结构的性质
作者:
I.M. Tiginyanu
;
S. Langa
;
M. Christophersen
;
J. Carstensen
;
V. Sergentu
;
E. Foca
;
O. Rios
;
H. Foell
会议名称:
《Symposium on Progress in Semiconductor Materials for Optoelectronic Applications, Nov 26-29, 2001, Boston, Massachusetts, U.S.A.》
|
2001年
78.
PHOTOLUMINESCENCE FROM Er-IMPLANTED 4H AND 6H-SiC
机译:
Er 4H和6H-SiC的光致发光
作者:
Shin-ichiro Uekusa
;
Takayuki Goto
会议名称:
《Symposium on Progress in Semiconductor Materials for Optoelectronic Applications, Nov 26-29, 2001, Boston, Massachusetts, U.S.A.》
|
2001年
79.
On the Optical Memory of a Thin-Film pInSb-nCdTe Heterojunction Obtained by Laser Pulsed Deposition
机译:
激光脉冲沉积获得的薄膜pInSb-nCdTe异质结的光学记忆
作者:
Arik G. Alexanian
;
Nikolay S. Aramyan
;
Romen P. Grigoryan
;
Ashot M. Khachatrian
;
Lenrik A. Matevossian
;
Arsham S. Yeremyan
会议名称:
《Symposium on Progress in Semiconductor Materials for Optoelectronic Applications, Nov 26-29, 2001, Boston, Massachusetts, U.S.A.》
|
2001年
80.
On the scaling of exciton and impurity binding energies and the virial theorem in semiconductor quantum wells and quantum-well wires
机译:
半导体量子阱和量子阱线中激子和杂质结合能的标度和维里定理
作者:
M. de Dios-Leyva
;
L. E. Oliveira
会议名称:
《Symposium on Progress in Semiconductor Materials for Optoelectronic Applications, Nov 26-29, 2001, Boston, Massachusetts, U.S.A.》
|
2001年
81.
Optical Constants of Annealed a-Si:H from Transmittance at Normal Incidence
机译:
正常入射时从透射率得出的退火a-Si:H的光学常数
作者:
Atsutoshi Doi
;
Yoshiyuki Matsumoto
会议名称:
《Symposium on Progress in Semiconductor Materials for Optoelectronic Applications, Nov 26-29, 2001, Boston, Massachusetts, U.S.A.》
|
2001年
82.
Novel AlGaAs/CaF_2 SESAM Device for Ultrashort Pulse Generation
机译:
用于超短脉冲产生的新型AlGaAs / CaF_2 SESAM器件
作者:
Silke Schoen
;
Lukas Gallmann
;
Markus Haiml
;
Ursula Keller
会议名称:
《Symposium on Progress in Semiconductor Materials for Optoelectronic Applications, Nov 26-29, 2001, Boston, Massachusetts, U.S.A.》
|
2001年
83.
Airplane and Drop Experiments on Crystallization of In_xGa_(1-x)Sb Semiconductor under Different Gravity Conditions
机译:
In_xGa_(1-x)Sb半导体在不同重力条件下的结晶飞行实验
作者:
Krishnan Balakrishnan
;
Yasuhiro Hayakawa
;
Hideki Komatsu
;
Noriaki Murakami
;
Tetsuo Nakamura
;
Tadashi Kimura
;
Tetsuo Ozawa
;
Yasunori Okano
;
Masafumi Miyazawa
;
Sadik Dost
;
Le. H. Dao
;
Masashi Kumagawa
会议名称:
《Symposium on Progress in Semiconductor Materials for Optoelectronic Applications, Nov 26-29, 2001, Boston, Massachusetts, U.S.A.》
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2001年
84.
Sb-terminated InAs(001)-(2x4) and (2x8) studied using scanning tunneling microscopy and ab initio density functional theory
机译:
使用扫描隧道显微镜和从头算密度函数理论研究Sb端接的InAs(001)-(2x4)和(2x8)
作者:
William Barvosa-Carter
;
Frank Grosse
;
James H.G. Owen
;
Jennifer J. Zinck
会议名称:
《Symposium on Progress in Semiconductor Materials for Optoelectronic Applications, Nov 26-29, 2001, Boston, Massachusetts, U.S.A.》
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2001年
85.
Sb-Based Mid-Infrared Diode Lasers
机译:
基于锑的中红外二极管激光器
作者:
C. Mermelstein
;
M. Rattunde
;
J. Schmitz
;
S. Simanowski
;
R. Kiefer
;
M. Walther
;
J. Wagner
会议名称:
《Symposium on Progress in Semiconductor Materials for Optoelectronic Applications, Nov 26-29, 2001, Boston, Massachusetts, U.S.A.》
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2001年
86.
Nature and Formation of Non-Radiative Defects in GaNAs And InGaAsN
机译:
GaNAs和InGaAsN中非辐射缺陷的性质和形成
作者:
W. M. Chen
;
N.Q. Thinh
;
I. A. Buyanova
;
P.N. Hai
;
H. P. Xin
;
C. W. Tu
;
Wei Li
;
M. Pessa
会议名称:
《Symposium on Progress in Semiconductor Materials for Optoelectronic Applications, Nov 26-29, 2001, Boston, Massachusetts, U.S.A.》
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2001年
87.
Near-field photoluminescence spectroscopy of localized states in InGaAsN alloys
机译:
InGaAsN合金中局域态的近场光致发光光谱
作者:
A. M. Mintairov
;
P. A. Blagnov
;
T. Kosel
;
J. L. Merz
;
V. M. Ustinov
;
A. S. Vlasov
;
R. E. Cook
会议名称:
《Symposium on Progress in Semiconductor Materials for Optoelectronic Applications, Nov 26-29, 2001, Boston, Massachusetts, U.S.A.》
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2001年
88.
Multi-Color Quantum Well Infrared Photodetectors for Mid-, Long-, and Very Long- Wavelength Infrared Applications (invited)
机译:
适用于中,长和非常长波长红外应用的多色量子阱红外光电探测器(受邀)
作者:
Sheng S. Li
会议名称:
《Symposium on Progress in Semiconductor Materials for Optoelectronic Applications, Nov 26-29, 2001, Boston, Massachusetts, U.S.A.》
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2001年
89.
Gas Source MBE Growth and Characterization of TlInGaAs/InP DH Structures for Temperature-independent Wavelength LD Application
机译:
气体源MBE生长和TlInGaAs / InP DH结构的特性,与温度无关的波长LD应用
作者:
Hajime Asahi
;
Hwe-Jae Lee
;
Akiko Mizobata
;
Kenta Konishi
;
Osamu Maeda
;
Kumiko Asami
会议名称:
《Symposium on Progress in Semiconductor Materials for Optoelectronic Applications, Nov 26-29, 2001, Boston, Massachusetts, U.S.A.》
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2001年
90.
Effect of Zn atom diffusion in the active layer of InGaAlP visible-LED investigated by the Piezoelectric Photothermal Spectroscopy
机译:
压电光热光谱法研究Zn原子在InGaAlP可见光LED有源层中的扩散作用
作者:
Ryuji Ohno
;
Yoshihito Taiji
;
Shoichro Sato
;
Atsuhiko Fukuyama
;
Shigeru Shigetomi
;
Tetsuo Ikari
会议名称:
《Symposium on Progress in Semiconductor Materials for Optoelectronic Applications, Nov 26-29, 2001, Boston, Massachusetts, U.S.A.》
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2001年
91.
Effects of Ion Bombarding and Nitrogenation on the Properties of Photovoltaic a-CN_x Thin Films
机译:
离子轰击和氮化对光伏a-CN_x薄膜性能的影响
作者:
Z.B. Zhou
;
R.Q. Cui
;
G.M. Hadi
;
Q.J. Pang
;
C.Y. Jin
;
Z. M. Ding
会议名称:
《Symposium on Progress in Semiconductor Materials for Optoelectronic Applications, Nov 26-29, 2001, Boston, Massachusetts, U.S.A.》
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2001年
92.
InAsN Grown by Plasma-Assisted Gas Source MBE
机译:
等离子体辅助气源MBE种植的InAsN
作者:
Ding-Kang Shih
;
Hao-Hsiung Lin
;
Tso-Yu Chu
;
T. R. Yang
会议名称:
《Symposium on Progress in Semiconductor Materials for Optoelectronic Applications, Nov 26-29, 2001, Boston, Massachusetts, U.S.A.》
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2001年
93.
Effects of Electric Fields on Cathodoluminescence from Ⅱ-Ⅵ Quantum Well Light Emitting Diodes
机译:
电场对Ⅱ-Ⅵ型量子阱发光二极管阴极发光的影响
作者:
A. Y. Nikiforov
;
G. S. Cargill III
;
M. C. Tamargo
;
S. P. Guo
;
Y.-C. Chen
会议名称:
《Symposium on Progress in Semiconductor Materials for Optoelectronic Applications, Nov 26-29, 2001, Boston, Massachusetts, U.S.A.》
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2001年
94.
InAs quantum dots in AlAs/GaAs short period superlattices: structure, optical characteristics and laser diodes
机译:
AlAs / GaAs短周期超晶格中的InAs量子点:结构,光学特性和激光二极管
作者:
Vadim Tokranov
;
M. Yakimov
;
A. Katsnelson
;
K. Dovidenko
;
R. Todt
;
S. Oktyabrsky
会议名称:
《Symposium on Progress in Semiconductor Materials for Optoelectronic Applications, Nov 26-29, 2001, Boston, Massachusetts, U.S.A.》
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2001年
95.
InP Self Assembled Quantum Dot Lasers Grown on GaAs Substrates by Metalorganic Chemical Vapor Deposition
机译:
金属有机化学气相沉积在GaAs衬底上生长的InP自组装量子点激光器
作者:
R. D. Dupuis
;
J. H. Ryou
;
R. D. Heller
;
G. Walter
;
D. A. Kellogg
;
N. Holonyak
;
C. V. Reddy
;
V. Narayanamurti
;
D. T. Mathes
;
R. Hull
会议名称:
《Symposium on Progress in Semiconductor Materials for Optoelectronic Applications, Nov 26-29, 2001, Boston, Massachusetts, U.S.A.》
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2001年
96.
Depth Profiling of SiC Lattice Damage Using Micro-Raman Spectroscopy
机译:
显微拉曼光谱法对SiC晶格损伤的深度剖析
作者:
Iulia C. Muntele
;
Daryush Ila
;
Claudiu I. Muntele
;
David B. Poker
;
Dale K. Hensley
会议名称:
《Symposium on Progress in Semiconductor Materials for Optoelectronic Applications, Nov 26-29, 2001, Boston, Massachusetts, U.S.A.》
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2001年
97.
Deep Centers and Their Capture Barriers in MOCVD-Grown GaN
机译:
MOCVD生长的GaN中的深中心及其俘获势垒
作者:
Daniel K. Johnstone
;
Mohamed Ahoujja
;
Yung Kee Yeo
;
Robert L. Hengehold
;
Louis Guido
会议名称:
《Symposium on Progress in Semiconductor Materials for Optoelectronic Applications, Nov 26-29, 2001, Boston, Massachusetts, U.S.A.》
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2001年
98.
LOCAL VIBRATIONAL MODES OF CARBON-HYDROGEN COMPLEXES IN PROTON IRRADIATED AlGaN
机译:
质子辐照的AlGaN中碳氢复合物的局域振动模式
作者:
M. O. Manasreh
;
B.D. Weaver
会议名称:
《Symposium on Progress in Semiconductor Materials for Optoelectronic Applications, Nov 26-29, 2001, Boston, Massachusetts, U.S.A.》
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2001年
99.
A Bowtie Antenna Coupled Tunable Photon-Assisted Tunneling Double Quantum Well (DQW) THz Detector
机译:
领结天线耦合可调谐光子辅助隧穿双量子阱(DQW)THz检测器
作者:
Majid M. Khodier
;
Christos G. Christodoulou
;
Jerry A. Simmons
会议名称:
《Symposium on Progress in Semiconductor Materials for Optoelectronic Applications, Nov 26-29, 2001, Boston, Massachusetts, U.S.A.》
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2001年
100.
Field emission enhancement of DLC films using triple-junction type emission structure
机译:
使用三结型发射结构增强DLC薄膜的场发射
作者:
Namwoong Paik
;
Michael Martin
;
Daeil Kim
;
Sungjin Kim
;
Steven Kim
;
Kie Moon Song
会议名称:
《Symposium on Progress in Semiconductor Materials for Optoelectronic Applications, Nov 26-29, 2001, Boston, Massachusetts, U.S.A.》
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2001年
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