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Advances in Resist Technology and Processing XIII
Advances in Resist Technology and Processing XIII
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1.
Bilayer resist a
机译:
双层抗蚀剂
作者:
Ulrich P. Schaedeli
;
Ciba-Geigy Ltd.
;
Plasselb
;
Switzerland
;
Eric Tinguely
;
Ciba-Geigy Ltd.
;
Marly/Fribourg
;
Switzerland
;
Andrew J. Blakeney
;
Olin Microelectronic Materials
;
Inc.
;
East Providence
;
RI
;
USA
;
Pasquale A. Falcigno
;
Ciba-Geigy Ltd.
;
Basel
;
Switzerland
;
Roderick R. Kunz
;
MIT Lincoln Lab.
;
Lexington
;
MA
;
USA.
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XIII》
|
1996年
2.
Evaluation of the dry resist octavinylsilsesquioxan and its applicationto three-dimensional electron-beam lithography,
机译:
干抗蚀剂八乙烯基硅倍半氧烷的评价及其在三维电子束光刻中的应用,
作者:
Hans W. Koops
;
Deutsch Telekom AG
;
Darmstadt
;
Germany
;
Sergey V. Babin
;
Deutsch Telekom AG
;
Hayward
;
CA
;
USA
;
M.Weber
;
Deutsch Telekom AG
;
Darmstadt
;
Germany
;
G.Dahm
;
Deutsch Telekom AG
;
Kassel
;
Germany
;
A.Holopkin
;
Technocenter AG
;
Moscow
;
Russia
;
M.N. Lyakhov
;
Technocenter AG
;
Moscow
;
Russia.
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XIII》
|
1996年
3.
Excimer laser photoresist stri
机译:
准分子激光光刻胶
作者:
Menahem Genut
;
Oramir Semiconductor Equipment Ltd.
;
Haifa
;
Israel
;
Ofer Tehar-Zahav
;
Oramir Semiconductor Equipment Ltd.
;
Haifa
;
Israel
;
Eli Iskevitch
;
Oramir Semiconductor Equipment Ltd.
;
Haifa
;
Israel
;
Boris Livshitz
;
Oramir Semiconductor Equipment Ltd.
;
Haifa
;
Israel.
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XIII》
|
1996年
4.
High-performance TSI process for e-beam using vapor-a
机译:
使用蒸气A的高效电子束TSI工艺
作者:
Mathias Irmscher
;
Institute for Microelectronics Stuttgart
;
Stuttgart
;
Germany
;
Bernd Hoefflinger
;
Institute for Microelectronics Stuttgart
;
Stuttgart
;
Germany
;
Reinhard Springer
;
Institute for Microelectronics Stuttgart
;
Stuttgart
;
Germany
;
Craig Stauffer
;
GENESIS
;
Santa Clara
;
CA
;
USA
;
William Peterson
;
Silicon Resources
;
Inc.
;
Phoenix
;
AZ
;
USA.
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XIII》
|
1996年
5.
Application of photodecomposable base concept to two-component deep-UVchemically amplified resists,
机译:
光可分解基础概念在两组分深紫外化学放大抗蚀剂中的应用,
作者:
S.Funato
;
Hoechst Industry Ltd.
;
Saitama
;
Japan
;
N.Kawasaki
;
Hoechst Industry Ltd.
;
Kawagoe Saitama
;
Japan
;
Yoshiaki Kinoshita
;
Hoechst Industry Ltd.
;
Saitama
;
Japan
;
Seiya Masuda
;
Hoechst Industry Ltd.
;
Kawagoe Saitama
;
Japan
;
Hiroshi Okazaki
;
Hoechst Industry Ltd.
;
Saitama-ken
;
Japan
;
Munirathna Padmanaban
;
Hoechst Industry Ltd.
;
Saitama
;
Japan
;
T.Yamamoto
;
Hoechst Industry Ltd.
;
Kawagoe
;
Saitama
;
Japan
;
Georg Pawlowski
;
Hoechst Industry Ltd.
;
Kawagoe Saitama
;
Japan.
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XIII》
|
1996年
6.
Undercut elimination in DUV negative systems: application to lithographyand etching of metal levels,
机译:
在DUV负片系统中消除底切:应用于光刻和金属水准仪的蚀刻,
作者:
Francoise Vinet
;
LETI/CEA
;
Grenoble Cedex 9
;
France
;
Michel Heitzmann
;
LETI/CEA
;
Grenoble Cedex 9
;
France
;
Thierry Mourier
;
LETI/CEA
;
Grenoble Cedex 9
;
France
;
Dominique Poncet
;
LETI/CEA
;
Grenoble Cedex 9
;
France
;
Bernard Previtali
;
LETI/CEA
;
Grenoble Cedex 9
;
France
;
C.Vizioz
;
LETI/CEA
;
Grenoble Cedex 9
;
France
;
Patrick J. Paniez
;
France Telecom/CNET
;
Meylan Cedex
;
France
;
Andre Schiltz
;
France Telecom/CNET
;
Meylan Cedex
;
France.
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XIII》
|
1996年
7.
Calibration of chemically amplified resist models
机译:
化学放大抗蚀剂模型的校准
作者:
Jeffrey D. Byers
;
SEMATECH
;
Austin
;
TX
;
USA
;
John S. Petersen
;
Shipley Co. Inc.
;
Marlborough
;
MA
;
USA
;
John L. Sturtevant
;
Motorola
;
Austin
;
TX
;
USA.
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XIII》
|
1996年
8.
Method of comparing chemical contrast with resist contrast
机译:
化学对比与抗蚀剂对比的比较方法
作者:
Gregory M. Wallraff
;
IBM Almaden Research Div.
;
San Jose
;
CA
;
USA
;
Juliann Opitz
;
IBM Almaden Research Ctr.
;
San Jose
;
CA
;
USA
;
Gregory Breyta
;
IBM Almaden Research Ctr.
;
San Jose
;
CA
;
USA
;
Hiroshi Ito
;
IBM Almaden Research Ctr.
;
San Jose
;
CA
;
USA
;
Bruce M. Fuller
;
IBM Almaden Research Ctr.
;
San Jose
;
CA
;
USA.
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XIII》
|
1996年
9.
Negative resists for electron-beam lithography utilizing acid-catalyzed intramolecular dehydration of phenylcarbinol
机译:
利用苯甲醇的酸催化分子内脱水进行电子束光刻的负性抗蚀剂
作者:
Sonoko Migitaka
;
Hitachi
;
Ltd.
;
Kokubunji
;
Tokyo
;
Japan
;
Shou-ichi Uchino
;
Hitachi
;
Ltd.
;
Kokubunji
;
Tokyo
;
Japan
;
Takumi Ueno
;
Hitachi
;
Ltd.
;
Hitachi Ibaraki
;
Japan
;
Jiro Yamamoto
;
Hitachi
;
Ltd.
;
Kokubunji
;
Tokyo
;
Japan
;
K.Kojima
;
Hitachi
;
Ltd.
;
Kokubunji
;
Tokyo
;
Japan
;
Michiaki Hashimoto
;
Hitachi Chemical Co.
;
Hitachi
;
Ibaraki-ken
;
Japan
;
Hiroshi Shiraishi
;
Hitachi
;
Ltd.
;
Kokubunji Tokyo
;
Japan.
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XIII》
|
1996年
10.
Novel main chain scission positive-tone photoresists for 248-nm lithography with wide post-exposure processing latitude as an alternative to chemically amplified systems
机译:
用于248 nm光刻的新型主链断裂正性光刻胶,具有宽的曝光后处理范围,可替代化学放大系统
作者:
Neil D. McMurdie
;
PPG Industries
;
Allison Park
;
PA
;
USA
;
James B. ODwyer
;
PPG Industries
;
Allison Park
;
PA
;
USA.
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XIII》
|
1996年
11.
Optimization of i-line resist process for 0.5-um polysilicon gate structures using a top-coat layer
机译:
使用面涂层优化用于0.5um多晶硅栅极结构的i线抗蚀剂工艺
作者:
Jean-Paul E. Chollet
;
France Telecom/CNET
;
Crolles
;
France
;
Marie-Therese Basso
;
France Telecom/CNET
;
Crolles Cedex
;
France.
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XIII》
|
1996年
12.
Science and technolgy policy in the 104th Congress
机译:
第104届国会科学技术政策
作者:
Zoe Lofgren
;
U.S. House of Representatives
;
Washington
;
DC
;
USA.
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XIII》
|
1996年
13.
Block and random copolymer resists designed for 193-nm lithography and environmentally friendly supercritical CO2 development
机译:
专为193 nm光刻和环保型超临界CO2开发而设计的嵌段和无规共聚物抗蚀剂
作者:
Allen H. Gabor
;
Cornell Univ.
;
Ithaca
;
NY
;
USA
;
Robert D. Allen
;
IBM Almaden Research Ctr.
;
San Jose
;
CA
;
USA
;
Paula M. Gallagher-Wetmore
;
Phasex Corp.
;
Lawrence
;
MA
;
USA
;
Christopher K. Ober
;
Cornell Univ.
;
Ithaca
;
NY
;
USA.
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XIII》
|
1996年
14.
Diazonaphthoquinone-5-sulfonate composition variants: synthesis and properties
机译:
重氮萘醌5-磺酸盐组成变体:合成与性能
作者:
Anthony Zampini
;
Shipley Co. Inc.
;
Marlborough
;
MA
;
USA
;
Harold F. Sandford
;
Shipley Co. Inc.
;
Marlborough
;
MA
;
USA
;
William J. Cardin
;
Shipley Co. Inc.
;
Marlborough
;
MA
;
USA
;
Michael J. OLeary
;
Shipley Co. Inc.
;
Marlborough
;
MA
;
USA.
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XIII》
|
1996年
15.
Effect of substituent groups of phenol-derivative dissolution inhibitors on inhibition efficiency
机译:
酚衍生物溶出抑制剂的取代基对抑制效率的影响
作者:
Naoko Kihara
;
Toshiba Corp.
;
Sawai-ku
;
Kawasaki
;
Japan
;
Satoshi Saito
;
Toshiba Corp.
;
Saiwai-ku
;
Kawasaki
;
Japan
;
Takuya Naito
;
Toshiba Corp.
;
Saiwai-ku
;
Kawasaki
;
Japan
;
Tohru Ushirogouchi
;
Toshiba Corp.
;
Saiwai-ku
;
Kawasaki
;
Japan
;
Koji Asakawa
;
Toshiba Corp.
;
Saiwai-ku
;
Kawasaki
;
Japan
;
Makoto Nakase
;
Toshiba Corp.
;
Saiwai-ku
;
Kawasaki
;
Japan.
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XIII》
|
1996年
16.
Highly absorbing ARC for DUV lithography
机译:
用于DUV光刻的高吸收性ARC
作者:
Edward K. Pavelchek
;
Shipley Co. Inc.
;
Marlborough
;
MA
;
USA
;
James D. Meador
;
Brewer Science Inc.
;
Rolla
;
MO
;
USA
;
Douglas J. Guerrero
;
Brewer Science Inc.
;
Rolla
;
MO
;
USA
;
James E. Lamb
;
III
;
Brewer Science Inc.
;
Rolla
;
MO
;
USA
;
Ajit Kache
;
Brewer Science Inc.
;
Rockville
;
MD
;
USA
;
Manuel doCanto
;
Shipley Co. Inc.
;
Marlborough
;
MA
;
USA
;
Timothy G. Adams
;
Shipley Co. Inc.
;
Judbury
;
MA
;
USA
;
David R. Stark
;
SEMATECH
;
Austin
;
TX
;
USA
;
Daniel A. Miller
;
SEMATECH
;
Austin
;
TX
;
USA.
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XIII》
|
1996年
17.
Negative-tone resist system using vinyl cyclic acetal crosslinker
机译:
使用乙烯基环缩醛交联剂的负型抗蚀剂体系
作者:
Wu-Song Huang
;
IBM Microelectronics Div.
;
Hopewell Junction
;
NY
;
USA
;
Kim Y. Lee
;
IBM Microelectronics Div.
;
Yorktown Heights
;
NY
;
USA
;
Rex K. Chen
;
IBM Microelectronics Div.
;
Hopewell Junction
;
NY
;
USA
;
Dominic Schepis
;
IBM Microelectronics Div.
;
Hopewell Junction
;
NY
;
USA.
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XIII》
|
1996年
18.
Reduction of substrate dependency of chemically amplified resist
机译:
减少化学放大抗蚀剂对衬底的依赖性
作者:
Jun-Sung Chun
;
Hyundai Electronics Industries Co.
;
Ltd.
;
Ichon-kun
;
Kyoungki-do
;
South Korea
;
Cheol-Kyu Bok
;
Hyundai Electronics Industries Co.
;
Ltd.
;
Ichon-kun
;
Kyoungki-do
;
South Korea
;
Ki-Ho Baik
;
Hyundai Electronics Industries Co.
;
Ltd.
;
Kyoungki-do
;
South Korea.
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XIII》
|
1996年
19.
Substrate effect in chemically amplified resist
机译:
化学放大抗蚀剂的底物效应
作者:
Shigeyasu Mori
;
Sharp Corp.
;
Tenri-shi Nara Pref.
;
Japan
;
Takeo Watanabe
;
Sharp Corp.
;
Tenri-shi Nara Pref.
;
Japan
;
Kouichirou Adachi
;
Sharp Corp.
;
Tenri-shi Nara Pref.
;
Japan
;
Takashi Fukushima
;
Sharp Corp.
;
Tenri-shi Nara Pref.
;
Japan
;
Keichiro Uda
;
Sharp Corp.
;
Tenri-shi Nara Pref.
;
Japan
;
Yuichi Sato
;
Sharp Corp.
;
Tenri-shi Nara Pref.
;
Japan.
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XIII》
|
1996年
20.
Bake mechanisms in novolak-based photoresist films: investigation by contact angle measurements
机译:
酚醛清漆型光刻胶膜的烘烤机理:通过接触角测量进行研究
作者:
Emilienne Fadda
;
France Telecom/CNET
;
Meylan Cedex
;
France
;
C.Clarisse
;
France Telecom/CNET
;
Meylan Cedex
;
France
;
Patrick J. Paniez
;
France Telecom/CNET
;
Meylan Cedex
;
France.
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XIII》
|
1996年
21.
Chemically amplified negative-tone deep-UV photoresist based on poly(alkoxy styrenes) containing acetal groups
机译:
基于含缩醛基的聚(烷氧基苯乙烯)的化学放大负型深紫外光致抗蚀剂
作者:
Joo-Hyeon Park
;
Korea Kumho Petrochemical Co.
;
Ltd.
;
Daejun-City
;
South Korea
;
Seong-Ju Kim
;
Korea Kumho Petrochemical Co.
;
Ltd.
;
Daejun-City
;
South Korea
;
Ji-Hong Kim
;
Korea Kumho Petrochemical Co.
;
Ltd.
;
Daejun-City
;
South Korea
;
Dong-Chul Seo
;
Korea Kumho Petrochemical Co.
;
Ltd.
;
Daejun-City
;
South Korea
;
Ki-Dae Kim
;
Korea Kumho Petrochemical Co.
;
Ltd.
;
Daejun-City
;
South Korea
;
Sun-Yi Park
;
Korea Kumho Petrochemical Co.
;
Ltd.
;
Daejun-City
;
South Korea
;
Hosull Lee
;
Korea Kumho Petrochemical Co.
;
Ltd.
;
Daejun-City
;
South Korea.
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XIII》
|
1996年
22.
Design and properties of new deep-UV positive photoresist
机译:
新型深紫外正性光刻胶的设计与性能
作者:
Sang-Jun Choi
;
Samsung Electronics Co.
;
Ltd.
;
Yongin-Gun
;
Kyungki-Do
;
South Korea
;
Si-Young Jung
;
Samsung Electronics Co.
;
Ltd.
;
Yongin-Gun
;
Kyungki-Do
;
South Korea
;
Chang-Hwan Kim
;
Samsung Electronics Co.
;
Ltd.
;
Yongin-Goon
;
Kyungki-Do
;
South Korea
;
Choon-Geun Park
;
Samsung Electronics Co.
;
Ltd.
;
Yongin-Gun
;
Kyungki-Do
;
South Korea
;
Woo-Sung Han
;
Samsung Electronics Co.
;
Ltd.
;
Yongin-Gun
;
Kyungki-Do
;
South Korea
;
Young-Bum Koh
;
Samsung Electronics Co.
;
Ltd.
;
Yongin-Gun
;
Kyungki-Do
;
South Korea
;
Moon-Yong Lee
;
Samsung Electronics Co.
;
Ltd.
;
Yongin-Gun
;
Kyungki-Do
;
South Korea.
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XIII》
|
1996年
23.
Diffusion limitations in high-resolution lithography
机译:
高分辨率光刻中的扩散限制
作者:
Lothar Bauch
;
Institut fuer Halbleiterphysik Frankfurt (Oder) GmbH
;
Dresden
;
Germany
;
Ulrich A. Jagdhold
;
Institut fuer Halbleiterphysik Frankfurt (Oder) GmbH
;
Frankfurt (Oder)
;
Germany
;
Monica Boettcher
;
Institut fuer Halbleiterphysik Frankfurt (Oder) GmbH
;
Frankfurt (Oder)
;
Germany
;
Georg G. Mehliss
;
Allresist GmbH
;
Berlin
;
Germany.
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XIII》
|
1996年
24.
Novel alkaline-soluble alicyclic polymer poly(TCDMACOOH) for ArF chemically amplified positive resists
机译:
用于ArF化学放大正性抗蚀剂的新型碱溶性脂环族聚合物聚(TCDMACOOH)
作者:
Katsumi Maeda
;
NEC Corp.
;
Miyamae-ku
;
Kawasaki
;
Japan
;
Kaichiro Nakano
;
NEC Corp.
;
Aoba-ku
;
Yokohama
;
Japan
;
Takeshi Ohfuji
;
NEC Corp.
;
Miyamaeku Kawasaki
;
Japan
;
Etsuo Hasegawa
;
NEC Corp.
;
Miyamaeku Kawasaki
;
Japan.
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XIII》
|
1996年
25.
PED-tabilized chemically amplified photoresist
机译:
PED稳定的化学放大光刻胶
作者:
Takayoshi Tanabe
;
Japan Synthetic Rubber Co.
;
Ltd.
;
Mie
;
Japan
;
Yasutaka Kobayashi
;
Japan Synthetic Rubber Co.
;
Ltd.
;
Mie
;
Japan
;
Akira Tsuji
;
Japan Synthetic Rubber Co.
;
Ltd.
;
Mie
;
Japan.
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XIII》
|
1996年
26.
Postexposure bake characterization and parameter extraction for positive deep-UV resists through broad-area exposure experiments
机译:
通过广域曝光实验对正型深紫外线抗蚀剂进行曝光后烘烤表征和参数提取
作者:
Marco A. Zuniga
;
Univ. of California/Berkeley
;
Berkeley
;
CA
;
USA
;
Andrew R. Neureuther
;
Univ. of California/Berkeley
;
Berkeley
;
CA
;
USA.
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XIII》
|
1996年
27.
Removable organic antireflection coating
机译:
可移动的有机增透膜
作者:
John L. Sturtevant
;
SEMATECH
;
Austin
;
TX
;
USA
;
Linda J. Insalaco
;
Fusion Systems
;
Rockville
;
MD
;
USA
;
Tony Flaim
;
Brewer Science Inc.
;
Rolla
;
MO
;
USA
;
Vandana Krishnamurthy
;
Brewer Science Inc.
;
Rolla
;
MO
;
USA
;
James D. Meador
;
Brewer Science Inc.
;
Rolla
;
MO
;
USA
;
John S. Petersen
;
Shipley Co. Inc.
;
Marlborough
;
MA
;
USA
;
Andy Eckert
;
Univ. of Texas/Austin
;
Austin
;
TX
;
USA.
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XIII》
|
1996年
28.
Standing waves reducing additives
机译:
驻波减少添加剂
作者:
Medhat A. Toukhy
;
Olin Microelectronic Materials
;
East Providence
;
RI
;
USA
;
G.McCormick
;
Olin Microelectronic Materials
;
E Providence
;
RI
;
USA.
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XIII》
|
1996年
29.
Contrast-boosted resist using a polarity-change reaction during aqueous base development
机译:
在水性碱显影过程中使用极性变化反应增强对比度的抗蚀剂
作者:
Shou-ichi Uchino
;
Hitachi
;
Ltd.
;
Kokubunji
;
Tokyo
;
Japan
;
Takumi Ueno
;
Hitachi
;
Ltd.
;
Hitachi Ibaraki
;
Japan
;
Sonoko Migitaka
;
Hitachi
;
Ltd.
;
Kokubunji
;
Tokyo
;
Japan
;
Jiro Yamamoto
;
Hitachi
;
Ltd.
;
Kokubunji
;
Tokyo
;
Japan
;
Toshihiko P. Tanaka
;
Hitachi
;
Ltd.
;
Kokubunji
;
Tokyo
;
Japan
;
Fumio Murai
;
Hitachi
;
Ltd.
;
Kokubunji Tokyo
;
Japan
;
Hiroshi Shiraishi
;
Hitachi
;
Ltd.
;
Kokubunji Tokyo
;
Japan
;
Michiaki Hashimoto
;
Hitachi Chemical Co.
;
Hitachi
;
Ibaraki-ken
;
Japan.
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XIII》
|
1996年
30.
Dissolution behavior of novolak resins
机译:
酚醛清漆树脂的溶解行为
作者:
Rex K. Chen
;
IBM Microelectronics Div.
;
Hopewell Junction
;
NY
;
USA
;
George Jordhamo
;
IBM Microelectronics Div.
;
Hopewell Junction
;
NY
;
USA
;
Wayne M. Moreau
;
IBM Microelectronics Div.
;
Hopewell Junction
;
NY
;
USA.
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XIII》
|
1996年
31.
Evaluation of cycloolefin-maleic anhydride alternating copolymers as single-layer photoresists for 193-nm photolithography
机译:
环烯烃-马来酸酐交替共聚物作为单层光刻胶的193 nm光刻技术评估
作者:
Thomas I. Wallow
;
ATT Bell Labs.
;
Murray Hill
;
NJ
;
USA
;
Francis M. Houlihan
;
ATT Bell Labs.
;
Murray Hill
;
NJ
;
USA
;
Omkaram Nalamasu
;
ATT Bell Labs.
;
Murray Hill
;
NJ
;
USA
;
Edwin A. Chandross
;
ATT Bell Labs.
;
Murray Hill
;
NJ
;
USA
;
Thomas X. Neenan
;
ATT Bell Labs.
;
Murray Hill
;
NJ
;
USA
;
Elsa Reichmanis
;
ATT Bell Labs.
;
Murray Hill
;
NJ
;
USA.
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XIII》
|
1996年
32.
Examination of isolated and grouped feature bias in positive-acting chemically amplified resist systems
机译:
在正作用化学放大抗蚀剂系统中检查孤立和分组的特征偏差
作者:
John S. Petersen
;
Shipley Co. Inc.
;
Marlborough
;
MA
;
USA
;
Jeffrey D. Byers
;
SEMATECH
;
Austin
;
TX
;
USA.
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XIII》
|
1996年
33.
Factors affecting the dissolution rate of novolac resins II: developer composition effects
机译:
影响线型酚醛清漆树脂溶解速率的因素II:显影剂组成的影响
作者:
Clifford L. Henderson
;
Univ. of Texas/Austin
;
Austin
;
TX
;
USA
;
Pavlos C. Tsiartas
;
Univ. of Texas/Austin
;
Austin
;
TX
;
USA
;
Logan L. Simpson
;
Univ. of Texas/Austin
;
Austin
;
TX
;
USA
;
Kelly D. Clayton
;
Univ. of Texas/Austin
;
Austin
;
TX
;
USA
;
S.Pancholi
;
Univ. of Texas/Austin
;
Austin
;
TX
;
USA
;
Adam R. Pawlowski
;
Univ. of Texas/Austin
;
Austin
;
TX
;
USA
;
C. Grant Willson
;
Univ. of Texas/Austin
;
Austin
;
TX
;
USA.
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XIII》
|
1996年
34.
Free volume variations during exposure and PEB of DUV positive resists: effect on dissolution properties
机译:
DUV正性抗蚀剂在曝光和PEB期间的自由体积变化:对溶解性能的影响
作者:
Laurent Pain
;
France Telecom/CNET
;
Meylan Cedex
;
France
;
Charles Le Cornec
;
LETI/CEA
;
Grenoble Cedex 9
;
France
;
Charles Rosilio
;
CEA-CEN/S
;
Gif sur Yvette Cedex
;
France
;
Patrick J. Paniez
;
France Telecom/CNET
;
Meylan Cedex
;
France.
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XIII》
|
1996年
35.
High-throughput process optimization using the EZ technique
机译:
使用EZ技术的高通量工艺优化
作者:
Medhat A. Toukhy
;
Olin Microelectronic Materials
;
East Providence
;
RI
;
USA
;
Karin R. Schlicht
;
Olin Microelectronic Materials
;
East Providence
;
RI
;
USA
;
Patricia Morra
;
Olin Microelectronic Materials
;
East Providence
;
RI
;
USA
;
S.Chanthalyma
;
Olin Microelectronic Materials
;
E Providence
;
RI
;
USA.
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XIII》
|
1996年
36.
Latitude of the BAR process compared to the monolayer and TAR processes for 0.35-um design rules at gate level
机译:
在门级采用0.35um设计规则的BAR工艺与单层和TAR工艺相比的纬度
作者:
Sandrine Andre
;
France Telecom/CNET
;
Crolles Cedex
;
France
;
Andre P. Weill
;
France Telecom/CNET
;
Crolles Cedex
;
France.
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XIII》
|
1996年
37.
Protecting groups for 193-nm photoresists
机译:
193 nm光刻胶的保护基
作者:
Robert D. Allen
;
IBM Almaden Research Ctr.
;
San Jose
;
CA
;
USA
;
Ratnam Sooriyakumaran
;
IBM Almaden Research Ctr.
;
San Jose
;
CA
;
USA
;
Juliann Opitz
;
IBM Almaden Research Ctr.
;
San Jose
;
CA
;
USA
;
Gregory M. Wallraff
;
IBM Almaden Research Ctr.
;
San Jose
;
CA
;
USA
;
Richard A. DiPietro
;
IBM Almaden Research Ctr.
;
San Jose
;
CA
;
USA
;
Gregory Breyta
;
IBM Almaden Research Ctr.
;
San Jose
;
CA
;
USA
;
Donald C. Hofer
;
IBM Almaden Research Ctr.
;
San Martin
;
CA
;
USA
;
Roderick R. Kunz
;
MIT Lincoln Lab.
;
Lexington
;
MA
;
USA
;
Saikumar Jayaraman
;
BF Goodrich
;
Twinsburg
;
OH
;
USA
;
Robert Shick
;
BF Goodrich
;
Brecksville
;
OH
;
USA
;
Brian Goodall
;
BF Goodrich
;
Brecksville
;
OH
;
USA
;
Uzodinna Okoroanyanwu
;
Univ. of Texas
;
Austin
;
TX
;
USA
;
C.G. Wilson
;
Univ. of Texas/Austin
;
Austin
;
TX
;
USA.
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XIII》
|
1996年
38.
Stable process for chemically amplified resists using a new adhesion promotor
机译:
使用新型粘合促进剂的化学放大抗蚀剂的稳定工艺
作者:
Masayuki Endo
;
Matsushita Electric Industries Co.
;
Ltd.
;
Moriguchi
;
Osaka
;
Japan
;
Satoko Kawasaki
;
Matsushita Electronics Corp.
;
Minami-ku
;
Kyoto
;
Japan
;
Akiko Katsuyama
;
Matsushita Electric Industries Co.
;
Ltd.
;
Moriguchi
;
Osaka
;
Japan.
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XIII》
|
1996年
39.
Undercut elimination in DUV negative systems: application to lithography and etching of metal levels
机译:
在DUV负片系统中消除底切:在光刻和金属水准仪上的应用
作者:
Author(s): Francoise Vinet LETI/CEA Grenoble Cedex 9 France
;
Michel Heitzmann LETI/CEA Grenoble Cedex 9 France
;
Thierry Mourier LETI/CEA Grenoble Cedex 9 France
;
Dominique Poncet LETI/CEA Grenoble Cedex 9 France
;
Bernard Previtali LETI/CEA Grenoble Cedex 9 France
;
C.Vizioz LETI/CEA Grenoble Cedex 9 France
;
Patrick J. Paniez France Telecom/CNET Meylan Cedex France
;
Andre Schiltz France Telecom/CNET Meylan Cedex France.
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XIII》
|
1996年
40.
Application of photodecomposable base concept to two-component deep-UV chemically amplified resists
机译:
光可分解基础概念在两组分深紫外化学放大抗蚀剂中的应用
作者:
Author(s): S.Funato Hoechst Industry Ltd. Saitama Japan
;
N.Kawasaki Hoechst Industry Ltd. Kawagoe Saitama Japan
;
Yoshiaki Kinoshita Hoechst Industry Ltd. Saitama Japan
;
Seiya Masuda Hoechst Industry Ltd. Kawagoe Saitama Japan
;
Hiroshi Okazaki Hoechst Industry Ltd. Saitama-ken Japan
;
Munirathna Padmanaban Hoechst Industry Ltd. Saitama Japan
;
T.Yamamoto Hoechst Industry Ltd. Kawagoe Saitama Japan
;
Georg Pawlowski Hoechst Industry Ltd. Kawagoe Saitama Japan.
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XIII》
|
1996年
41.
Evaluation of the dry resist octavinylsilsesquioxan and its application to three-dimensional electron-beam lithography
机译:
干抗蚀剂八乙烯基倍半硅氧烷的评价及其在三维电子束光刻中的应用
作者:
Author(s): Hans W. Koops Deutsch Telekom AG Darmstadt Germany
;
Sergey V. Babin Deutsch Telekom AG Hayward CA USA
;
M.Weber Deutsch Telekom AG Darmstadt Germany
;
G.Dahm Deutsch Telekom AG Kassel Germany
;
A.Holopkin Technocenter AG Moscow Russia
;
M.N. Lyakhov Technocenter AG Moscow Russia.
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XIII》
|
1996年
42.
Halation reduction for single-layer DUV resist processing
机译:
用于单层DUV抗蚀剂处理的减少光晕
作者:
Hiroshi Yoshino
;
NEC Corp.
;
Sagamihara Kanagawa
;
Japan
;
Toshiro Itani
;
NEC Corp.
;
Sagamihara Kanagawa
;
Japan
;
Shuichi Hashimoto
;
NEC Corp.
;
Sagamihara Kanagawa
;
Japan
;
Mitsuharu Yamana
;
NEC Corp.
;
Sagamihara
;
Kanagawa
;
Japan
;
Norihiko Samoto
;
NEC Corp.
;
Sagamihara
;
Kanagawa
;
Japan
;
Kunihiko Kasama
;
NEC Corp.
;
Sagamihara Kanagawa
;
Japan.
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XIII》
|
1996年
43.
Isolation of novolak resin at low temperature
机译:
低温分离线型酚醛清漆树脂
作者:
M. Dalil Rahman
;
Hoechst Celanese Corp.
;
Somerville
;
NJ
;
USA
;
Daniel P. Aubin
;
Hoechst Celanese Corp.
;
Somerville
;
NJ
;
USA
;
Dinesh N. Khanna
;
Hoechst Celanese Corp.
;
Somerville
;
NJ
;
USA.
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XIII》
|
1996年
44.
Manipulation of the thermal properties of positive DUV polymers
机译:
操纵正DUV聚合物的热性能
作者:
Roger F. Sinta
;
Shipley Co. Inc.
;
Marlborough
;
MA
;
USA
;
George G. Barclay
;
Shipley Co. Inc.
;
Marlborough
;
MA
;
USA
;
Timothy G. Adams
;
Shipley Co. Inc.
;
Judbury
;
MA
;
USA
;
David R. Medeiros
;
Univ. of Texas/Austin
;
Marlborough
;
MA
;
USA.
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XIII》
|
1996年
45.
New contributions to automated processing using different photoresists for microelectronics fabrication
机译:
微电子制造中使用不同光刻胶的自动化处理的新贡献
作者:
Dumitru G. Ulieru
;
ROMES SA
;
Bucharest
;
Romania.
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XIII》
|
1996年
46.
Acetal-based three-component CARs: a versatile concept to tailor optical properties of resists
机译:
基于乙缩醛的三组分汽车:定制抗蚀剂光学特性的通用概念
作者:
Munirathna Padmanaban
;
Hoechst Industry Ltd.
;
Saitama
;
Japan
;
Yoshiaki Kinoshita
;
Hoechst Industry Ltd.
;
Saitama
;
Japan
;
N.Kawasaki
;
Hoechst Industry Ltd.
;
Kawagoe Saitama
;
Japan
;
Hiroshi Okazaki
;
Hoechst Industry Ltd.
;
Saitama-ken
;
Japan
;
S.Funato
;
Hoechst Industry Ltd.
;
Saitama
;
Japan
;
Georg Pawlowski
;
Hoechst Industry Ltd.
;
Kawagoe Saitama
;
Japan.
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XIII》
|
1996年
47.
TSI process performance in a transformer-coupled plasma dry develop tool
机译:
变压器耦合等离子体干法显影工具中的TSI工艺性能
作者:
John M. Hutchinson
;
Intel Corp.
;
Santa Clara
;
CA
;
USA
;
Yosias Melaku
;
Lam Research Corp.
;
Fremont
;
CA
;
USA
;
Wendy Nguyen
;
Lam Research Corp.
;
Santa Clara
;
CA
;
USA
;
Siddhartha Das
;
Intel Corp.
;
Santa Clara
;
CA
;
USA.
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XIII》
|
1996年
48.
University-industry relations: what do we do now?
机译:
产学关系:我们现在要做什么?
作者:
John A. Armstrong
;
IBM Corp. (Retired)
;
Amherst
;
MA
;
USA.
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XIII》
|
1996年
49.
Characterization of Shipley's positive deep-UV experimental resists: deblocking studies
机译:
希普利(Shipley)的深紫外正性实验抗蚀剂的特性:去块化研究
作者:
James F. Cameron
;
Shipley Co. Inc.
;
Marlborough
;
MA
;
USA
;
Arturo J. Orellana
;
Shipley Co. Inc.
;
Marlborough
;
MA
;
USA
;
Martha M. Rajaratnam
;
Shipley Co. Inc.
;
Marlborough
;
MA
;
USA
;
Roger F. Sinta
;
Shipley Co. Inc.
;
Marlborough
;
MA
;
USA.
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XIII》
|
1996年
50.
Completely water-processable and other chemically amplified resists from maleic anhydride copolymers
机译:
完全可水处理的和其他化学放大的马来酸酐共聚物抗蚀剂
作者:
Alexander M. Vekselman
;
McGill Univ.
;
Montreal
;
PQ
;
Canada
;
Graham D. Darling
;
McGill Univ.
;
Montreal
;
PQ
;
Canada.
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XIII》
|
1996年
51.
Design of high performance chemically amplified resist
机译:
高性能化学放大抗蚀剂的设计
作者:
Takaaki Niinomi
;
Mitsubishi Chemical Corp.
;
Aoba-ku
;
Yokohama
;
Japan
;
Hiroshi Tomiyasu
;
Mitsubishi Chemical Corp.
;
Aoba-ku
;
Yokohama
;
Japan
;
Yasuhiro Kameyama
;
Mitsubishi Chemical Corp.
;
Aoba-ku
;
Yokohama
;
Japan
;
Michinori Tsukamoto
;
Mitsubishi Chemical Corp.
;
Aoba-ku
;
Yokohama
;
Japan
;
Yuki Tanaka
;
Mitsubishi Chemical Corp.
;
Aoba-ku
;
Yokohama
;
Japan
;
Jun Fujita
;
Mitsubishi Chemical Corp.
;
Aoba-ku
;
Yokohama
;
Japan
;
Satoshi Shimomura
;
Mitsubishi Chemical Corp.
;
Yokohama
;
Japan
;
Tameichi Ochiai
;
Mitsubishi Chemical Corp.
;
Yokohama
;
Japan.
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XIII》
|
1996年
52.
Development of two new thick-film photoresists
机译:
开发两种新型的厚膜光刻胶
作者:
Stanley A. Ficner
;
Hoechst Celanese Corp.
;
Bethlehem
;
PA
;
USA
;
James Hermanowski
;
Hoechst Celanese Corp.
;
Somerville
;
NJ
;
USA
;
Ping-Hung Lu
;
Hoechst Celanese Corp.
;
Bridgewater
;
NJ
;
USA
;
Elaine Kokinda
;
Hoechst Celanese Corp.
;
Somerville
;
NJ
;
USA
;
Yvette M. Perez
;
Hoechst Celanese Corp.
;
Somerville
;
NJ
;
USA
;
Ralph R. Dammel
;
Hoechst Celanese Corp.
;
Somerville
;
NJ
;
USA.
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XIII》
|
1996年
53.
Exposing of surface layers of PMMA structures by low-energy (1000-6000 eV) electron irradiation
机译:
通过低能(1000-6000 eV)电子辐照暴露PMMA结构的表面层
作者:
Tatyana Borzenko
;
Institute of Microelectronics Technology
;
Moscow
;
Russia
;
Yuri Koval
;
Institute of Microelectronics Technology
;
Chernogolovka Moscow
;
Russia
;
Vladimir Kudryashov
;
Institute of Microelectronics Technology
;
Chernogolovka Moscow
;
Russia.
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XIII》
|
1996年
54.
Limits to etch resistance for 193-nm single-layer resists
机译:
限制193 nm单层抗蚀剂的抗蚀刻性
作者:
Roderick R. Kunz
;
MIT Lincoln Lab.
;
Lexington
;
MA
;
USA
;
Susan C. Palmateer
;
MIT Lincoln Lab.
;
Lexington
;
MA
;
USA
;
Anthony R. Forte
;
MIT Lincoln Lab.
;
Lexington
;
MA
;
USA
;
Robert D. Allen
;
IBM Almaden Research Ctr.
;
San Jose
;
CA
;
USA
;
Gregory M. Wallraff
;
IBM Almaden Research Ctr.
;
San Jose
;
CA
;
USA
;
Richard A. DiPietro
;
IBM Almaden Research Ctr.
;
San Jose
;
CA
;
USA
;
Donald C. Hofer
;
IBM Almaden Research Ctr.
;
San Martin
;
CA
;
USA.
会议名称:
《》
|
1996年
55.
Narrow polydispersity polymers for microlithography: synthesis and properties
机译:
用于微光刻的窄多分散性聚合物:合成与性能
作者:
George G. Barclay
;
Shipley Co. Inc.
;
Marlborough
;
MA
;
USA
;
C.J. Hawker
;
IBM Almaden Research Ctr.
;
San Jose
;
CA
;
USA
;
Hiroshi Ito
;
IBM Almaden Research Ctr.
;
San Jose
;
CA
;
USA
;
Arturo J. Orellana
;
Shipley Co. Inc.
;
Marlborough
;
MA
;
USA
;
P.R. Malenfant
;
Shipley Co. Inc.
;
Marlboro
;
MA
;
USA
;
Roger F. Sinta
;
Shipley Co. Inc.
;
Marlborough
;
MA
;
USA.
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XIII》
|
1996年
56.
Novel class of highly selective divanillin-based PACs
机译:
新型一类高度选择性基于二香兰素的PAC
作者:
Arturo Medina
;
Olin Microelectronic Materials
;
East Providence
;
RI
;
USA
;
Lawrence Ferreira
;
Olin Microelectronic Materials
;
East Providence
;
RI
;
USA
;
Sobhy P. Tadros
;
Olin Microelectronic Materials
;
Seekouk
;
MA
;
USA
;
Joseph J. Sizensky
;
Olin Microelectronic Materials
;
East Providence
;
RI
;
USA
;
M.Fregeolle
;
Olin Microelectronic Materials
;
East Providence
;
RI
;
USA
;
Andrew J. Blakeney
;
Olin Microelectronic Materials
;
East Providence
;
RI
;
USA
;
Medhat A. Toukhy
;
Olin Microelectronic Materials
;
East Providence
;
RI
;
USA.
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XIII》
|
1996年
57.
Photoresist stabilization for ion implant processing
机译:
用于离子注入处理的光刻胶稳定剂
作者:
Matthew F. Ross
;
Electron Vision Corp.
;
San Diego
;
CA
;
USA
;
William R. Livesay
;
Electron Vision Corp.
;
San Diego
;
CA
;
USA
;
Vladimir Starov
;
GaSonics International
;
San Jose
;
CA
;
USA
;
Kirk Ostrowski
;
GaSonics International
;
San Jose
;
CA
;
USA
;
Suk Y. Wong
;
Olin Microelectronic Materials
;
Inc.
;
Tempe
;
AZ
;
USA.
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XIII》
|
1996年
58.
Quarter- and subquarter-micron deep-UV lithography with chemically amplified positive resist
机译:
具有化学放大正性抗蚀剂的四分之一和四分之一微米深紫外光刻
作者:
Yasunobu Onishi
;
Toshiba Corp.
;
Saiwai-ku
;
Kawasaki
;
Japan
;
Kazuo Sato
;
Toshiba Corp.
;
Saiwai-ku
;
Kawasaki
;
Japan
;
Kenzi Chiba
;
Toshiba Corp.
;
Saiwai-ku
;
Kawasaki
;
Japan
;
Masafumi Asano
;
Toshiba Corp.
;
Saiwai-ku
;
Kawasaki-shi
;
Japan
;
Hirokazu Niki
;
Toshiba Corp.
;
Saiwai-ku
;
Kawasaki
;
Japan
;
Rumiko H. Hayase
;
Toshiba Corp.
;
Saiwai-ku
;
Kawasaki
;
Japan
;
Takao Hayashi
;
Toshiba Corp.
;
Saiwai-ku
;
Kawasaki
;
Japan.
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XIII》
|
1996年
59.
Selectively esterified novolac resins: a study of resist properties as a function of novolac molecular weight and composition
机译:
选择性酯化的线型酚醛清漆树脂:作为线型酚醛清漆分子量和组成函数的抗蚀剂性能的研究
作者:
Alfred T. Jeffries
;
III
;
Olin Microelectronic Materials
;
East Providence
;
RI
;
USA
;
David J. Brzozowy
;
Olin Microelectronic Materials
;
East Providence
;
RI
;
USA
;
Bernard T. Beauchemin
;
Jr.
;
Olin Microelectronic Materials
;
East Providence
;
RI
;
USA
;
Ahmad A. Naiini
;
Olin Microelectronic Materials
;
East Providence
;
RI
;
USA
;
Edward A. Fitzgerald
;
Olin Microelectronic Materials
;
East Providence
;
RI
;
USA
;
Paula M. Gallagher-Wetmore
;
Phasex Corp.
;
Lawrence
;
MA
;
USA.
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XIII》
|
1996年
60.
Substrate effects of silicon nitride on i-line and deep-UV lithography
机译:
氮化硅对i线和深紫外光刻的衬底效应
作者:
Byeong-Chan Kim
;
LG Semicon Co.
;
Ltd.
;
Cheongju
;
South Korea
;
Hoon Huh
;
LG Semicon Co.
;
Ltd.
;
Cheongju
;
South Korea
;
Jae Jeong Kim
;
LG Semicon Co.
;
Ltd.
;
Cheongju
;
South Korea.
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XIII》
|
1996年
61.
Synthesis and lithographic performance of highly branched polymers from hydroxyphenylmethylcarbinols
机译:
羟苯基甲基羰基高支化聚合物的合成和光刻性能
作者:
James R. Sounik
;
Hoechst Celanese Corp.
;
Corpus Christi
;
TX
;
USA
;
Richard Vicari
;
Hoechst Celanese Corp.
;
Corpus Christi
;
TX
;
USA
;
Ping-Hung Lu
;
Hoechst Celanese Corp.
;
Bridgewater
;
NJ
;
USA
;
Elaine Kokinda
;
Hoechst Celanese Corp.
;
Somerville
;
NJ
;
USA
;
Stanley A. Ficner
;
Hoechst Celanese Corp.
;
Bethlehem
;
PA
;
USA
;
Ralph R. Dammel
;
Hoechst Celanese Corp.
;
Somerville
;
NJ
;
USA.
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XIII》
|
1996年
62.
Application of DNQ-based microlithography to patterning bioactive molecules and cells
机译:
基于DNQ的微光刻技术在生物活性分子和细胞构图中的应用
作者:
Author(s): Dan V. Nicolau Osaka National Research Institute Osaka Japan
;
Takahisa Taguchi Osaka National Research Institute Osaka Japan
;
Hiroshi Taniguchi Osaka National Research Institute Osaka Japan
;
Susumu Yoshikawa Osaka National Research Institute Osaka Japan
;
Mircea V. Dusa National Semiconductor Corp. Santa Clara CA USA.
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XIII》
|
1996年
63.
Deep-UV hardening of deep-UV resists
机译:
深紫外线抗蚀剂的深紫外线硬化
作者:
George Jordhamo
;
IBM Microelectronics
;
Hopewell Junction
;
NY
;
USA
;
Wayne M. Moreau
;
IBM Microelectronics
;
Hopewell Junction
;
NY
;
USA.
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XIII》
|
1996年
64.
Dissolution behavior of alicyclic polymers designed for ArF excimer laser lithography
机译:
用于ArF准分子激光光刻的脂环族聚合物的溶解行为
作者:
Takeshi Ohfuji
;
NEC Corp.
;
Miyamaeku Kawasaki
;
Japan
;
Katsumi Maeda
;
NEC Corp.
;
Miyamae-ku
;
Kawasaki
;
Japan
;
Kaichiro Nakano
;
NEC Corp.
;
Aoba-ku
;
Yokohama
;
Japan
;
Etsuo Hasegawa
;
NEC Corp.
;
Miyamaeku Kawasaki
;
Japan.
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XIII》
|
1996年
65.
Lithographic characterization of AZ 7800 high-resolution photoresist
机译:
AZ 7800高分辨率光刻胶的光刻特征
作者:
Stanley A. Ficner
;
Hoechst Celanese Corp.
;
Bethlehem
;
PA
;
USA
;
Oghogho Alile
;
Hoechst Celanese Corp.
;
Somerville
;
NJ
;
USA
;
Ping-Hung Lu
;
Hoechst Celanese Corp.
;
Bridgewater
;
NJ
;
USA
;
Elaine Kokinda
;
Hoechst Celanese Corp.
;
Somerville
;
NJ
;
USA
;
Ralph R. Dammel
;
Hoechst Celanese Corp.
;
Somerville
;
NJ
;
USA.
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XIII》
|
1996年
66.
New process for resist removal after lithography process using adhesive tape
机译:
使用胶带的光刻工艺后去除抗蚀剂的新工艺
作者:
Tatsuya Kubozono
;
Nitto Denko Corp.
;
Toyohashi Aichi
;
Japan
;
Yutaka Moroishi
;
Nitto Denko Corp.
;
Toyohashi Aichi
;
Japan
;
Yoshio Ohta
;
Nitto Denko Corp.
;
Toyohashi Aichi
;
Japan
;
Hideaki Shimodan
;
Nitto Denko Corp.
;
Toyohashi
;
Aichi
;
Japan
;
Noboru Moriuchi
;
Hitachi
;
Ltd.
;
Ome-shi Tokyo
;
Japan.
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XIII》
|
1996年
67.
Patterning ULSI Circuits
机译:
图案化ULSI电路
作者:
John R. Carruthers
;
Intel Corp.
;
Santa Clara
;
CA
;
USA.
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XIII》
|
1996年
68.
Critical dimension control for i-line 0.35-um device using a new antireflective coating
机译:
使用新型抗反射涂层的i-line 0.35-um器件的关键尺寸控制
作者:
Daniel C. Baker
;
VLSI Technology
;
San Jose
;
CA
;
USA
;
Elliott S. Capsuto
;
Nikon Precision Inc.
;
Belmont
;
CA
;
USA.
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XIII》
|
1996年
69.
Enhanced i-line lithography using AZ BARLi coating
机译:
使用AZ BARLi涂层的增强型i线光刻
作者:
T.-S. Yang
;
ATT Bell Labs.
;
Orlando
;
FL
;
USA
;
Taeho H. Kook
;
ATT Bell Labs.
;
Orlando
;
FL
;
USA
;
J.A. Taylor
;
ATT Bell Labs.
;
Orlando
;
FL
;
USA
;
W.A. Josephson
;
ATT Bell Labs.
;
Orlando
;
FL
;
USA
;
Mark A. Spak
;
Hoechst Celanese Corp.
;
Somerville
;
NJ
;
USA
;
Ralph R. Dammel
;
Hoechst Celanese Corp.
;
Somerville
;
NJ
;
USA.
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XIII》
|
1996年
70.
Photosensitization in dyed and undyed APEX-E DUV resist
机译:
染色和未染色的APEX-E DUV抗蚀剂的光敏性
作者:
John L. Sturtevant
;
SEMATECH
;
Austin
;
TX
;
USA
;
Willard E. Conley
;
IBM Microelectronics Div.
;
Hopewell Junction
;
NY
;
USA
;
Stephen E. Webber
;
Univ. of Texas/Austin
;
Austin
;
TX
;
USA.
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XIII》
|
1996年
71.
Effect of low-molecular-weight dissolution-promoting compounds in DNQ-novolac positive resist
机译:
低分子量促溶化合物在DNQ线型正性抗蚀剂中的作用
作者:
Yasumasa Kawabe
;
Fuji Photo Film Co.
;
Ltd.
;
Haibara-Gun
;
Shizuoka
;
Japan
;
Shiro Tan
;
Fuji Photo Film Co.
;
Ltd.
;
Haibara-gun
;
Shizuoka
;
Japan
;
Fumiyuki Nishiyama
;
Fuji Photo Film Co.
;
Ltd.
;
Haibara-gun
;
Shizuoka
;
Japan
;
Shinji Sakaguchi
;
Fuji Photo Film Co.
;
Ltd.
;
Haibara-gun
;
Shizuoka
;
Japan
;
Tadayoshi Kokubo
;
Fuji Photo Film Co.
;
Ltd.
;
Haibara-gun
;
Shizuoka
;
Japan
;
Andrew J. Blakeney
;
Olin Microelectronic Materials
;
Inc.
;
East Providence
;
RI
;
USA
;
Lawrence Ferreira
;
Olin Microelectronic Materials
;
Inc.
;
East Providence
;
RI
;
USA.
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XIII》
|
1996年
72.
Lithographic performance of an environmentally stable chemically amplified photoresist (ESCAP)
机译:
环境稳定的化学放大光刻胶(ESCAP)的光刻性能
作者:
Willard E. Conley
;
IBM Microelectronics
;
Hopewell Junction
;
NY
;
USA
;
Gregory Breyta
;
IBM Research Div.
;
San Jose
;
CA
;
USA
;
William R. Brunsvold
;
IBM Microelectronics
;
Hopewell Junction
;
NY
;
USA
;
Richard A. DiPietro
;
IBM Research Div.
;
San Jose
;
CA
;
USA
;
Donald C. Hofer
;
IBM Research Div.
;
San Martin
;
CA
;
USA
;
Steven J. Holmes
;
IBM Microelectronics
;
Hopewell Junction
;
NY
;
USA
;
Hiroshi Ito
;
IBM Research Div.
;
San Jose
;
CA
;
USA
;
Ron Nunes
;
Microelectronics
;
Hopewell Junction
;
NY
;
USA
;
Gabrielle Fichtl
;
Siemens AG (FRG)
;
Hopewell Jct
;
NY
;
USA
;
Peter Hagerty
;
Shipley Co. Inc.
;
Marlborough
;
MA
;
USA
;
James W. Thackeray
;
Shipley Co. Inc.
;
Marlborough
;
MA
;
USA.
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XIII》
|
1996年
73.
Modeling of bottom antireflection layers: sensitivity to optical constants
机译:
底部抗反射层的建模:对光学常数的敏感性
作者:
Ralph R. Dammel
;
Hoechst Celanese Corp.
;
Somerville
;
NJ
;
USA
;
Robert A. Norwood
;
AlliedSignal Inc.
;
Morristown
;
NJ
;
USA.
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XIII》
|
1996年
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