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2011 12th International Conference on Ultimate Integration on Silicon

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1.Fully etched grating couplers for atomic layer deposited horizontal slot waveguides

机译：用于原子层沉积的水平缝隙波导的全蚀刻光栅耦合器
- 作者：Naiini Maziar Manouchehry;Malm Gunnar;Ostling Mikael
- 会议名称：《2011 12th International Conference on Ultimate Integration on Silicon》 | 2011年
2.Two-dimensional carrier mapping at the nanometer-scale on 32nm node targeted p-MOSFETs using high vacuum scanning spreading resistance microscopy

机译：使用高真空扫描扩散电阻显微镜在32nm节点定向p-MOSFET上以纳米级进行二维载流子映射
- 作者：Eyben Pierre;Clarysse Trudo;Mody Jay;Nazir Aftab;Schulze Andreas;Hantschel Thomas;Vandervorst Wilfried
- 会议名称：《2011 12th International Conference on Ultimate Integration on Silicon》 | 2011年
3.Self-heating and substrate effects in ultra-thin body ultra-thin BOX devices

机译：超薄超薄BOX器件中的自热和衬底效应
- 作者：Makovejev S.;Kilchytska V.;Arshad M. K. Md;Flandre D.;Andrieu F.;Faynot O.;Olsen S.;Raskin J.-P.
- 会议名称：《2011 12th International Conference on Ultimate Integration on Silicon》 | 2011年
4.Nanocarbon structures for electronic applications — A critical review

机译：电子应用的纳米碳结构—严格审查
- 作者：Duesberg Georg S.
- 会议名称：《2011 12th International Conference on Ultimate Integration on Silicon》 | 2011年
5.Authors list

机译：作者名单
- 会议名称：《2011 12th International Conference on Ultimate Integration on Silicon》 | 2011年
6.Organizing committee

机译：组织委员会
- 会议名称：《2011 12th International Conference on Ultimate Integration on Silicon》 | 2011年
7.Table of content

机译：表中的内容
- 会议名称：《2011 12th International Conference on Ultimate Integration on Silicon》 | 2011年
8.Welcome — Fáilte

机译：欢迎欢迎
- 会议名称：《2011 12th International Conference on Ultimate Integration on Silicon》 | 2011年
9.On the effective mass of holes in inversion layers

机译：关于反演层中空穴的有效质量
- 作者：Donetti L.;Gamiz F.;Thomas S. M.;Whall T. E.;Leadley D. R.;Hellstrom P.-E.;Malm G.;Ostling M.
- 会议名称：《2011 12th International Conference on Ultimate Integration on Silicon》 | 2011年
10.Behavior of triple gate Bulk FinFETs with and without DTMOS operation

机译：具有和不具有DTMOS操作的三栅极大容量FinFET的行为
- 作者：de Andrade Maria Gloria Cano;Martino Joao Antonio;Aoulaiche Marc;Collaert Nadine;Simoen Eddy;Claeys Cor
- 会议名称：《2011 12th International Conference on Ultimate Integration on Silicon》 | 2011年
11.Lanthanum Lutetium oxide integration in a gate-first process on SOI MOSFETs

机译：SOI MOSFET的栅极优先工艺中的氧化镧L集成
- 作者：Nichau A.;Ozben E. Durgun;Schnee M.;Lopes J. M. J.;Besmehn A.;Luysberg M.;Knoll L.;Habicht S.;Mussmann V.;Luptak R.;Lenk St.;Rubio-Zuazo J.;Castro G. R.;Buca D.;Zhao Q. T.;Schubert J.;Mantl S.
- 会议名称：《2011 12th International Conference on Ultimate Integration on Silicon》 | 2011年
12.Brownian dynamics simulation of ion channels embedded in silicon membranes for sensor applications

机译：传感器应用中嵌入硅膜的离子通道的布朗动力学仿真
- 作者：Berti C.;Furini S.;Sangiorgi E.;Fiegna C.
- 会议名称：《2011 12th International Conference on Ultimate Integration on Silicon》 | 2011年
13.Analytical drain current model reproducing advanced transport models in nanoscale double-gate (DG) MOSFETs

机译：分析漏电流模型再现了纳米级双栅（DG）MOSFET中的高级传输模型
- 作者：Cheralathan M.;Sampedro C.;Roldan J. B.;Gamiz F.;Iannaccone G.;Sangiorgi E.;Iniguez B.
- 会议名称：《2011 12th International Conference on Ultimate Integration on Silicon》 | 2011年
14.Influence of annealing temperature on the performance of graphene / SiC transistors with high-k / metal gate

机译：退火温度对高k /金属栅的石墨烯/ SiC晶体管性能的影响
- 作者：Clavel M.;Poiroux T.;Mouis M.;Becerra L.;Thomassin J. L;Zenasni A.;Lapertot G.;Rouchon D.;Lafond D.;Faynot O.
- 会议名称：《2011 12th International Conference on Ultimate Integration on Silicon》 | 2011年
15.Fabrication of ZnO nanowire device using top-down approach

机译：使用自顶向下方法制造ZnO纳米线器件
- 作者：Sultan S. M.;Sun K.;Partridge J.;Allen M.;Ashburn P.;Chong H. M. H.
- 会议名称：《2011 12th International Conference on Ultimate Integration on Silicon》 | 2011年
16.The impact of junction angle on tunnel FETs

机译：结角对隧道FET的影响
- 作者：Kao Frank K. H.;Verhulst Anne S.;Vandenberghe William G.;Groeseneken Guido;De Meyer Kristin
- 会议名称：《2011 12th International Conference on Ultimate Integration on Silicon》 | 2011年
17.From bulk toward FDSOI and silicon nanowire transistors: Challenges and opportunities

机译：从批量生产到FDSOI和硅纳米线晶体管：挑战与机遇
- 作者：Hiramoto Toshiro
- 会议名称：《2011 12th International Conference on Ultimate Integration on Silicon》 | 2011年
18.Statistical comparison of random telegraph noise (RTN) in bulk and fully depleted SOI MOSFETs

机译：批量和完全耗尽的SOI MOSFET中的随机电报噪声（RTN）的统计比较
- 作者：Nishimura Jun;Saraya Takuya;Hiramoto Toshiro
- 会议名称：《2011 12th International Conference on Ultimate Integration on Silicon》 | 2011年
19.Specific features of fluorination of silicon surface region by RIE in r.f. CF4 plasma — novel method of improving electrical properties of thin PECVD silicon dioxide films

机译：射频在RIE中对硅表面区域进行氟化的具体特征CF 4 等离子体-改善PECVD二氧化硅薄膜的电性能的新方法
- 作者：Kalisz Malgorzata;Mroczynski Robert;Beck Romuald B.
- 会议名称：《2011 12th International Conference on Ultimate Integration on Silicon》 | 2011年
20.Open issues for the numerical simulation of silicon solar cells

机译：硅太阳能电池数值模拟的未解决问题
- 作者：De Rose R.;Zanuccoli M.;Magnone P.;Sangiorgi E.;Fiegna C.
- 会议名称：《2011 12th International Conference on Ultimate Integration on Silicon》 | 2011年
21.A surface potential based compact model for lightly doped FD SOI MOSFETs with ultra-thin body

机译：具有超薄主体的轻掺杂FD SOI MOSFET的基于表面电势的紧凑模型
- 作者：Husseini J. El;Martinez F.;Bawedin M.;Valenza M.;Ritzenthaler R.;Lime F.;Iniguez B.
- 会议名称：《2011 12th International Conference on Ultimate Integration on Silicon》 | 2011年
22.AC analysis of defect cross sections using non-radiative MPA quantum model

机译：使用非辐射MPA量子模型进行缺陷截面的AC分析
- 作者：Garetto Davide;Randriamihaja Yoann Mamy;Zaka Alban;Rideau Denis;Schmid Alexandre;Jaouem Herve;Leblebici Yusuf
- 会议名称：《2011 12th International Conference on Ultimate Integration on Silicon》 | 2011年
- AC analysis;
- multiphonon trapping model;
- trap cross-section;
23.Simulation and optimization of Tri-Gates in a 22 nm hybrid Tri-Gate/planar process

机译：在22 nm混合Tri-Gate /平面工艺中模拟和优化Tri-Gate
- 作者：Baldauf T.;Wei A.;Illgen R.;Flachowsky S.;Herrmann T.;Feudel T.;Hontschel J.;Horstmann M.;Klix W.;Stenzel R.
- 会议名称：《2011 12th International Conference on Ultimate Integration on Silicon》 | 2011年
24.Modeling of thermal network in silicon power MOSFETs

机译：硅功率MOSFET中的热网络建模
- 作者：Magnone Paolo;Fiegna Claudio;Greco Giuseppe;Bazzano Gaetano;Sangiorgi Enrico;Rinaudo Salvatore
- 会议名称：《2011 12th International Conference on Ultimate Integration on Silicon》 | 2011年
25.Atomic scale simulation of a junctionless silicon nanowire transistor

机译：无结硅纳米线晶体管的原子尺度模拟
- 作者：Ansari Lida;Feldman Baruch;Fagas Giorgos;Colinge Jean-Pierre;Greer James C.
- 会议名称：《2011 12th International Conference on Ultimate Integration on Silicon》 | 2011年
26.Atomic scale simulation of a junctionless silicon nanowire transistor

机译：无结硅纳米线晶体管的原子尺度模拟
- 作者：Ansari Lida;Feldman Baruch;Fagas Giorgos;Colinge Jean-Pierre;Greer James C.
- 会议名称：《2011 12th International Conference on Ultimate Integration on Silicon》 | 2011年
27.Numerical investigation on the junctionless nanowire FET

机译：无结纳米线FET的数值研究
- 作者：Gnani E.;Gnudi A.;Reggiani S.;Baccarani G.;Shen N.;Singh N.;Lo G. Q.;Kwong D. L.
- 会议名称：《2011 12th International Conference on Ultimate Integration on Silicon》 | 2011年
28.Impact of strain and Ge concentration on the performance of planar SiGe band-to-band-tunneling transistors

机译：应变和Ge浓度对平面SiGe带间隧道晶体管性能的影响
- 作者：Schmidt M.;Minamisawa R. A.;Richter S;Hartmann J.-M.;Luptak R.;Tiedemann A.;Buca D.;Zhao Q. T.;Mantl S.
- 会议名称：《2011 12th International Conference on Ultimate Integration on Silicon》 | 2011年
29.Alloy scattering of substitutional carbon in silicon: A first principles approach

机译：硅中替代碳的合金散射：第一种原理方法
- 作者：Vaughan M. P.;Murphy-Armando F.;Fahy S.
- 会议名称：《2011 12th International Conference on Ultimate Integration on Silicon》 | 2011年
30.Characterization and modeling of capacitances in FD-SOI devices

机译：FD-SOI器件中电容的表征和建模
- 作者：Ben Akkez I.;Cros A.;Fenouillet-Beranger C.;Perreau P.;Margain A.;Boeuf F.;Balestra F.;Ghibaudo G.
- 会议名称：《2011 12th International Conference on Ultimate Integration on Silicon》 | 2011年
31.Monte Carlo simulation of a 20 nm gate length implant free quantum well Ge pMOSFET with different lateral spacer width

机译：具有不同横向间隔物宽度的20 nm栅极长度注入的自由注入量子阱Ge pMOSFET的蒙特卡洛模拟
- 作者：Chan KahHou;Benbakhti Brahim;Riddet Craig;Watling Jeremy;Asenov Asen
- 会议名称：《2011 12th International Conference on Ultimate Integration on Silicon》 | 2011年
32.20nm Gate length Schottky MOSFETs with ultra thin NiSi/epitaxial NiSi2 source/drain

机译：具有超薄NiSi /外延NiSi 2 源/漏的20nm栅极长度肖特基MOSFET
- 作者：Knoll L.;Zhao Q. T.;Luptak R.;Trellenkamp S.;Bourdelle K. K.;Mantl S.
- 会议名称：《2011 12th International Conference on Ultimate Integration on Silicon》 | 2011年
33.Giant mobility enhancement in highly strained, direct gap Ge

机译：在高度应变的直缝锗中极大地提高了迁移率
- 作者：Murphy-Armando F.;Fahy S.
- 会议名称：《2011 12th International Conference on Ultimate Integration on Silicon》 | 2011年
34.Physically-based, multi-architecture, analytical model for junctionless transistors

机译：基于物理的多架构无结晶体管的分析模型
- 作者：Berthome Matthieu;Barraud Sylvain;Ionescu Adrian;Ernst Thomas
- 会议名称：《2011 12th International Conference on Ultimate Integration on Silicon》 | 2011年
35.Quantum simulations of electrostatics in Si cylindrical nanowire pinch-off nFETs and pFETs with a homogeneous channel including strain and arbitrary crystallographic orientations

机译：具有均匀通道（包括应变和任意晶体取向）的硅圆柱形纳米线夹断nFET和pFET中的静电学的量子模拟
- 作者：Pham A. T.;Soree B.;Magnus W.;Jungemann C.;Meinerzhagen B.;Pourtois G.
- 会议名称：《2011 12th International Conference on Ultimate Integration on Silicon》 | 2011年
36.RF performance of the novel planar-type body-connected FinFET fabricated by isolation-last and self-alignment process

机译：通过最后隔离和自对准工艺制造的新型平面型人体连接FinFET的RF性能
- 作者：Lin Po-Hsieh;Lin Jyi-Tsong;Eng Yi-Chuen;Chang Yu-Che
- 会议名称：《2011 12th International Conference on Ultimate Integration on Silicon》 | 2011年
37.Extraction of channel mobility in nanowire MOSFETs using Id(Vg) characteristics and random telegraph noise amplitude

机译：利用I d （Vg）特性和随机电报噪声幅度提取纳米线MOSFET中的沟道迁移率
- 作者：Nazarov A. N.;Lee C. W.;Kranti A.;Ferain I.;Yan R.;Akhavan N. Dehdashti;Razavi P.;Yu R.;Colinge J.-P.
- 会议名称：《2011 12th International Conference on Ultimate Integration on Silicon》 | 2011年
38.The effect of the doping concentration on nanoscale field effect diode performance

机译：掺杂浓度对纳米级场效应二极管性能的影响
- 作者：Manavizadeh N.;Raissi F.;Soleimani E. Asl
- 会议名称：《2011 12th International Conference on Ultimate Integration on Silicon》 | 2011年
39.NEGF simulations of a junctionless Si gate-all-around nanowire transistor with discrete dopants

机译：带有离散掺杂剂的无结Si栅极全能纳米线晶体管的NEGF模拟
- 作者：Martinez A.;Brown A. R.;Roy S.;Asenov A.
- 会议名称：《2011 12th International Conference on Ultimate Integration on Silicon》 | 2011年
40.Revisited approach for the characterization of Gate Induced Drain Leakage

机译：闸门引起的漏电泄漏特性的重新研究方法
- 作者：Rafhay Quentin;Xu Cuiqin;Batude Perrine;Mouis Mireille;Vinet Maud;Ghibaudo Gerard
- 会议名称：《2011 12th International Conference on Ultimate Integration on Silicon》 | 2011年
41.Modeling the breakdown statistics of Al2O3/HfO2 nanolaminates grown by atomic-layer-deposition

机译：模拟通过原子层沉积法生长的Al 2 O 3 / HfO 2 纳米层压板的击穿统计
- 作者：Conde A.;Martinez C.;Saura X.;Jimenez D.;Miranda E.;Rafi J. M.;Campabadal F.;Sune J.
- 会议名称：《2011 12th International Conference on Ultimate Integration on Silicon》 | 2011年
42.Mobility extraction in sub 10nm nanowire nMOSFETs with gadolinium-silicate as gate dielectric

机译：以硅酸g为栅极电介质的亚10nm纳米线nMOSFET中的迁移率提取
- 作者：Schmidt M.;Gottlob H. D. B.;Bolten J.;Wahlbrink T.;Kurz H.
- 会议名称：《2011 12th International Conference on Ultimate Integration on Silicon》 | 2011年
43.Source/drain engineered ultra low power analog/RF UTBB MOSFETs

机译：源/漏工程超低功耗模拟/ RF UTBB MOSFET
- 作者：Kranti Abhinav;Raskin Jean-Pierre;Armstrong G. Alastair
- 会议名称：《2011 12th International Conference on Ultimate Integration on Silicon》 | 2011年
44.Transport properties of spin field-effect transistors built on Si and InAs

机译：基于Si和InAs的自旋场效应晶体管的传输特性
- 作者：Osintsev D.;Sverdlov V.;Stanojevic Z.;Makarov A.;Selberherr S.
- 会议名称：《2011 12th International Conference on Ultimate Integration on Silicon》 | 2011年
45.Electron injection from n-type Si substrates into (i) Transition metal high-k dielectrics and (ii) SiO2 and Si oxynitride alloys: Conduction band edge states and negative ion state electron trap differences

机译：从n型Si衬底向（i）过渡金属高k电介质和（ii）SiO 2 和氧氮化硅合金中注入电子：导带边缘态和负离子态电子陷阱
- 作者：Lucovsky G.;Zeller D.;Wu K.;Kim J.
- 会议名称：《2011 12th International Conference on Ultimate Integration on Silicon》 | 2011年
46.X-ray absorption studies of elemental and complex transition metal (TM) oxides: Differences between: (i) Chemical, and (ii) Local site symmetry multivalency

机译：元素和复杂过渡金属（TM）氧化物的X射线吸收研究：（i）化学和（ii）局部位对称多价之间的差异
- 作者：Lucovsky G.;Miotti L.;Zeller D.;Adamo Carolina;Scholm Darrell
- 会议名称：《2011 12th International Conference on Ultimate Integration on Silicon》 | 2011年
47.Annealing investigations for high-k first n-channel In0.53Ga0.47As MOSFET development

机译：高k第一N沟道In 0.53 Ga 0.47 作为MOSFET开发的退火研究
- 作者：Djara Vladimir;Cherkaoui Karim;Thomas Kevin;Pelucchi Emanuele;OConnell Dan;Floyd Liam;Hurley Paul K.
- 会议名称：《2011 12th International Conference on Ultimate Integration on Silicon》 | 2011年
48.Tunneling path impact on semi-classical numerical simulations of TFET devices

机译：隧道路径对TFET器件的半经典数值模拟的影响
- 作者：De Michielis Luca;Iellina Matteo;Palestri Pierpaolo;Ionescu Adrian M.;Selmi Luca
- 会议名称：《2011 12th International Conference on Ultimate Integration on Silicon》 | 2011年
49.A simulation study of N-shell silicon nanowires as biological sensors

机译：N壳硅纳米线作为生物传感器的仿真研究
- 作者：Rigante Sara;Livi Paolo;Hierlemann Andreas;Ionescu Adrian M.
- 会议名称：《2011 12th International Conference on Ultimate Integration on Silicon》 | 2011年
50.Monolithic 3D-ICs with single grain Si thin film transistors

机译：具有单晶硅薄膜晶体管的单片3D-IC
- 作者：Ishihara R.;Golshani Negin;Derakhshandeh J.;Mofrad M. R. Tajari;Beenakker C. I. M.
- 会议名称：《2011 12th International Conference on Ultimate Integration on Silicon》 | 2011年
51.Performance investigation of short-channel junctionless multigate transistors

机译：短通道无结多栅极晶体管的性能研究
- 作者：Razavi P.;Fagas G.;Ferain I.;Akhavan N. Dehdashti;Yu R.;Colinge J. P.
- 会议名称：《2011 12th International Conference on Ultimate Integration on Silicon》 | 2011年
52.2D Analytical calculation of the source/drain access resistance in DG-MOSFET structures

机译：DG-MOSFET结构中源/漏访问电阻的2D解析计算
- 作者：Holtij Thomas;Schwarz Mike;Kloes Alexander;Iniguez Benjamin
- 会议名称：《2011 12th International Conference on Ultimate Integration on Silicon》 | 2011年
53.Amorphous silicon: The other silicon

机译：非晶硅：另一种硅
- 作者：Sturm J. C.;Huang Y.;Han L.;Liu T.;Hekmatshoar B.;Cherenack K.;Lausecker E.;Wagner S.
- 会议名称：《2011 12th International Conference on Ultimate Integration on Silicon》 | 2011年
54.Influence of drain voltage on MOSFET threshold voltage determination by transconductance change and gm/Id methods

机译：漏电压对跨导变化和g m / I d 方法确定MOSFET阈值电压的影响
- 作者：Rudenko T.;Kilchytska V.;Arshad M. K. Md;Raskin J.-P.;Nazarov A.;Flandre D.
- 会议名称：《2011 12th International Conference on Ultimate Integration on Silicon》 | 2011年
55.High-temperature perspectives of UTB SOI MOSFETs

机译：UTB SOI MOSFET的高温视角
- 作者：Kilchytska V.;Andrieu F.;Faynot O.;Flandre D.
- 会议名称：《2011 12th International Conference on Ultimate Integration on Silicon》 | 2011年
56.2D Analysis of source/drain carrier tunneling in lightly doped Schottky barrier DG-MOSFETs using a fully analytical model

机译：使用完全分析模型对轻掺杂肖特基势垒DG-MOSFET中的源极/漏极载流子隧穿进行二维分析
- 作者：Schwarz Mike;Holtij Thomas;Kloes Alexander;Iniguez Benjamin
- 会议名称：《2011 12th International Conference on Ultimate Integration on Silicon》 | 2011年
57.Bulk FinFET fabrication with new approaches for oxide topography control using dry removal techniques

机译：采用干法去除技术以氧化物氧化物形貌控制的新方法进行大体积FinFET制造
- 作者：Redolfi A.;Sleeckx E.;Devriendt K.;Shamiryan D.;Vandeweyer T.;Horiguchi N.;Togo M.;Wouter J. M. D.;Jurczak M.;Hoffmann T.;Cockburn A.;Gravey V.;Diehl D. L.
- 会议名称：《2011 12th International Conference on Ultimate Integration on Silicon》 | 2011年
58.Toy model for the progressive breakdown dynamics of ultrathin gate dielectrics

机译：玩具模型用于超薄栅极电介质的逐步击穿动力学
- 作者：Miranda E.;Jimenez D.;Sune J.
- 会议名称：《2011 12th International Conference on Ultimate Integration on Silicon》 | 2011年
59.Ge quantum dot Schottky diode operated in a 89GHz Rectenna

机译：Ge量子点肖特基二极管在89GHz Rectenna中运行
- 作者：Karmous A.;Xu H.;Oehme M.;Kasper E.;Schulze J.
- 会议名称：《2011 12th International Conference on Ultimate Integration on Silicon》 | 2011年
60.Analytical model of ballistic current for GAA nanowire MOSFET including band structure effects: Application to ring oscillator

机译：包含能带效应的GAA纳米线MOSFET弹道电流分析模型：在环形振荡器中的应用
- 作者：Dura J.;Martinie S.;Munteanu D.;Triozon F.;Barraud S.;Niquet Y. M.;Barbe J. C.;Autran J. L.
- 会议名称：《2011 12th International Conference on Ultimate Integration on Silicon》 | 2011年