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Advances in Resist Technology and Processing XVIII
Advances in Resist Technology and Processing XVIII
召开年:
2001
召开地:
Santa Clara, CA(US);Santa Clara, CA(US)
出版时间:
-
会议文集:
-
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1.
All CO_2-Processed 157-nm Fluoropolymer-Containing Photoresist Systems
机译:
所有由CO_2处理的157-nm含氟聚合物光刻胶系统
作者:
Christopher L. McAdams
;
Devin Flowers
;
Erik N. Hoggan
;
Ruben G. Carbonell
;
Joseph M. DeSimone
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XVIII》
|
2001年
关键词:
liquid CO_2;
157-nm photoresist;
environmentally friendly solvent;
non-aqueous developer;
image collapse;
dry processing;
2.
Application of Top Surface Imaging Process to 157-nm Lithography
机译:
顶面成像工艺在157nm光刻中的应用
作者:
Isao Satou
;
Manabu Watanabe
;
Hiroyuki Watanabe
;
Toshiro Itani
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XVIII》
|
2001年
关键词:
F_2 lithography;
silylation;
bilayer resist;
TSI;
SILYAL;
3.
ArF Negative Resist System Using Androsterone Structure with δ-Hydroxy Acid for 100-nm Phase-Shifting Lithography
机译:
使用雄甾酮结构与δ-羟基的ArF负性抗蚀剂系统进行100 nm相移光刻
作者:
Yoshiyuki Yokoyama
;
Takashi Hattori
;
Kaori Kimura
;
Toshihiko Tanaka
;
Hiroshi Shiraishi
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XVIII》
|
2001年
关键词:
ArF phase-shifting lithography;
negative resist;
intramolecular esterification;
androsterone;
4.
Biln: a Sensitive Bimetallic Thermal Resist
机译:
Biln:灵敏的双金属热敏电阻
作者:
Glenn Chapman
;
Yuqiang Tu
;
Marinko Sarunic
;
Jagjot Dhaliwal
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XVIII》
|
2001年
关键词:
microlithography;
thermal resist;
inorganic photoresist;
5.
CD Changes Of 193 nm Resists During SEM Measurement
机译:
SEM测量过程中193 nm抗蚀剂的CD变化
作者:
Takanori Kudo
;
Jun-Bom Bae
;
Ralph R. Dammel
;
Woo-Kyu Kim
;
Douglas McKenzie
;
M. Dalil Rahman
;
Munirathna Padmanaban
;
Waiman Ng
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XVIII》
|
2001年
关键词:
193 nm resists;
CD SEM linewidth slimming, methacrylate;
cycloolefin-maleic anhydride;
resist components;
6.
Characterization of New Aromatic Polymers for 157 nm Photoresist Applications
机译:
用于157 nm光致抗蚀剂应用的新型芳香族聚合物的表征
作者:
N. Fender
;
P. J. Brock
;
W. Chau
;
S. Bangsaruntip
;
A. Mahorowala
;
G. M. Wallraff
;
W. D. Hinsberg
;
C. E. Larson
;
H. Ito
;
G. Breyta
;
K. Burnham
;
H. Truong
;
P. Lawson
;
R. D. Allen
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XVIII》
|
2001年
关键词:
157 nm;
acid diffusion;
solvent retention;
aromatic fluorinated resists;
7.
Characterization of Thin and Ultrathin Polymer and Resist Films
机译:
超薄聚合物薄膜和抗蚀剂薄膜的表征
作者:
Dario L. Goldfarb
;
Qinghuang Lin
;
Marie Angelopoulos
;
Christopher L. Soles
;
Eric K. Lin
;
Wen-Li Wu
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XVIII》
|
2001年
关键词:
chemically amplified resists;
ultra thin films;
neutron reflectivity;
x-ray reflectivity;
poly 4-hydroxystyrene;
roughness;
density;
moisture absorption;
8.
Comparison of Acid Generating Efficiencies in 248 and 193 nm Photoresists
机译:
248和193 nm光致抗蚀剂的产酸效率比较
作者:
James F. Cameron
;
Nicholas Chan
;
Kathryn Moore
;
Gerd Pohlers
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XVIII》
|
2001年
关键词:
acid quantification;
acid generating efficiency;
sensitization;
quantum yield;
C-parameter;
photoacid generator;
deep UV and 193 nm chemically amplified resists;
9.
Continuous Metal Removal Technique for Resist Resins
机译:
树脂的连续金属去除技术
作者:
Stanley F. Wanat
;
Douglas McKenzie
;
M. Dalil Rahman
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XVIII》
|
2001年
10.
Development of an Edge Bead Remover (EBR) for thick films
机译:
开发用于厚膜的边缘除珠剂(EBR)
作者:
Joseph Oberlander
;
Ernie Sison
;
Craig Traynor
;
Jeff Griffin
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XVIII》
|
2001年
关键词:
thick film;
EBR;
edge bead remover;
resist;
11.
Development of Resists for Thermal Flow Process Applicable to Mass Production
机译:
开发适用于批量生产的热流工艺用抗蚀剂
作者:
Yool Kang
;
Sang-Gyun Woo
;
Sang-Jun Choi
;
Joo-Tae Moon
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XVIII》
|
2001年
关键词:
photoresist;
thermal flow process;
contact hole;
flow rate;
12.
Effect of Development Process Time on the Surface of Photo-Resist with Various Chemical Compositions Investigated by Atomic Force Microscopy
机译:
原子力显微镜研究显影时间对各种化学成分光致抗蚀剂表面的影响
作者:
Chang Hyun Ko
;
Seok-Hwan Oh
;
Jae-Hwan Kim
;
Chang-Lyong Song
;
Sang In Lee
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XVIII》
|
2001年
关键词:
photo-resist;
PR;
chemical composition of PR;
protection ratio;
molecular weight;
surface roughness;
atomic force microscopy;
AFM;
puddle time;
13.
Effect of fluorinated monomer unit introduction to KrF resin system in F2 lithography
机译:
F2光刻中将氟化单体引入KrF树脂体系的影响
作者:
Yasunori Uetani
;
Kazuhiko Hashimoto
;
Yoshiko Miya
;
Isao Yoshida
;
Mikio Takigawa
;
Ryotaro Hanawa
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XVIII》
|
2001年
14.
Encapsulated inorganic resist technology applied to 157 nm-lithography
机译:
应用于157 nm光刻的封装无机抗蚀剂技术
作者:
Theodore H. Fedynyshyn
;
Roger F. Sinta
;
Michael Sworin
;
Russell B. Goodman
;
Scott P. Doran
;
Ivan Sondi
;
Egon Matijevic
会议名称:
《》
|
2001年
关键词:
encapsulated inorganic resist technology (EIRT);
lithography;
248 and 157 nm wavelength;
absorbance;
15.
Experimental approaches for assessing interfacial behavior of polymer films during dissolution in aqueous base
机译:
在水性碱溶解过程中评估聚合物膜界面行为的实验方法
作者:
William Hinsberg
;
Seok-Won Lee
;
Hiroshi Ito
;
Donald Home
;
Kay Kanazawa
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XVIII》
|
2001年
关键词:
polymer dissolution;
swelling;
mechanical properties;
QCM;
16.
Experimental VUV Absorbance Study of Fluorine-Functionalized Polystyrenes
机译:
氟官能化聚苯乙烯的VUV吸收实验研究
作者:
Roderick R. Kunz
;
Roger Sinta
;
Michael Sworin
;
William A. Mowers
;
Theodore H. Fedynyshyn
;
Vladimir Liberman
;
Jane E. Curtin
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XVIII》
|
2001年
关键词:
157 nm;
photolithography;
vacuum ultraviolet;
absorbance;
17.
High Resolution Fluorocarbon Based Resist for 157-nm Lithography
机译:
用于157 nm光刻的高分辨率碳氟化合物抗蚀剂
作者:
Theodore H. Fedynyshyn
;
Roderick R. Kunz
;
Roger F. Sinta
;
Michael Sworin
;
William A. Mowers
;
Russell B. Goodman
;
Scott P. Doran
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XVIII》
|
2001年
关键词:
resist;
lithography;
157 nm wavelength;
absorbance;
fluoropolymer;
plasma etching;
18.
High resolution patterning in chemically amplified resists: the effect of film thickness
机译:
化学放大抗蚀剂中的高分辨率图案化:膜厚的影响
作者:
David R. Medeiros
;
Wayne M. Moreau
;
Karen Petrillo
;
Maharshi Chauhan
;
Wu-Song Huang
;
Christopher Magg
;
Dario Goldfarb
;
Marie Angelopoulos
;
Paul Nealey
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XVIII》
|
2001年
19.
IBM 193nm Bilayer Resist: Materials, Lithographic Performance and Optimization
机译:
IBM 193nm双层抗蚀剂:材料,光刻性能和优化
作者:
Ranee Kwong
;
P. Rao Varanasi
;
Margaret Lawson
;
Timothy Hughes
;
George Jordhamo
;
Mahmoud Khojasteh
;
Arpan Mahorowala
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XVIII》
|
2001年
关键词:
193nm lithography;
bilayer resist;
silane substituted alternating copolymers;
20.
Image Collapse Issues in Photoresist
机译:
光刻胶中的图像塌陷问题
作者:
John Simons
;
Dario Goldfarb
;
Marie Angelopoulos
;
Scott Messick
;
Wayne Moreau
;
Chris Robinson
;
Juan De Pablo
;
Paul Nealey
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XVIII》
|
2001年
关键词:
- photoresist;
image collapse;
young's modulus;
supercritical carbon dioxide;
21.
Improved Lithographic Performance for Resists Based on Polymers Having a Vinyl Ether-Maleic Anhydride (VEMA) Backbone
机译:
基于具有乙烯基醚-马来酸酐(VEMA)骨架的聚合物的抗蚀剂的改进光刻性能
作者:
Hyun-Woo Kim
;
Sang-Jun Choi
;
Dong-Won Jung
;
Sook Lee
;
Sung-Ho Lee
;
Yool Kang
;
Sang-Gyun Woo
;
Joo-Tae Moon
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XVIII》
|
2001年
关键词:
photoresist;
chemically amplified resist;
ArF;
lithography;
cycloolefin polymer;
VEMA;
22.
Improved Lithographic Performance of 193nm-Photoresists Based on Cycloolefin / Maleic Anhydride Copolymer by Employing Mixed PAGs
机译:
通过使用混合PAG改进基于环烯烃/马来酸酐共聚物的193nm光致抗蚀剂的光刻性能
作者:
Se-Jin Choi
;
Yong-Jun Choi
;
Yang-Sook Kim
;
Sang-Don Kim
;
Deog-Bae Kim
;
Jae-Hyun Kim
;
Cha-Won Koh
;
Geunsu Lee
;
Jae-Chang Jung
;
Ki-Ho Baik
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XVIII》
|
2001年
关键词:
cycloolefin/maleic anhydride (COMA) copolymers;
ArF photoresist;
photo acid generator;
line edge roughness;
pattern profile;
resolution capability;
PED stability;
dark field and bright field;
23.
Integration of Ultrathin Resist Processes into MPU IC Manufacturing Flows
机译:
将超薄抗蚀剂工艺集成到MPU IC制造流程中
作者:
Jonathan Cobb
;
Will Conley
;
Todd Guenther
;
Fred Huang
;
J. J. Lee
;
Tom Lii
;
S. Dakshina-Murthy
;
Colita Parker
;
Saifi Usmani
;
Wei Wu
;
Scott Hector
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XVIII》
|
2001年
关键词:
ultrathin resist;
UTR;
EUV lithography;
157nm lithography;
hardmasks;
low-kl imaging;
24.
Investigation on Dissolution Rate Effect of Newly Prepared Polystyrene Copolymer on the Profiles of DUV Resists
机译:
新型聚苯乙烯共聚物对DUV抗蚀剂型材的溶解速率影响的研究
作者:
Hyun-Jin Kim
;
Yoon-Sik Chung
;
Y-Jun Choi
;
Yang-Sook Kim
;
Deog-Bae Kim
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XVIII》
|
2001年
关键词:
dissolution rate;
KrF resist;
KrF lithography;
polymer structure;
25.
Investigation on the Mechanism of the 193nm Resist Linewidth Reduction During the SEM Measurement
机译:
SEM测量过程中193nm电阻线宽减小的机理研究
作者:
Chung-Hsi J. Wu
;
Wu-Song Huang
;
Kuang-Jung R. Chen
;
Charles N. Archie
;
Mark E. Lagus
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XVIII》
|
2001年
关键词:
193nm resist;
line slimming;
SEM;
AFM;
mechanism;
26.
Line Edge Roughness in Positive-Tone Chemically Amplified Resists: Effect of Additives and Processing Conditions
机译:
正色调化学放大抗蚀剂中的线条边缘粗糙度:添加剂和加工条件的影响
作者:
Qinghuang Lin
;
Dario L. Goldfarb
;
Marie Angelopoulos
;
Suresh R. Sriram
;
Jeffrey S. Moore
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XVIII》
|
2001年
关键词:
chemically amplified resists;
line edge roughness;
atomic force microscopy;
polymer phase incompatibility;
additives;
casting solvents;
27.
Mechanism Studies of Scanning Electron Microscope Measurement Effects on 193 nm Photoresists and The Development of Improved Line Width Measurement Methods
机译:
扫描电子显微镜测量对193 nm光刻胶影响的机理研究和改进的线宽测量方法的发展
作者:
Thomas Sarubbi
;
Matthew Ross
;
Mark Neisser
;
Tom Kocab
;
Bernie Beauchemin
;
William Livesay
;
Selmer Wong
;
Waiman Ng
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XVIII》
|
2001年
28.
Mechanistic Understanding of Line End Shortening
机译:
线端缩短的机械理解
作者:
Michael D. Stewart
;
Gerard M. Schmid
;
Sergei V. Postnikov
;
C. Grant Willson
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XVIII》
|
2001年
关键词:
acid diffusion;
line end pullback;
line end shortening;
29.
Modification of 193nm(ArF) Photoresists by Electron Beam Stabilization
机译:
电子束稳定化修饰193nm(ArF)光致抗蚀剂
作者:
Patrick Martens
;
Shige Yamamoto
;
Kunishige Edamatsu
;
Yasunori Uetani
;
Laurent Pain
;
Ramiro Palla
;
Matthew Ross
;
William Livesay
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XVIII》
|
2001年
关键词:
193nm (ArF) Photoresist;
electron beam stabilization;
line slimming;
etch selectivity;
30.
157 nm Imaging Using Thick Single Layer Resists
机译:
使用厚单层抗蚀剂进行的157 nm成像
作者:
Michael K. Crawford
;
Andrew E. Feiring
;
Jerald Feldman
;
Roger H. French
;
Viacheslav A. Petrov
;
Frank L. Schadt
;
Robert J. Smalley
;
Fredrick C. Zumsteg
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XVIII》
|
2001年
关键词:
157 nm photoresists;
fluoropolymers;
etch resistance;
transparency;
tetrafluoroethylene;
31.
193-nm Single Layer Resists Based on Advanced Materials
机译:
基于先进材料的193 nm单层抗蚀剂
作者:
Naomi Shida
;
Tohru Ushirogouchi
;
Koji Asakawa
;
Yoshinori Funaki
;
Akira Takaragi
;
Kiyoharu Tsutsumi
;
Keizo Inoue
;
Tatsuya Nakano
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XVIII》
|
2001年
关键词:
193-nm single-layer resist;
hybrid hyper lactone;
alicyclic;
chemically amplified;
mass production;
autoxidation;
maleic anhydride;
norbornene;
MUNGOS lactone;
32.
Novel CA Resists with Photoacid Generator in Polymer Chain
机译:
新型CA抵抗聚合物链中的光酸产生剂
作者:
Hengpeng Wu
;
Kenneth E. Gonsalves
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XVIII》
|
2001年
关键词:
photoacid generating monomer;
sulfonium salt;
polyhedral oligosilsesquioxane;
lithography;
33.
Novel Deep UV Photoresist with Thermally Crosslinkable Photoacid Generator
机译:
具有热交联光酸产生剂的新型深紫外光致抗蚀剂
作者:
Changho Noh
;
Sangkyun Lee
;
Bongsuk Moon
;
Kenji Honda
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XVIII》
|
2001年
关键词:
KrF lithography;
thermally crosslinkable PAG;
organic BARC;
resist modification;
roughness;
34.
Novel High Performance ArF Resist for sub-l00nm Lithography
机译:
低于100nm光刻的新型高性能ArF抗蚀剂
作者:
Geunsu Lee
;
Cha-Won Koh
;
Jae-Chang Jung
;
Min-Ho Jung
;
Keun-Kyu Kong
;
Jin-Soo Kim
;
Ki-Soo Shin
;
Se-Jin Choi
;
Yang-Sook Kim
;
Yong-Jun Choi
;
Deog-Bae Kim
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XVIII》
|
2001年
关键词:
ArF photoresist;
COMA;
sub-l00nm lithography;
additive;
mask dependency;
35.
Novel Hybrid Copolymers of Cycloolefin/ Maleic Anhydride (COMA)/Methacrylate for 193 nm Resist Compositions
机译:
用于193 nm抗蚀剂组合物的新型环烯烃/马来酸酐(COMA)/甲基丙烯酸酯杂化共聚物
作者:
M. Dalil Rahman
;
Douglas McKenzie
;
Jun-Bom Bae
;
Takanori Kudo
;
Woo-Kyu Kim
;
Munirathna Padmanaban
;
Ralph R. Dammel
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XVIII》
|
2001年
关键词:
hybrid copolymer;
COMA polymer;
193 resist compositions;
methacrylate;
cycloolefin-maleic anhydride;
36.
Novel photoacid generators for chemically amplified resists with g-line, i-line and DUV exposure
机译:
新型光酸产生剂,用于通过g线,i线和DUV曝光进行化学放大的抗蚀剂
作者:
Toshikage Asakura
;
Hitoshi Yamato
;
Akira Matsumoto
;
Masaki Ohwa
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XVIII》
|
2001年
关键词:
non-ionic;
halogen-free;
g-line;
i-line;
DUV;
PAG;
37.
Novel Routes toward Sub-70nm Contact Windows by Using New KrF Photoresist
机译:
使用新型KrF光阻剂的70nm以下接触窗的新颖途径
作者:
Jin-Soo Kim
;
Cha-Won Koh
;
Geunsu Lee
;
Jae-Chang Jung
;
Ki-Soo Shin
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XVIII》
|
2001年
关键词:
contact holes;
resist flow process;
shrink bias;
gotplate;
photoresist;
KrF lithography;
38.
Optimization of ArF Resist for 100-nm Node: DOE and Fine Tuning of Basic Platform
机译:
针对100 nm节点的ArF抗蚀剂的优化:DOE和基本平台的微调
作者:
Keeho Kim
;
Greg Wells
;
Won Kim
;
Yongjun Choi
;
Sejin Choi
;
Yangsook Kim
;
Deogbae Kim
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XVIII》
|
2001年
39.
Optimum tone for various feature types: positive versus negative
机译:
各种功能类型的最佳音调:正负
作者:
T.A. Brunner
;
C. Fonseca
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XVIII》
|
2001年
关键词:
optical lithography;
photoresist;
lithography simulation;
process control;
negative tone resist;
193nm resist;
40.
Photolithographic Evaluation of Various Photoresist Materials for Maskmaking Applications
机译:
用于掩模制造的各种光刻胶材料的光刻评估
作者:
Birender Singh
;
Warren Montgomery
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XVIII》
|
2001年
关键词:
maskmaking;
i-line resist;
photolithography;
iso/dense bias;
41.
Photoresist Outgassing at 157 nm Exposure
机译:
157 nm曝光下的光刻胶除气
作者:
Stefan Hien
;
Steve Angood
;
Dominic Ashworth
;
Steve Basset
;
Theodore Bloomstein
;
Kim Dean
;
Roderick R. Kunz
;
Daniel Miller
;
Shashikant Patel
;
Georgia Rich
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XVIII》
|
2001年
42.
Polymer design for 157 nm chemically amplified resists
机译:
157 nm化学放大抗蚀剂的聚合物设计
作者:
Hiroshi Ito
;
Greg M. Wallraff
;
Phil Brock
;
Nicolette Fender
;
Hoa Truong
;
Greg Breyta
;
Dolores C. Miller
;
Mark H. Sherwood
;
Robert D. Allen
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XVIII》
|
2001年
关键词:
157 nm resists;
fluoropolymers;
hexafluoroisopropanol;
α-trifluoromethylacrylates;
copolymerization kinetics;
chemical amplification;
43.
Process optimization for sub-100 nm gate patterns using phase edge lithography
机译:
使用相边缘光刻技术对亚100 nm以下栅极图案进行工艺优化
作者:
Koen van Ingen Schenau
;
Bert Vleeming
;
Wendy Gehoel-van Ansem
;
Patrick Wong
;
Geert Vandenberghe
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XVIII》
|
2001年
关键词:
photoresist;
alternating PSM;
pattern collapse;
isofocal;
44.
Reduction of internal stress in a SU-8-like negative tone photoresist for MEMS applications by chemical modification
机译:
通过化学修饰减少用于MEMS的SU-8型负型光刻胶中的内部应力
作者:
Ralf Ruhmann
;
Gisela Ahrens
;
Antje Schuetz
;
Jeanine Voskuhl
;
Gabi Gruetzner
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XVIII》
|
2001年
关键词:
ultrathick resists;
negative tone photoresists;
stress;
SU-8;
45.
Resist composition effects on ultimate resolution of negative tone chemically amplified resists
机译:
抗蚀剂组成对负性化学放大抗蚀剂最终分辨率的影响
作者:
L. Pain
;
C. Gourgon
;
K. Patterson
;
B. Scarfogliere
;
S. Tedesco
;
G. Fanget
;
B. DalZotto
;
M. Ribeiro
;
T. Kusumoto
;
M. Suetsugu
;
R. Hanawa
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XVIII》
|
2001年
关键词:
E-Beam;
photoresist;
diffusion;
lithography;
46.
Resist Materials for 157 nm Microlithography: An Update
机译:
用于157 nm微光刻的抗蚀剂材料:更新
作者:
Raymond J. Hung
;
Hoang V. Tran
;
Brian C. Trinque
;
Takashi Chiba
;
Shintaro Yamada
;
Daniel P. Sanders
;
Eric F. Connor
;
Robert H. Grubbs
;
John Klopp
;
Jean M. J. Frechet
;
Brian H. Thomas
;
Gregory J. Shafer
;
Darryl D. DesMarteau
;
Will Conley
;
C. Grant Willson
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XVIII》
|
2001年
关键词:
157 nm lithography;
157 nm resist;
2-(trifluoromethyl)acrylates;
fluoronorbornanes;
metal-catalyzed addition polymerization;
carbon monoxide copolymerization;
dissolution inhibitor;
47.
Resist materials for 157-nm lithography
机译:
157 nm光刻胶材料
作者:
Minoru Toriumi
;
Seiichi Ishikawa
;
Seiro Miyoshi
;
Takuya Naito Tamio Yamazaki
;
Manabu Watanabe
;
Toshio Itani
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XVIII》
|
2001年
关键词:
157-nm lithography;
fluoropolymer;
photoresist;
aqueous base solubility;
chemical amplification;
48.
Resist Re-Hydration During Thick Film Processing
机译:
厚膜加工过程中抗水化
作者:
Octavia P. Lehar
;
Mark Spak
;
Stephen Meyer
;
Ralph R. Dammel
;
Colin Brodsky
;
C. Grant Willson
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XVIII》
|
2001年
关键词:
re-hydration;
thick film;
photospeed;
water;
diffusion;
sorption;
photoresist;
49.
Silicon-containing Resists for 157 nm Applications
机译:
157 nm应用中的含硅抗蚀剂
作者:
Ratnam Sooriyakumaran
;
Debra Fenzel-Alexander
;
Nicolette Fender
;
Gregory M. Wallraff
;
Robert D. Allen
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XVIII》
|
2001年
关键词:
bilayer resist;
157 nm lithography;
silicon;
silsesquioxane;
SSQ;
50.
Study of Base Additives for Use in a Single Layer 193 nm Resist Based Upon Poly(norbornene/maleic anhydride/acrylic acid/tert-butyl Acrylate)
机译:
基于聚降冰片烯/马来酸酐/丙烯酸/丙烯酸叔丁酯的单层193 nm抗蚀剂中使用的基础添加剂的研究
作者:
Frank M. HOULIHAN
;
Donna PERSON
;
Om NALAMASU
;
Ilya RUSHKIN
;
Ognian DIMOV
;
Elsa REICHMANIS
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XVIII》
|
2001年
关键词:
base additive;
photodecompable base;
193 nm;
51.
Study of Spin Coating Properties of SU-8 Thick-layer Photoresist
机译:
SU-8厚层光刻胶的旋涂性能研究
作者:
R.-H. Chen
;
C.-M. Cheng
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XVIII》
|
2001年
关键词:
thick-layer resist;
SU-8;
thickness uniformity;
spin coating;
52.
Technology in the Internet Era
机译:
互联网时代的技术
作者:
Dennis D. Buss
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XVIII》
|
2001年
关键词:
internet;
IC;
DSP;
analog;
scaling;
system-on-a-chip;
53.
The Perfect Photoresist for 157nm Imaging
机译:
157nm成像的完美光刻胶
作者:
Will Conley
;
Jeff Byers
;
Kim Dean
;
Steve Hansen
;
Jo Finders
;
Stephan Sinkwitz
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XVIII》
|
2001年
54.
The Rational Design of Bleachable Non-Chemically Amplified DUV Photoactive Compounds
机译:
可漂白的非化学放大DUV光敏化合物的合理设计
作者:
Benjamen M. Rathsack
;
Peter I. Tattersall
;
Cyrus E. Tabery
;
Kathleen Lou
;
Tim B. Stachowiak
;
David R. Medeiros
;
Jeff A. Albelo
;
Peter Y. Pirogovsky
;
Dennis R. Mckean
;
C. Grant Willson
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XVIII》
|
2001年
关键词:
DUV photoactive compounds;
photomask lithography;
55.
Theoretical calculations of photoabsorption of several alicyclic molecules in the vacuum ultraviolet region
机译:
真空紫外区几种脂环族分子光吸收的理论计算
作者:
Nobuyuki N. Matsuzawa
;
Akihiko Ishitani
;
David A. Dixon
;
Tsuyoshi Uda
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XVIII》
|
2001年
关键词:
VUV lithography;
F_2 lithography;
transition energy;
oscillator strength;
time-dependent density functional theory;
rydberg transition;
fluorination;
56.
THERMAL PROPERTIES OF COMA MATERIALS
机译:
彗星材料的热性质
作者:
I. Rushkin
;
B. Beauchemin
;
O. Dimov
;
T. Kocab
;
A. Medina
;
T. Sarubbi
;
M. Bowden
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XVIII》
|
2001年
57.
Top Surface Imaging at 157 nm
机译:
157 nm的顶面成像
作者:
Andrew Jamieson
;
Mark Somervell
;
Hoang Vi Tran
;
Raymond Hung
;
Scott A. MacDonald
;
C. Grant Willson
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XVIII》
|
2001年
58.
Transparent Resins for 157 nm Lithography
机译:
157 nm光刻用透明树脂
作者:
Ralph R. Dammel
;
Raj Sakamuri
;
Andrew Romano
;
Richard Vicari
;
Cheryl Hacker
;
Will Conley
;
Daniel Miller
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XVIII》
|
2001年
关键词:
157 nm lithography;
157 nm photoresist;
VUV absorbance;
59.
Understanding Nonlinear Dissolution Rates in Photoresists
机译:
了解光刻胶中的非线性溶解速率
作者:
Sean D. Burns
;
Allen B. Gardiner
;
V.J. Krukonis
;
Paula M. Wetmore
;
Jodie Lutkenhaus
;
Gerard M. Schmid
;
Lewis W. Flanagin
;
C. Grant Willson
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XVIII》
|
2001年
关键词:
surface inhibition;
residual casting solvent;
surface roughness;
critical ionization dissolution model;
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