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机译:具有30 ps 120 k逻辑门和片上测试电路的抗软错误的0.9 ns 1.15-Mb ECL-CMOS SRAM
机译:片上测试电路,用于2 ns周期,512 KB CMOS ECL SRAM
机译:使用特殊的DFT电路测试CMOS SRAM中的数据保留故障
机译:使用片上电流传感器针对FinFET SRAM中的电阻性缺陷的面向缺陷的测试方法
机译:具有30ps 120k逻辑门和片内测试电路的软错误免疫0.9-ns 1.15-Mb ECL-CMOS SRAM
机译:测试从晶体管网络到门级设计的异步逻辑电路
机译:具有逻辑门分离栅极的全2D ReS2晶体管
机译:基于March测试和片上电流传感器集成的SRAM测试