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机译:用于1.5V以下DRAM的快速抽空VBB发生器
CMOS memory circuits; DRAM chips; reference circuits; signal generators; voltage multipliers; 0.9 to 1.5 V; DRAMs; LV memory circuit; back bias voltage generator; charge pump; cross-coupled hybrid pumping circuit; dynamic RAM; fast pump-down VBB generator;
机译:高效的$ V_ {rm PP} $生成器,具有用于移动DRAM的快速启动时间
机译:真空泵提供快速抽空
机译:MRAM的运行速度比DRAM快六倍
机译:采用动态基板控制电荷泵的361nA热失控免疫VBB发生器,可在65nm SOTB上实现超低睡眠电流逻辑
机译:DRAM / eDRAM和3D-DRAM的省电方法,利用工艺变化,温度变化,设备降级和内存访问工作负载变化,以及使用具有服务质量的3D-DRAM的创新的异构存储管理方法。
机译:用于低延迟和低功耗3D堆叠DRAM的DRAM中缓存管理
机译:具有改进的泵送电流的高速背偏压(VBB)发电机