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机译:介电-介电界面处的俘获态对具有双层栅介电层的有机场效应晶体管稳定性的影响
School of Electrical and Electronic Engineering, Nanyang Technological University, 50 Nanyang Avenue, Singapore 639798, Singapore;
Institute of Optoelectronic Materials and Technology, South China Normal University, Guangzhou 510631, China;
School of Materials Science and Engineering, Nanyang Technological University, 50 Nanyang Avenue, Singapore 639798, Singapore;
trapping state; photo-induced charge transfer; threshold voltage; organic field-effect transistor; buffer dielectric;
机译:在负偏压温度不稳定性应力作用下,掺入氮和硅的HfO_2栅极电介质的p沟道金属氧化物半导体场效应晶体管产生体和界面陷阱
机译:具有超薄等离子氮化SiON栅极电介质的p沟道金属氧化物半导体场效应晶体管在负偏置温度不稳定性下的界面陷阱和氧化物电荷产生
机译:用于顶栅有机场效应晶体管的基于聚对二甲苯的双层柔性栅介质层
机译:聚合物栅极电介质对n型并五苯有机场效应晶体管的影响
机译:聚合物电解质门控有机场效应晶体管。
机译:凹版印刷薄有机电介质的高性能柔性底栅有机场效应晶体管
机译:具有超薄等离子体 - 氮化SiON电介质的P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管负偏置温度不稳定性下的界面阱和氧化物电荷产生
机译:基于脱氧核糖核酸(DNa)栅介质的生物有机半导体场效应晶体管(BioFET)