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机译:GaN基金属氧化物半导体(MOS)结构的电学特性
School of Physics, Universiti Sains Malaysia, 11800 Minden, Penang, Malaysia;
characterization; gallium nitride; metal-oxide-semiconductor; silicon dioxide;
机译:退火时间对金属氧化物半导体存储结构中自组装Pt纳米晶体结构,组成和电学特性的影响
机译:六步光掩模结构的低温多晶硅互补金属氧化物半导体薄膜晶体管的电学特性
机译:氮流量比与溅射氮化钛栅体平面金属氧化物半导体场效应晶体管和鳍型金属氧化物半导体场效应晶体管电学特性的比较研究
机译:氧化物的连续退火对碳化硅金属氧化物半导体结构电特性的影响
机译:氮化镓和硅基金属氧化物半导体(MOS)电容器的电气特性。
机译:电形成的界面层的影响以及包含AlOxGdOxHfOx和TaOx开关材料的IrOx /high-κx/ W结构的改进的存储特性
机译:通过金属层的等离子体氧化控制GaN基金属氧化物半导体异质结构中的界面电荷密度