机译:双材料双栅极隧道FET:栅极阈值电压建模和提取
Bangladesh Univ Engn & Technol, Dept Elect & Elect Engn, Dhaka, Bangladesh;
Bangladesh Univ Engn & Technol, Dept Elect & Elect Engn, Dhaka, Bangladesh;
Bangladesh Univ Engn & Technol, Dept Elect & Elect Engn, Dhaka, Bangladesh;
Dual-material double gate; Tunnel FET; Threshold voltage; Poisson's equation; Transconductance;
机译:渐变通道双材料双栅极MOSFET阈值电压的二维分析建模
机译:具有中心电荷的渐变沟道双材料双栅极应变Si MOSFET的基于中心电势的阈值电压模型
机译:短通道双材料双栅极SON MOSFET的反型电荷和阈值电压的量子分析模型
机译:局部界面电荷对双材料双栅极隧道FET漏极电流的影响
机译:用于低压集成电路应用的双栅CMOS设计和分析,包括绝缘体上硅MOSFET的物理建模。
机译:双门等腰梯形隧道场效应晶体管(DGIT-TFET)的设计优化
机译:均匀掺杂的短沟道对称双栅(DG)MOSFET的掺杂相关阈值电压模型