机译:三栅隧穿场效应晶体管的3D分析建模
Ferdowsi Univ Mashhad, Dept Elect Engn, Mashhad 9177948974, Iran;
Ferdowsi Univ Mashhad, Dept Elect Engn, Mashhad 9177948974, Iran;
Sharif Univ Technol, Dept Elect Engn, Tehran 1136511155, Iran;
Analytical modeling; Three-dimensional (3D); Perimeter-weighted-sum; Tri-gate (TG); Tunneling field-effect transistor (TFET);
机译:双材料三栅极隧道场效应晶体管的3D建模和性能分析
机译:双材料三门隧道场效应晶体管的3D建模与性能分析
机译:带间隧穿和沟道传输的双材料栅隧穿场效应晶体管的紧凑解析模型
机译:双金属三栅极硅片隧道隧道场效应晶体管的3D分析建模
机译:隧道场效应晶体管技术的紧凑模型和i-MOS平台开发。
机译:单轴应变对双栅石墨烯纳米带场效应晶体管性能影响的分析模型
机译:考虑到闸门和排水电压对隧道的影响的隧穿场效应晶体管的分析电流模型