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A 5-Gb/s decision circuit fabricated in a 1.5- mu m super-self-aligned silicon bipolar IC technology

机译:采用1.5μm超自对准硅双极IC技术制造的5Gb / s决策电路

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摘要

The design and experimental measurements on a clocked decision circuit for optical communication applications are reviewed. The circuit, fabricated in a 1.5- mu m super-self-aligned silicon bipolar technology, yields a bit-error rate (BER) >10/sup -9/ at a bit rate of 5 Gb/s. At 2.5 Gb/s the small signal input data sensitivity is 10 mV, the clock timing margin is 320 ps (288 degrees phase margin), the output eye-pattern opening is 300 ps (270 degrees phase margin), and the rise/fall times are about 100 ps.
机译:回顾了用于光通信应用的时钟决策电路的设计和实验测量。该电路采用1.5μm超自对准硅双极技术制造,以5 Gb / s的比特率产生误码率(BER)> 10 / sup -9 /。在2.5 Gb / s时,小信号输入数据灵敏度为10 mV,时钟时序裕度为320 ps(288度相位裕度),输出眼图开路为300 ps(270度相位裕度),并且上升/下降时间约为100 ps。

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