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机译:采用1.5μm超自对准硅双极IC技术制造的5Gb / s决策电路
机译:1.5μmCMOS SOS电路的外延硅厚度选择
机译:利用1微米沟槽隔离双极硅技术制成的10 K门950 MHz CML演示器电路
机译:用于低功耗高速集成电路的1微米多晶硅自对准双极工艺
机译:采用硅双极技术制造的22 Gb / s决策电路和32 Gb / s再生多路分解器IC
机译:基于N沟道InGaAsP-InP的倒置通道技术器件(ICT)的设计,制造和表征,用于光电集成电路(OEIC):双异质结光电开关(DOES),异质结场效应晶体管(HFET),双极倒置沟道场-效应晶体管(BICFET)和双极型反向沟道光电晶体管(BICPT)。
机译:量身定制飞秒的1.5μm贝塞尔光束以制造高纵横比的硅通孔
机译:关于SK Hynix与SEMATECH制作的铜通硅通孔(TSV)样品的机械应力–实现鲁棒且可靠的3-D互连/集成电路(IC)技术