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机译:InP-InGaAs隧穿发射极双极晶体管(TEBT)的直流特性
Dept. of Electr. Eng., Nat. Cheng-Kung Univ., Taiwan, Taiwan;
indium compounds; gallium arsenide; III-V semiconductors; tunnel transistors; bipolar transistors; low-power electronics; semiconductor device breakdown; DC characterization; InP-InGaAs; tunneling emitter bipolar transistor; TEBT; de performances; co;
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