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机译:激光掺杂n型Ge中的欧姆接触
Institut d'Electronique Fondamentale, UMR 8622, CNRS - Université Paris-Sud, 91405 Orsay Cedex, France;
机译:激光掺杂n型Ge中的欧姆接触
机译:借助激光辅助掺杂提高N面n型GaN上欧姆接触的热稳定性并降低其接触电阻
机译:通过在n型锗上插入用于超浅欧姆接触的超薄硅层来抑制磷δ掺杂层的表面偏析
机译:铟锡氧化物(ITO)和铝掺杂ZnO(AZO)界面层,用于n型锗上的欧姆接触
机译:欧姆触点是同性境生长的p型和n型锗
机译:超低接触电阻的黑色磷场效应晶体管中的掺锗金属欧姆接触
机译:激光掺杂n型Ge中的欧姆接触
机译:与n型Gasb和n型GaInassb的欧姆接触