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机译:场辅助硝酸氧化改善高k Al_2O_3栅极电介质的电特性
机译:通过对高K栅极电介质进行原子层蚀刻来改善金属栅极/高K电介质CMOSFET的特性
机译:Pt OE n〜+ .PGTAL-SILICQN栅的高k栅介电薄膜(HfO_2和Al_2O_3)的电性能比较
机译:基于双原子石墨烯器件的基于臭氧的原子层沉积的高k Al_2O_3电介质的特性
机译:有和没有硝酸补偿的Al_2O_3栅介质的电特性和温度响应
机译:基于future的多金属高k栅极电介质的电气和材料特性,可用于未来的规模化CMOS技术:物理,可靠性和工艺开发。
机译:CF4等离子体处理HfO2栅电介质的非晶铟镓锌氧化物薄膜晶体管的电性能和可靠性提高
机译:具有不同覆盖角度的高k栅极电介质对栅极 - 全场场效应晶体管电特性的影响:仿真研究