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机译:非易失性存储器件的Ti / MnO_2 / Pt结构中的双极阻性开关行为
Thin Film Materials Research Center, Korea Institute of Science and Technology, Seoul 136-791, Republic of Korea Department of Electrical and Electronic Engineering, Yonsei University, Seoul 120-749, Republic of Korea;
Department of Materials Science and Engineering, University of Wisconsin-Madison, Madison, Wisconsin 53705, USA;
Department of Electrical and Electronic Engineering, Yonsei University, Seoul 120-749, Republic of Korea;
Thin Film Materials Research Center, Korea Institute of Science and Technology, Seoul 136-791, Republic of Korea;
机译:用于非易失性存储器应用的Pt / NiO / TiN器件的双极电阻切换行为
机译:具有电极敏感双极电阻开关的聚合物:金属纳米颗粒器件及其在非易失性存储器件中的应用
机译:TiN / ZnO / Pt电阻型非易失性存储器中的双极开关行为,具有快速开关和长保持性
机译:顶部电极材料对MnO_2非易失性存储器件中电阻开关特性的影响
机译:金属/ pr钙锰矿界面中的电场感应电阻切换:未来非易失性存储设备的模型。
机译:低功耗非易失性器件应用中还原氧化石墨烯存储单元的电阻切换行为
机译:低功耗非易失性器件应用的石墨烯氧化物存储器电阻的电阻切换行为
机译:热机械加工对Ti50.5 Ni29.5 pt20高温形状记忆合金组织,性能和加工性能的影响