...
机译:控制具有改进的栅极介电可靠性的高质量GaN基金属氧化物半导体器件的SiO_2 / GaN堆栈中的Ga氧化物层间生长和Ga扩散
Osaka Univ, Grad Sch Engn, Suita, Osaka 5650871, Japan;
Osaka Univ, Grad Sch Engn, Suita, Osaka 5650871, Japan;
Osaka Univ, Grad Sch Engn, Suita, Osaka 5650871, Japan;
Natl Inst Adv Ind Sci & Technol, GaN Adv Device Open Innovat Lab, Nagoya, Aichi 4648601, Japan;
AIST, Adv Power Elect Res Ctr, Tsukuba, Ibaraki 3058568, Japan;
Natl Inst Adv Ind Sci & Technol, GaN Adv Device Open Innovat Lab, Nagoya, Aichi 4648601, Japan;
Japan Atom Energy Agcy, Sayo, Hyogo 6795148, Japan;
Osaka Univ, Grad Sch Engn, Suita, Osaka 5650871, Japan;
Osaka Univ, Grad Sch Engn, Suita, Osaka 5650871, Japan;
Osaka Univ, Grad Sch Engn, Suita, Osaka 5650871, Japan;
机译:具有薄Ga氧化物中间层的GaN基金属氧化物半导体器件的界面性能得到改善
机译:受控氧化物中间层可提高SiO_2 / GaN MOS器件的可靠性
机译:用于提高SiO_2 / GaN MOS器件可靠性的控制氧化物中间层
机译:ALD栅极电介质(SiO_2,HfO_2和SiO_2 / HAH)对AlGaN / GaN MOSHFET器件的电学特性和可靠性的影响
机译:具有通过RPECVD制备的堆叠氧化物/氮化物和氮氧化物栅极电介质的CMOS器件的故障和可靠性。
机译:使用极薄的栅极介电层综合电离剂量效应的全电离剂量效应
机译:通过在其HfTiO栅极电介质中引入氮,改善了siC金属氧化物半导体器件的高场可靠性
机译:喷射气相沉积(JVD)氧化硅/氮化物/氧化物薄膜(ONO)薄膜作为siC和GaN器件的栅极电介质的研究。