功率半导体应用专栏（连载）：（十一）快，更快，超快!优化应用于开关电源中的二极管

摘要

目前我们正努力去提高功率开关MOSFET，IGBT的性能——减小正向压降，减少关断能量，在开关型感性负载中，开通损耗在很大程度上取决于续流二极管的工作特性，现在开通损耗已经占据了整个功率损耗的绝大部分。在单个封装内串联二极管的技术可以优化给出的设计。本文就以PFC电路为例，介绍如何选择最优的二极管。