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于庆奎; 王哲力; 文平; 张洪伟; 孙毅; 梅博; 李晓亮; 吕贺; 王贺; 李鹏伟; 唐民;
中国空间技术研究院;
国防科技工业抗辐照应用技术创新中心:北京 100029;
南京电子器件研究所 南京 210016;
空间电子信息技术研究院 西安 710100;
氮化镓功率放大器; 单粒子效应; 重离子辐照试验; 单粒子介质击穿; MOS电容器;
机译:带有多晶硅栅电极的SiC MOS电容器的失效分析
机译:具有锥形栅极系列/漏极-并联电容器的2–6 GHz GaN分布式功率放大器MMIC
机译:使用锥形漏极并联电容器的GaN分布式功率放大器MMIC的输出匹配技术
机译:栅极电介质击穿导致MOSFET中的微结构损伤
机译:适用于ZigBee应用的40nm CMOS单端开关电容器谐波抑制功率放大器。
机译:沉积后退火对以H2O和O3为氧化剂的ZrO2 / n-GaN MOS电容器的影响
机译:H2O和O3作为氧化剂的ZrO2 / N-GaN MOS电容器在ZrO2 / N-GaN MOS电容器上的影响
机译:GaN功率电子器件:从GaN-on-si横向晶体管到GaN-on-GaN垂直晶体管和GaN CmOs IC。
机译:具有成角度的电极和100 CMOS的氮化镓(GaN)功率放大器(PA)及其制造方法
机译:具有成角度的电极和100 CMOS的氮化镓(GAN)功率放大器(PA)及其制造方法
机译:使用LDMOS FET和GAN FET的DOHERTY射频功率放大器
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