10nm制程用电子级氢氟酸中痕量阴离子分析方法

摘要

建立了一种在集成电路产业所需洁净环境下测试电子级氢氟酸中痕量阴离子的分析方法.对测试的环境、容器、耗材、试剂等加以要求,以此为基础进行电子级氢氟酸中痕量阴离子的分析.经考察,Cl-、Br-、NO3-、SO42-、PO43-五种阴离子检出限73～298 ng/L,定量限242～993 ng/L,连续进样6次,RSD<5％,线性相关系数≥0.999,1.0μg/L加标回收率91％～105％.用该方法对电子级氢氟酸中痕量阴离子进行检测,结果良好,可满足10 nm制程用电子级氢氟酸中痕量阴离子的检测要求.