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沈能珏;
无;
表征; 进展; 砷化镓;
机译:在单面δ掺杂量子阱RNEMT AIGaAs / lnGaAs /砷化镓高电子密度的电子的有效质量和动量张弛时间
机译:应用的GaAsP补偿层用于激光异质量子阱的InGaAs /砷化镓,在发光波长比1100nm长,在锗/ Si衬底人工的生长
机译:电物理和光致发光的研究超晶格{LT-砷化镓/砷化镓为Si},通过分子束外延在GaAs衬底上生长具有(100)取向和(111)A
机译:用于砷化镓/砷化镓磷化镓的光谱检查微光致发光测量系统的研制(GaAs / GaAs_(1-x)P_x)
机译:光学方法定量分析高纯度砷化镓,重掺杂砷化镓和铝砷化镓/砷化镓异质结器件
机译:黑砷化镓(GaAs):金辅助化学蚀刻用于光阱和光子回收
机译:分子束外延生长的砷化镓/铝砷化镓和砷化镓铝铟/砷化铝铝的多量子阱和超晶格结构的光学性质。
机译:III-V半导体材料制备技术的研究与开发及这些材料质量评价方法 - 砷化镓晶体 - 砷化镓坩埚拉制
机译:技术上外延砷化镓(gaas),而半驱动器有砷化镓(gaas)
机译:用于生产砷化镓衬底晶片的掺杂砷化镓单晶的制备包括熔化砷化镓起始材料,然后使砷化镓熔化
机译:用于砷化镓设备的砷化镓(GAAS)放大器和发射/接收开关及相关系统和方法
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