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沙国荣; 钱青; 王研艳;
南京工业职业技术大学;
横滨国立大学-8501;
南京泉峰汽车精密技术股份有限公司;
绝缘栅双极型晶体管; 栅氧层老化; 开通过程;
机译:大功率沟槽栅/场截止IGBT模块关断期间动态热敏电参数的最大dIC / dt的分析和实验研究
机译:基于差分模式对IGBT模块进行干扰频谱的粘合线的老化监测
机译:基于模式识别的人工训练方法检测IGBT电源模块的老化缺陷
机译:考虑热电偶胶胶层的加速老化试验中IGBT模块热阻校正方法研究
机译:研究热固化和老化过程中硅氧烷聚合物波导中的光损耗变化
机译:基于新型Volterra k最近邻最优修剪极限学习机(VKOPP)模型的绝缘栅双极晶体管(IGBT)剩余寿命估算
机译:基于等温弛豫电流测量的老化对环氧 - 氧化铝纳米复合材料的电荷去捕获过程的研究
机译:绝缘栅双极型晶体管(IGBT)功率模块中开关脉冲的热模拟。
机译:氧氮化物栅电介质,特别是用于半导体存储设备的氧氮化物栅电介质,通过硅基板反应或CVD形成氧氮化物层,然后进行反氧化以形成中间二氧化硅层
机译:用于在啮合或非啮合绝缘栅双极晶体管(IGBT)上进行开关过程期间降低浪涌电压的电路结构会产生栅极电流以保护IGBT
机译:半导体器件绝缘栅双极晶体管(IGBT),具有p型绝缘层,该p型绝缘层具有开裂,该开裂在凹入部分的底部和侧壁之间具有边界
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