4H-SiC混合PiN/Schottky二极管电阻建模

摘要

cqvip:此处提出一种对碳化硅(SiC)混合PiN/Schottky(MPS)二极管导通电阻建模的方法。通过该模型可计算出MPS二极管在单极、小注入及大注入3种工作模式的导通电阻。在单极模式及小注入模式,该模型考虑了温度对迁移率的影响,而在大注入模式下电流密度成为重要的影响因素。载流子分布被分析并运用于求解该电阻模型。经验证该模型能较准确的预测MPS二极管在各种工作模式的导通电阻。