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IGCT器件的计算机模拟

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摘要

对IGCT器件的主体GCT部分进行了工艺模拟,包括一维模拟与二维模拟,对工艺流程进行了优化设计,最后得到了理想的纵向杂质分布及网格划分,并对模拟和设计的有关问题进行了分析总结.

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来源
《电力电子技术》 |2001年第2期|54-55,47|共3页
作者
杨大江; 姚振华; 朱长纯; 白继彬;
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作者单位

西安交通大学,;

西安交通大学,;

西安交通大学,;

西安电力电子技术研究所,;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类晶闸管（可控硅）;
关键词
工艺; 模拟/集成门极换向晶闸管;

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