ZK1150/4500快恢复二极管的研制

摘要

论述了ZKll50-45型1150A,4500V,反向恢复时间小于6μs的快恢复二极管的设计与制造.针对该快恢复二极管对电流、电压及反向恢复时间均要求较高,采用了PIN型设计.对双角度造型终端PIN型快恢复二极管的工作模式进行了深入细致的研究.指出要有效协调减小漏电流、提高阻断电压与降低通态压降提高通流能力、减小反向恢复电荷缩短反向恢复时间之间的矛盾,N-区宽度必须取极小值.借助于"激光探针光敏电流测量法",可完全计入结终端硅-钝化层介面各种复杂因素影响,测量出表面空间电荷区展宽,观察其中电场集中情况,准确提供设计依据.采用特殊扩散掺杂工艺,不仅可一次性完成P,N型掺杂、而且具有优良的杂质分布及其均匀性.封装前对管芯施加12MeV,l00μA束流反复多次的电子辐照,使少子寿命均匀受控.形成了高效率、高成品率、稳定的工艺制造技术.