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超结器件

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摘要

简要地介绍了突破传统"硅极限"的超结器件发明的背景,以及产生的来由.描述了既用作漂移区又用作耐压区的各种超结结构的导通电阻与击穿电压的关系,及超结MOST瞬态特性中导通过程的器件物理.最后简要地介绍了超结器件的进展.

著录项

来源
《电力电子技术》 |2008年第12期|2-7|共6页
作者
陈星弼;
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作者单位

电子科技大学,电子薄膜与集成器件国家重点实验室,四川,成都,610054;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类半导体技术;
关键词
半导体功率器件; 超结; 复合缓冲层; 比导通电阻; 硅极限;

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