专用高速高压驱动器设计

刘智; 袁雅玲; 刘存生; 宁红英

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专用高速高压驱动器设计

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以标准3-μm双阱CMOS工艺为基础,开发了高低压体硅CMOS工艺,解决了低压CMOS和高压LDMOS工艺兼容性问题.基于RESURF原理,设计了八边形结构的高压LDMOS:完成了低压控制电路与高压LDMOS集成专用高速高压驱动器的设计.测试结果表明,高压LDMOS的开通电阻约为22Ω,击穿电压不高于130V;专用高速高压驱动器功能指标达到设计要求.

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来源
《电力电子技术》 |2008年第12期|14-15,35|共3页
作者
刘智; 袁雅玲; 刘存生; 宁红英;
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作者单位

西安微电子技术研究所,陕西,西安,710054;

西安微电子技术研究所,陕西,西安,710054;

西安微电子技术研究所,陕西,西安,710054;

西安理工大学,陕西,西安,710048;

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正文语种 chi
中图分类场效应型;
关键词
集成电路; 驱动/高速高压;

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