GaN高电子迁移率晶体管的研究进展

张金风; 郝跃

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GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)是GaN微波功率器件的主要形式,是第3代半导体技术领域发展和竞争的焦点.针对GaN HEMT的目标特性和电流崩塌现象,从材料结构设计和器件设计两方面概括了十几年来GaN HEMT器件性能优化的研究方法,并给出了国内外GaN HEMT器件微波功率特性目前的研究进展水平.

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来源
《电力电子技术》 |2008年第12期|63-66|共4页
作者
张金风; 郝跃;
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作者单位

西安电子科技大学,宽禁带半导体材料与器件重点实验室,陕西,西安,710071;

西安电子科技大学,宽禁带半导体材料与器件重点实验室,陕西,西安,710071;

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正文语种 chi
中图分类半导体三极管（晶体管）;
关键词
晶体管; 电子迁移率; 特性;

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