基于吸收系数修正的硅片激光弯曲模拟与实验

摘要

考虑热吸收系数随温度变化的因素,以硅为对象进行r激光弯曲模拟和实验.借助APDL语言编写了激光弯曲成形的仿真程序,对单脉冲作用过程进行模拟,以得到单点脉冲周期内的温度分布;采用NiCr/NiSi合金薄膜热电偶对单脉冲作用过程中的温度分布进行测量,对比上述的温度模拟与测量结果,修正硅材料的激光综合吸收系数为0.82.采用有限元分析软件实现了硅片的脉冲激光弯曲成形的仿真和模拟,并对硅片多次连续扫描的弯曲模拟与弯曲实验进行对比,误差仅为0.1°,验证了仿真程序的有效性,为硅片的激光弯曲成形提供了理论与实验依据.