2m大口径RB-SiC反射镜的磁控溅射改性

摘要

为了消除RB-SiC反射镜直接抛光后表面存在的微观缺陷,降低抛光后表面的粗糙度,提高表面质量,针对大口径SiC的特性,选择Si作为改性材料,利用磁控溅射技术对2 m量级RB-SiC基底进行了表面改性.在自主研发的Φ3.2m的磁控溅射镀膜机上进行基底镀膜,利用计算机控制光学成型法对SiC基底进行了抛光改性.实验结果表明,改性层厚度达到15 μm;在直径2.04m范围内,膜层厚度均匀性优于±2.5％;表面粗糙度由直接抛光的5.64 nm(RMS)降低到0.78 nm.由此说明磁控溅射技术能够用于大口径RB-SiC基底的表面改性,并且改性后大口径RB-SiC的性能可以满足高质量光学系统的要求.