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赵德刚; 杨辉; 梁骏吾; 李向阳; 龚海梅;
中国科学院半导体研究所,北京,100083;
同济大学电信学院半导体与信息技术研究所,上海,200092;
中国科学院上海技术物理研究所,上海200083;
MOCVD; AlN; 生长速率; 寄生反应;
机译:AlN晶体的升华生长反应器中AlN层的生长速率与氮气压力的关系
机译:使用GaN / AlN超晶格作为MOCVD生长的阻挡层的AlGaN / GaN异质结构中2DEG特性的研究
机译:Si_3N_4-Al_2O_3-AlN-SiO_2-TiN-TiO_2区域中Si-Al-O-N-Ti系统的反应的物理化学研究II。子系统Si_3N_4-AlN,TiN-AlN,Al_2O_3-AlN
机译:TEM,TED和HREM研究MOCVD In_xGa_(1-x)As层中的原子有序域和相关域:对生长温度和生长速率的依赖性
机译:用于开发AlN / SiC {lcub} p / pn {rcub}异质结紫外检测器的MOCVD优化和AlN表征。
机译:生长过程中的气相化学反应机理高温MOCVD中AlN的热力学研究
机译:用于LED制造的GaN,AlGaN和AlN层的生长:使用“热壁” MOCVD系统的生长条件研究
机译:用于UV光电探测器应用的GaN,alN和alGaN的mOCVD生长。
机译:基于AlN的III族氮化物厚膜的气相相差法和MOCVD装置
机译:MOCVD系统在蓝宝石衬底上生长单晶藻类层的研究。
机译:蛋白质,增加种子产量和/或增加植物的生长速率和生长速率的方法,细胞,植物,构造以及生产植物转基因拟南芥的方法,以改善植物在拟南芥中的生长和生长相应的野生型植物,以增加作物产量。植物中种子的数量和植物中种子的产量
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