Si基CdTe复合衬底分子束外延研究

陈路; 王元樟; 巫艳; 吴俊; 于梅芳; 乔怡敏; 何力

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文章引入晶格过渡的Si/ZnTe/CdTe作为复合外延基底材料,以阻挡Si/HgCdTe之间大晶格失配产生的高密度位错.通过对低温表面清洁化、面极性控制和孪晶抑制等的研究,解决了Si基CdTe分子束外延生长中诸多的技术难题.在国内首次采用分子束外延(MBE)的方法获得了大面积的Si基CdTe复合衬底材料,对应厚度为4～4.4μm Si/CdTe(211)样品双晶半峰宽的统计平均结果为83弧秒,与相同厚度的GaAs/CdTe(211)双晶平均水平相当.

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来源
《激光与红外》 |2005年第11期|857-860|共4页
作者
陈路; 王元樟; 巫艳; 吴俊; 于梅芳; 乔怡敏; 何力;
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作者单位

中国科学院上海技术物理研究所,半导体材料器件研究中心,上海,200083;

中国科学院上海技术物理研究所,半导体材料器件研究中心,上海,200083;

中国科学院上海技术物理研究所,半导体材料器件研究中心,上海,200083;

中国科学院上海技术物理研究所,半导体材料器件研究中心,上海,200083;

中国科学院上海技术物理研究所,半导体材料器件研究中心,上海,200083;

中国科学院上海技术物理研究所,半导体材料器件研究中心,上海,200083;

中国科学院上海技术物理研究所,半导体材料器件研究中心,上海,200083;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类 TN304.2+5;TN304.054;
关键词
硅基; 碲镉汞; 复合衬底; 分子束外延;

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