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HgCdTe微台面红外焦平面技术研究

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文章报导了采用液相外延(LPE)生长P型材料、B离子注入成结、全干法深台面刻蚀、深台面侧向钝化及电极引出技术制备出中波320 × 256HgCdTe微台面阵列结构,其相元中心距为30μm,截止波长为5.0μm.

著录项

来源
《激光与红外》 |2005年第11期|826-828|共3页
作者
朱西安; 孙浩; 王成刚; 胡小燕; 刘明;
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作者单位

华北光电技术研究所,北京,100015;

华北光电技术研究所,北京,100015;

华北光电技术研究所,北京,100015;

华北光电技术研究所,北京,100015;

华北光电技术研究所,北京,100015;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类制造工艺及设备;半导体器件制造工艺及设备;
关键词
HgCdTe; 微台面结构; 干法刻蚀; 侧向钝化;

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