氟化物激光晶体Cr:LiSAF的坩埚下降法生长

摘要

报道了氟化物激光晶体Cr:LiSAF的坩埚下降法生长工艺.采用经氟化处理的无水氟化物原料,按照LiF:SrF2:(AlF3+CrF3)=1:1:1的摩尔比配料,控制炉体温度于900～940℃,晶体生长速度为0.4～0.8mm/h,通过密闭条件下的坩埚下降法生长出大尺寸(φ25mm×85mm)的优质完整的Cr:LiSAF单晶.